闪存阈值电压分布的描述方法和系统、电子设备技术方案

本发明专利技术公开了一种闪存阈值电压分布的描述方法、系统、电子设备和存储介质，涉及存储产品技术领域。闪存阈值电压分布的描述方法包括以下步骤：获取闪存的存储页的原始数据；以具有不同偏移量的多个读电压读取闪存的存储页，得到每个读电压对应的偏移数据；根据原始数据与偏移数据的比较结果，得到每个读电压对应的比特翻转信息；根据每个读电压的偏移情况以及比特翻转信息，绘制存储页的阈值电压分布图。根据本发明专利技术实施例的闪存阈值电压分布的描述方法，通过观察每个存储页的阈值电压分布图，便可以直观了解存储页的阈值电压分布情况，有利于后续正确读取和恢复存储页的数据。利于后续正确读取和恢复存储页的数据。利于后续正确读取和恢复存储页的数据。

【技术实现步骤摘要】
闪存阈值电压分布的描述方法和系统、电子设备


[0001]本专利技术涉及存储产品
，尤其是涉及一种闪存阈值电压分布的描述方法和系统、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在现代电子信息产业中，存储器作为电子设备中存储数据的载体一直有着非常重要的地位。目前，市场上的存储器主要分为：易失性存储器和非易失性存储器。闪存是一种非易失性存储器，它能够在掉电后长时间保存数据，并且有着数据传输速度快、生产成本低、存储容量大等优点，所以被广泛应用于电子设备之中。
[0003]闪存的内部实际上是以存储电荷的形式来表示存储的数据的，当对闪存进行编程/写入操作时，闪存的每个存储单元(cell)都有特定的状态信息，该状态信息可以表示任何位或数据，并且形成阈值电压分布以对应于每个状态信息。在编程之后，需要执行读取操作以识别具有特定状态信息的存储单元，从而得到其内部存储的数据。为了读取SLC(Single
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level
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cell，单层存储单元)闪存单元，闪存控制器需要提供一个参考电压(也称为读电压)，如果单元电压大于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，包括以下步骤：获取闪存的存储页的原始数据；以具有不同偏移量的多个读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据；根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息；根据每个所述读电压的偏移情况以及所述比特翻转信息，绘制所述存储页的阈值电压分布图。2.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述获取闪存的存储页的原始数据，包括：对闪存的存储块执行擦写操作；获取所述存储块的每个所述存储页的原始数据。3.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述以具有不同偏移量的多个读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据，包括：根据预设的读电压偏移命令，按从左至右的方向依次设置多个不同偏移量的读电压；根据每个偏移后的读电压读取所述闪存的存储页，得到每个所述读电压对应的偏移数据。4.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述偏移量的取值为0
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255，且所述偏移量的取值为整数。5.根据权利要求1所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述根据所述原始数据与所述偏移数据的比较结果，得到每个所述读电压对应的比特翻转信息，包括：将所述原始数据与所述偏移数据逐位进行比较，统计出原始数据为0而偏移数据为1的比特数，以及原始数据为1而偏移数据为0的比特数，从而得到每个所述读电压对应的比特翻转信息。6.根据权利要求5所述的闪存阈值电压分布的描述方法，其特征在于，所述根据每个所述读电压的偏移情况以及所述比特翻转信息，绘制所述存储页的阈值电压分布图，包括：令c(n)＝abs(x(n)
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x(...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺乐，赖鼐，龚晖，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：