本发明公开了一种供电电路及其实现方法、实现装置、存储介质。该供电电路包括：控制单元、第一电源芯片、第二电源芯片、调节单元、电源单元、设置单元和受电单元；其中，所述电源单元的第一输出端通过所述第一电源芯片与所述调节单元相连，所述电源单元的...

本申请公开了一种内存读采样电路及其延时调节方法及读采样装置，其中电路包括以下FLASH模块、延时调节模块以及异步FIFO模块；所述FLASH模块与所述延时调节模块连接；所述异步FIFO模块与所述延时调节模块连接；所述延时调节模块的数量与...

本申请实施例提供了芯片掉电日志处理方法及系统，系统包括上位机、主机端和芯片设备端，上位机与至少一个主机端连接，主机端与芯片设备端连接；方法包括上位机向多个主机端发送掉电测试命令，主机端向芯片设备端转发掉电测试命令；芯片设备端执行掉电测试...

本发明公开了一种可校准时钟的存储控制器、时钟校准方法、装置，该存储控制器包括时钟模块，时钟模块用于为芯片提供时钟；时钟模块包括时钟源模块、时钟控制模块和时钟检测模块；时钟源模块用于根据接收到的时钟控制字生成所需频率的目标时钟；时钟检测模...

本发明实施例提供了一种提高闪存可靠性的方法、控制器和计算机存储介质，该方法包括：接收写入用户数据指令，写入用户数据指令表征将第一用户数据写入至NAND闪存；根据写入用户数据指令通过ECC编码模块对第一用户数据进行编码纠错处理，得到第二用...

本发明公开了一种采样点的确定方法、系统、装置及存储介质。该方法包括：调整采样频率，在每个采样频率下，通过控制器的多个档位确定多个测试采样点；通过多个测试采样点对测试数据进行采样，得到测试采样结果集；根据测试采样结果集，确定第一时长的目标...

本申请公开了一种芯片封装方法、芯片以及集成电路，其中方法包括以下步骤：获取若干片晶圆；将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片。本方法可以通过将...

本申请公开了一种芯片制作方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：准备一基板以及若干个子芯片；所述基板包括第一面以及第二面；所述第一面包括焊接区以及非焊接区；在所述焊接区印刷锡膏以及在所述非焊接区印刷第一胶水，得到第一半成品；所...

本申请公开了一种芯片选取方法、系统、装置和存储介质，其中方法包括以下步骤：获取若干个晶圆；将每个晶圆的子芯片划分为第一子芯片以及第二子芯片；根据所述第一子芯片以及所述第二子芯片，确定每个晶圆对应的子芯片的第一电子地图；将若干个所述第一电...

本申请实施例提供了固件存储方法、固件查找方法、设备及介质，其中固件存储方法包括：从每个闪存块的多个数据页中确定目标数据页，并使每个闪存块的目标数据页的页码均不相同；将待存储的目标固件从每个闪存块的目标数据页的初始位置开始存储，以将目标固...

本发明公开了一种eMMC信息获取方法和系统、电子设备和存储介质，涉及eMMC技术领域。eMMC信息获取方法包括：第一终端通过APK应用获取第二终端上的eMMC的内部信息，且第一终端显示第一界面；第一界面包括第一模块、第二模块和第三模块；...

本发明实施例提供了一种芯片测试设备热插拔的方法、测试设备和存储介质，该方法包括在所述测试箱门打开的情况下，对所述第一控制接触点和/或第二控制接触点进行电平变化检测；在所述第一控制接触点和/或所述第二控制接触点的电平变化检测结果符合电平变...

本发明实施例提供了一种UFS验证方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。方法包括：构建UFS主机端实体和UFS从机端实体；在UFS从机端实体中生成数据结构实体信息以及与数据结构实体信息对应的执行函数；在UFS从机端实体获取由UFS主机...

本申请公开一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，其中，加速启动方法包括当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息；当寿命信息表征存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取待读取数据，通过不同ret...

本申请公开一种eMMC验证平台的启动方法、启动装置及存储介质，其中，启动方法包括当接收到上位机的系统启动指令，加载预设的引导装载程序后进入微型化内核运行阶段；在微型化内核运行阶段产生中断，暂停引导装载程序并生成指令输入窗口；接收上位机通...

本申请实施例提供了一种功耗验证方法、系统、设备及存储介质，属于存储器技术领域。该功耗验证方法用于对嵌入式存储器进行功耗验证，包括：确定嵌入式存储器的数据传输模块与嵌入式存储器的闪存模块之间开始进行测试数据传输的测试时间点；在测试时间点控...

本申请实施例提供了一种功耗验证方法、系统、设备及存储介质，属于存储器技术领域。该功耗验证方法用于对嵌入式存储器进行功耗验证，包括：确定嵌入式存储器的数据传输模块与嵌入式存储器的闪存模块之间开始进行测试数据传输的测试时间点；在测试时间点控...

本发明公开了一种eMMC延时启动电路和方法，涉及存储器技术领域。eMMC延时启动电路包括延时电容、第一电阻和开关单元。延时电容的第一端与供电电源电连接，延时电容的第二端与第一电阻的第一端电连接，第一电阻的第二端接地；开关单元的受控端与第...

本申请公开了一种冷热数据的识别方法、系统及存储介质，涉及存储技术领域，包括：获取待写入数据的逻辑块以及第一数据频次表；更新第一数据频次表中逻辑块的写入频次；判断当前时刻处于当前的重置周期的初始化时间段还是稳定时间段；当处于初始化时间段，...

本申请公开了一种SRAM重置方法、电路、芯片、装置和存储介质，方法用于通过外围电路对SRAM进行重置；外围电路包括寄存器；寄存器的数量与SRAM的地址的数量相等；SRAM的任意一个地址对应任意一个寄存器，方法包括：响应于接收到的重置信号...