一种芯片封装方法、芯片以及集成电路技术

本申请公开了一种芯片封装方法、芯片以及集成电路，其中方法包括以下步骤：获取若干片晶圆；将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片。本方法可以通过将子芯片分级，减少各个子芯片的电气参数差异，也可以提高芯片封装成品良率，可以提高芯片的品质，可以减少芯片的封装成本。本申请可广泛应用于芯片封装技术领域内。装技术领域内。装技术领域内。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装方法、芯片以及集成电路


[0001]本申请涉及芯片封装
，尤其是一种芯片封装方法、芯片以及集成电路系统。

技术介绍

[0002]现有技术中，由于不同的需求，芯片的品质要求也不一样，如手机的芯片与车载芯片的品质要求是不同的，在芯片封装时，往往会将一个lot的晶圆直接进行封装，这种封装方式由于每一个晶圆的各种参数可能存在较大的差异，导致封装得到的芯片的品质很不稳定。因此，亟需一种新的芯片封装方法。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0004]为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种芯片封装方法、芯片以及集成电路，该方法可以改善芯片的品质。
[0005]为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：一种芯片封装方法，包括以下步骤：获取若干片晶圆；将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片。
[0006]另外，根据本专利技术中上述实施例的一种芯片封装的方法，还可以有以下附加的技术特征：
[0007]进一步地，本申请实施例中，所述将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片这一步骤，具体包括：提取每个晶圆中所有子芯片的电气参数；根据所述电气参数，对每一个所述子芯片进行分级。
[0008]进一步地，本申请实施例中，所述所述根据所述电气参数，对每一个所述子芯片进行分级这一步骤，具体包括：测试每一个子芯片的静态电流；当任意一个子芯片的静态电流小于等于第一阈值，确定所述子芯片为第一等级子芯片；当任意一个子芯片的静态电流大于第一阈值且小于等于第二阈值，确定所述子芯片为第二等级子芯片。
[0009]进一步地，本申请实施例中，所述从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片这一步骤，具体包括：遍历任意一个晶圆的良率地图；所述良率地图用于表征晶圆中外观良品与次品的分布。根据所述良率地图，从所述若干片晶圆中确定每片晶圆的良品子芯片；从每个晶圆中各自提取一个等级相同的所述良品子芯片进行封装，得到目标芯。
[0010]进一步地，本申请实施例中，所述从每个晶圆中各自提取一个等级相同的良品子芯片进行封装，得到目标芯片这一步骤，具体包括：设置封装基板，所述封装基板包括焊盘；在所述封装基板的第一面沿着垂直于所述封装基板的方向依次压合从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的所述良品子芯片；在所述良品子芯片上焊接引线，得到第一半成
品；所述引线用于连接每个所述子芯片与所述焊盘；在所述第一半成品上覆盖塑封层，所述塑封层覆盖所述引线以及所述若干个所述良品子芯片；在所述封装基板的第二面上焊接焊球，得到目标芯片；所述第二面与所述第一面沿着垂直于基板的方向相对设置。
[0011]另一方面，本申请实施例还提供一种芯片，由上述任一项实施例所述的任一项芯片封装方法制作得到，包括：
[0012]封装基板以及若干个沿着垂直于封装基板方向依次压合的良品子芯片；其中，每个所述良品子芯片的芯片等级相同。
[0013]进一步地，本申请实施例中，所述芯片还包括引线以及锡球；所述引线用于连接良品子芯片以及封装基板；所述锡球用于连接所述芯片以及外部电路。
[0014]进一步地，本申请实施例中，所述芯片还包括塑封层；所述塑封层覆盖所述若干个良品子芯片以及所述引线，所述塑封层用于电绝缘所述若干个良品子芯片和外界环境。
[0015]另一方面，本申请还提供一种集成电路，包括上述实施例所述的任一项所述的一种芯片。
[0016]本申请的优点和有益效果将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到：
[0017]本申请可以将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片，本申请通过将子芯片分级，减少各个子芯片的电气参数差异，也可以提高芯片封装成品良率，可以提高芯片的品质，可以减少芯片的封装成本。
附图说明
[0018]图1为本专利技术中一种具体实施例中一种芯片封装方法的步骤示意图；
[0019]图2为本专利技术中一种具体实施例中将将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片的步骤示意图；
[0020]图3为本专利技术中一种具体实施例中根据所述电气参数，对每一个所述子芯片进行分级的步骤示意图；
[0021]图4为本专利技术中一种具体实施例中从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片的步骤示意图；
[0022]图5为本专利技术中一种具体实施例中从每个晶圆中各自选取一个所述良品子芯片进行封装，得到目标芯片的步骤示意图；
[0023]图6为本专利技术中一种具体实施例中一种芯片结构示意图；
[0024]图7为本专利技术中一种具体实施例中另一种芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图详细描述本专利技术的实施例对本专利技术实施例中芯片封装方法、芯片以及集成电路的原理和过程作以下说明。
[0026]首先，对现有技术存在的缺陷进行说明：
[0027]现有技术中，由于不同的客户需求，芯片的品质要求也不一样，如手机的芯片与车载设备的芯片的品质要求会存在一定差异。而在传统芯片封装时，往往会将一个lot的晶圆
直接进行子芯片提取以及子芯片封装，这种封装方式由于每一片晶圆上子芯片的各种电气参数可能存在较大的差异，当电气参数差异较大的晶圆所产生的子芯片封装在一起时，由于晶圆的参数以硅材料的特殊性，会导致封装得到的芯片的品质很不稳定，即使是各个晶圆的子芯片都是满足要求的芯片在封装后，也最终会产生芯片的品质既不满足手机芯片也不满足车载芯片的品质要求,封装后的良率降低，成本增加。
[0028]针对上述现有技术的缺陷，参照图1，本专利技术提供一种芯片封装方法，包括以下步骤：
[0029]S1、获取若干片晶圆；
[0030]在本步骤中，若干个晶圆可以是从同一个lot(晶圆的量化单位)里抽取的任意数量的晶圆，也可以是不同的lot中抽取出来的任意数量的晶圆，本步骤中的任意数量的确定可以由芯片的具体结构，可以是3、4、5或者是其他数量。具体地，现有的芯片的封装一般可以采用4片晶圆。
[0031]S2、将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；
[0032]在本步骤中，可以根据晶圆的参数将晶圆分级，如可以根据晶圆的静态电流、电压还有载流子浓度或者是其他的电气参数进行分级，还可以是结合晶圆的外观参数进行分级。将晶圆的电参数与预先设定的参数阈值进行比较可以确定不同的晶圆等级，本步骤的预先设定的参数阈值可以是芯片行业标准，还可以是根据多次试验确定的经验值。
[0033]S3、从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：获取若干片晶圆；将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片；从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片。2.根据权利要求1所述一种芯片封装方法，其特征在于，所述将所述若干片晶圆中每一个子芯片进行分级，得到同一个等级的子芯片这一步骤，具体包括：提取每个晶圆中所有子芯片的电气参数；根据所述电气参数，对每一个所述子芯片进行分级。3.根据权利要求2所述一种芯片封装方法，其特征在于，所述根据所述电气参数，对每一个所述子芯片进行分级这一步骤，具体包括：测试每一个子芯片的静态电流；当任意一个子芯片的静态电流小于等于第一阈值，确定所述子芯片为第一等级子芯片；当任意一个子芯片的静态电流大于第一阈值且小于等于第二阈值，确定所述子芯片为第二等级子芯片。4.根据权利要求1所述一种芯片封装方法，其特征在于，所述从所述若干片晶圆中各自提取一个等级相同的子芯片进行封装，得到目标芯片这一步骤，具体包括：遍历任意一个晶圆的良率地图；所述良率地图用于表征子芯片中良品与次品的分布；根据所述良率地图，从所述若干片晶圆中确定每片晶圆的良品子芯片；从每个晶圆中各自提取一个等级相同的所述良品子芯片进行封装，得到目标芯片。5.根据权利要求4所述一种芯片封装方法，其特征在于，所述从每个晶圆中各...

【专利技术属性】
技术研发人员：王少博，胡秋勇，赖鼐，龚晖，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：