本申请公开了一种芯片参数采集电路，包括温度采样模块、校准模块、选通模块、以及模数转换器；其中，所述校准模块包括：带隙基准电路，用于生成与晶体管的工作温度无关的带隙基准电压；电压缓冲器，用于将所述第一参考电压调整为输入所述模数转换器以及输...

本发明公开了一种测试方法、系统、装置及存储介质，可广泛应用于测试技术领域，如应用于eMMC的测试。测试方法通过对第一界面中的至少一个第一模块进行第一操作，得到包括第一序列的第二界面，并对模块化第二界面得到的第二模块进行第二操作，得到包括...

本发明公开了一种命令队列管理方法、系统、装置及存储介质，命令队列管理方法通过判断待处理命令的命令类型，将读命令放入第一命令队列，将写命令放入第二命令队列，实现了待处理命令的分类和聚集，并根据预设的优先级策略将第一命令队列和第二命令队列中...

本申请公开了一种芯片载板引脚排布设计方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：获取芯片PAD的第一跨度、载板的第一引脚数量、载板引脚和芯片PAD之间的第一距离、载板与芯片之间的焊线宽度以及焊线走线角度；根据所述第一跨度、所述第一...

本发明公开了一种eMMC总线调度方法、系统、装置及存储介质。eMMC总线调度方法通过对第一主机发送的第一访问信息携带的地址信号进行译码，并根据译码得到的地址映射将第一访问信息发送至目标寄存器，在多条访问信息遭遇时，经过目标寄存器的访问仲...

本发明公开了一种芯片电源兼容性验证系统及方法。一种芯片电源兼容性验证系统包括：电源支路，用于将当前电源电压输送给芯片；处理器，用于获取目标曲线，并根据目标曲线生成第一控制信号和第二控制信号；用于在目标曲线输出完成前根据当前电源电压和目标...

本发明公开了一种芯片虚拟部件设计方法及其装置，所述方法包括以下步骤：获取芯片的设计版图；对设计版图进行验证操作，得到验证结果；根据验证结果，得到设计版图的阻拦层；对设计版图上阻拦层以外的位置添加虚拟部件，得到虚拟部件设计版图；对虚拟部件...

本实用新型涉及集成电路设计技术领域，公开了一种去耦合电容电路结构，本实用新型包括PMOS管、NMOS管、第一多晶硅层、第二多晶硅层、第一至第四金属层及第一、第二基准多晶硅；PMOS管具有第一有源区、第一衬底以及第一栅极接触孔，第一有源区...

本发明公开了一种芯片测试机台及方法，芯片测试机台包括：包括：机架；控制台，所述控制台可沿纵向移动地设置在所述机架上，所述控制台用于放置DRAM测试板；按压机构，所述按压机构可沿竖直方向移动地设置在所述机架上，所述DRAM测试板位于所述控...

本发明公开了一种数据回收方法、控制器和计算机可读存储介质，在储存设备上电重启后，获取预存的回收源块号和当前准备回收的数据的地址信息，根据所述回收源块号和所述当前准备回收的数据的地址信息，确定与所述回收源块号对应的回收源块以及在所述回收源...

本发明公开了NAND擦除方法、装置及可读存储介质，该方法包括以下步骤：响应于擦除指令，从第二映射表中查找对应的第二映射项，第二映射项包括：第二属性以及指向第一映射表的地址；确定第二属性是否包括擦除指令操作的第一映射表，得到第一检测结果；...

本发明公开了NAND FLASH数据的掉电保护方法、装置及介质，该方法包括以下步骤：获取存储信息；申请原数据块集，设定原数据块集目标数值；输入存储信息到原数据块集；当存储信息填满原数据块集申请新数据块集，设定新数据块集目标数值；输入存储...

本发明实施例公开了NAND写入与备份方法、系统及介质，其中方法包括：对数据页进行分组；对数据页进行第一分组，将非互为配对页且页号连续的多个数据页分为一个编程数据页组，得到多组编程数据页组；根据编程数据页组，对数据页进行第二分组，得到多组...

本发明公开了一种I2C总线单元、I2C总线系统及通信同步控制方法，包括I2C主机在与I2C从机建立连接后，向I2C从机发送第一段数据报文；I2C主机在第一段数据报文发送完毕后，向对应的第一CPU发送第一中断信号，以使第一CPU准备下一段...

本实用新型实施例公开了基于以太网的智能终端自动化测试装置，包括：串口通信模块，包括以太网交换机和若干个以太网转UART接口电路；所述以太网交换机，通过网线连接所述以太网转UART接口电路；所述若干个以太网转UART接口电路集成在一块核心...

本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种去耦合电容电路结构版图。本发明包括PMOS管、NMOS管、第一多晶硅层、第二多晶硅层、第一至第四金属层、第一基准多晶硅及第二基准多晶硅；PMOS管具有第一有源区、第一衬底以及第一栅极接触孔，第一...

本发明公开一种PG PAD金属结构版图及其设计方法，包括第一至第六金属结构，第一、第二金属结构位于第一、第三、第五接入点区域内，第一、第三和第五接入点区域沿第一方向依次排布，第一和第二金属结构，第三和第四金属结构，第五和第六金属结构分别...

本发明公开了一种IO PAD金属结构版图及其设计方法，包括第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构、第四金属结构、背栅和接触孔，第一金属结构位于第一注入区和第二注入区，第二金属结构位于第一注入区和第二注入区内，在同一注入区内第二金属结构...

本发明公开了PAD复用电路、MCU及控制方法，其中PAD复用电路包括：ADC、ADC选通开关、下拉使能晶体管、第一开关、第二开关、第三开关和IO引脚；IO引脚与通用输入输出接口的第一输出驱动晶体管的漏极及第二输出驱动晶体管的漏极连接；A...

本发明公开了nand flash重读定位方法，该方法包括：根据读重试电压，对读重试表中的读重试表项进行排序；基于二分法，定位当前查找范围内的中间位置的读重试表项，执行相应的读重试命令，并根据操作目标页中第一比特的占比结果，获取下一轮的查...