本发明公开了一种基于硬件的排序算法优化方法及其装置，所述方法包括以下步骤：获取多个待排序的序列信息；对多个序列信息进行归并排序，将序列信息中已排序的数据依次存入缓存器；把缓存器内的数据按序放回序列信息内，得到序列信息的排序结果。通过调整...

本申请公开了一种数据采样方法、系统、芯片、装置与存储介质，其中系统与发送数据的主机连接，包括异步复位同步释放电路、选择采样模块以及采样寄存器；所述主机、所述异步复位同步释放电路和所述采样寄存器与所述选择采样模块连接；其中，所述选择采样模...

本申请涉及数据处理技术领域，特别涉及一种eMMC的数据存储方法、控制器及可读存储介质；eMMC包括用于缓存数据的SLC区域和用于存储数据的TLC区域，数据存储方法包括当接收到读写请求，判断当前SLC区域和TLC区域之间是否正在执行GC操...

本发明公开了一种描述符管理方法，涉及闪存技术领域。描述符管理方法包括以下步骤：CPU创建描述符，并将描述符写入系统缓存，并将由多条描述符所形成的描述符链的首地址写入描述符读取器的进入寄存器；进入寄存器为每条描述符链分配对应的第一标识号、...

本发明公开一种基于UFS的自检测与自复位方法及系统，包括：UFSdevi ce控制器检测到UFSdevice处于空闲的状态后，控制UIC层中的发起模块发出一自检pattern至互连层；互连层接收到自检pattern后，loopback回...

本发明公开了一种闪存控制器及其访问闪存颗粒的方法，涉及闪存技术领域。闪存控制器包括：描述符队列，用于获取和存储描述符；任务调度器，用于将描述符队列中符合调度条件的描述符调度出来；任务解析器，用于对任务调度器调度出来的描述符进行解析，形成...

本发明公开了一种闪存虚拟块的分段擦除方法及系统，包括：申请一虚拟块，对虚拟块进行第一次擦除，擦除虚拟块中前两个子虚拟块；将前两个子虚拟块中第一个子虚拟块进行编程填满后，对前两个子虚拟块接下来的子虚拟块进行擦除；按顺序每编程填满一个子虚拟...

本发明公开一种基于RISC

本申请公开一种nand flash掉电测试装置、掉电测试方法及存储介质，其中，掉电测试装置包括作为掉电测试对象的Device设备和作为掉电测试机的Host设备，Device设备包括NAND Flash模组；Host设备连接NAND Fl...

本发明公开一种芯片转接测试装置、电路板及方法，装置包括至少一层转接板，每一层所述转接板均设有若干个测试端口，所述转接板从上至下依次可拆卸电性连接形成一测试体，所述测试体的顶部设有至少一个用于电性连接待测芯片的芯片连接区，不同所述芯片连接...

本发明公开一种多场景的闪存数据偏移方法、装置、电子设备及介质，其中，多场景的闪存数据偏移方法包括：在第一场景下，记录闪存的数据块的原始数据；在第二场景下，对数据块的数据页进行偏移设置，得到与数据页对应的偏移数据，其中，第二场景为对第一场...

本发明技术方案提供了一种验证eMMC功能的方法、系统、电子设备及存储介质，该方法包括：在存储设备中加载操作系统，并挂载根文件系统于存储设备，其中，存储设备为安全数码卡或通用闪存存储器；通过调用eMMC字符设备驱动程序访问eMMC设备，并...

本申请公开了一种eMMC模组封装结构及其制作方法，eMMC模组封装结构中，包括至少为两层线路层基板，基板还开设有空腔结构，空腔结构内容置主控芯片和被动元器件，主控芯片和被动元器件的引脚与基板表面的线路层电性连接，存储芯片布置在基板的其中...

本发明公开一种闪存的数据恢复方法、装置、电子设备及介质，其中，闪存的数据恢复方法包括：对于待处理闪存中任意一个数据块，对数据块进行页类型选取，得到数据校验页和数据用户页；向数据校验页写入校验数据；在待处理闪存的存储电荷发生变化的情况下，...

本发明公开了一种MLC NAND的备份数据方法、装置及电子设备，方法包括：获取一个空闲状态的数据块，作为数据备份块，数据备份区域与用户数据存储区域共用MLC NAND存储空间；若在对MSB page写入数据之前，MSB page对应的L...

本发明提供一种先进工艺下含低压管模块的版图设计方法，包括版图布局；对所有的低压管区域分别建立低压管模块；对每个低压管模块进行调整；完成低压管模块的内部连线；计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度；确定同时满足低压管模块...

本发明提供一种NANDFlash ZQ校准方法，其包括在存储控制器内部增加一个可调电阻，将可调电阻通过开关S1切换与存储控制器的ZQ引脚连接，在存储控制器的测试阶段对可调电阻进行校准；在NAND Flash ZQ校准阶段，存储控制器内部...

本发明公开了一种闪存数据读取方法及其装置、电子设备、存储介质，其中，闪存数据读取方法包括：在查询到闪存块不具有优先回收标志的情况下，使用默认电压进行第一读取处理；在第一读取处理发生纠错校验失败的情况下，进行重读处理；在重读处理纠错校验成...

本申请公开了一种数据恢复方法、数据恢复装置、固态硬盘、存储介质，包括读取失效数据所在数据块中的页数据；对所述页数据进行第一硬解码处理；在存在所述页数据恢复失败的情况下，重读恢复失败的待重读页数据；根据所述待重读页数据的比特信息和所述待重...

本发明公开了一种闪存垃圾回收方法、装置及可读存储介质，该方法包括：响应来自目标设备的写请求指令，获取当前闪存的上电时间；当上电时间大于或等于时间阈值，则等待第一目标次数等于第一阈值时执行垃圾回收操作，更新第一目标次数的数值为0，其中，第...