校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备技术

本发明专利技术涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，其中，校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息；获取第一数量和第二数量；根据第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流；该方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。确的校验结果。确的校验结果。

【技术实现步骤摘要】
校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备


[0001]本申请涉及存储芯片
，具体而言，涉及一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备。

技术介绍

[0002]nor flash在执行相关数据改写操作（改变存储单元的阈值电压）后需要执行验证操作，但验证操作中容易受到待校验的存储单元所在位线的其他存储单元的释放的漏电流影响而影响验证结果，以致于无法对待校验的存储单元进行准确验证。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，以参考漏电流大小来补偿调节校验电流，以获取更准确的校验结果。
[0005]第一方面，本申请提供了一种校验电流的设置方法，应用于nor flash中，所述校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息，所述第一电流信息为存储数据为1的存储单元产生的均值漏电流，所述第二电流信息为存储数据为0的存储单元产生的均值漏电流；获取第一数量和第二数量，所述第一数量为目标位线中待校验存储单元以外的数据为1的存储单元的数量，所述第二数量为所述目标位线中待校验存储单元以外的数据为0的存储单元的数量；根据所述第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流。
[0006]本申请的校验电流的设置方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
[0007]所述的校验电流的设置方法，其中，所述校验电流的设置方法基于寄存器存储所述第一电流信息和所述第二电流信息，所述第一电流信息和所述第二电流信息在满足第一条件时触发测取并存储在所述寄存器中；所述第一条件包括：目标位线所在存储区域的cycle次数达到预设次数值，或目标位线所在存储区域的擦除时间达到预设时长。
[0008]在该示例中，第一电流信息和第二电流信息可以是根据使用需求在合适的时间节点进行测取，并存储记录在寄存器中，使得本申请的校验电流的设置方法能根据使用需求在寄存器中调用第一电流信息和第二电流信息来更新设定校验电流。
[0009]所述的校验电流的设置方法，其中，所述预设次数值为100次、30000次、50000次、
70000次和90000次中的一个或多个。
[0010]所述的校验电流的设置方法，其中，所述第一电流信息为所述目标位线所在的存储区域内所有存储单元存储数据均为1时的每个存储单元产生的均值漏电流，所述第二电流信息为所述目标位线所在的存储区域内所有存储单元存储数据均为0时的每个存储单元产生的均值漏电流。
[0011]所述的校验电流的设置方法，其中，所述校验电流的设置方法基于计数器或寄存器存储所述第一数量和所述第二数量；所述第一数量和所述第二数量利用所述nor flash在执行强化编程操作时测取，并存储在所述计数器或所述寄存器中。
[0012]所述的校验电流的设置方法，其中，所述校验电流为弱编程校验电流、擦除校验电流及编程校验电流中的一种。
[0013]第二方面，本申请还提供了一种操作校验方法，应用于nor flash中，所述操作校验方法包括以下步骤：在对目标存储单元执行操作命令后，基于如第一方面提供的校验电流的设置方法设置的校验电流对所述目标存储单元进行校验。
[0014]本申请的操作校验方法利用第一方面提供的校验电流的设置方法设置的校验电流对目标存储单元进行校验，该利用漏电流总值补偿调节目标操作电流而设定的校验电流，能有效提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
[0015]第三方面，本申请还提供了一种校验电流的设置装置，应用于nor flash中，所述校验电流的设置装置包括：第一获取模块，用于获取第一电流信息和第二电流信息，所述第一电流信息为存储数据为1的存储单元产生的均值漏电流，所述第二电流信息为存储数据为0的存储单元产生的均值漏电流；第二获取模块，用于获取第一数量和第二数量，所述第一数量为目标位线中待校验存储单元以外的数据为1的存储单元的数量，所述第二数量为所述目标位线中待校验存储单元以外的数据为0的存储单元的数量；设定模块，用于根据所述第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流。
[0016]本申请的校验电流的设置装置利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
[0017]第四方面，本申请还提供了一种存储芯片，所述存储芯片包括控制电路，所述控制电路用于运行如第一方面提供的校验电流的设置方法或如第二方面提供的操作校验方法。
[0018]第五方面，本申请还提供了一种电子设备，包括如第四方面提供的存储芯片。
[0019]由上可知，本申请提供了校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，其中，校验电流的设置方法利用作为均值漏电流的第一电流信息和第二电流信息来定义不同编程状态的存储单元的漏电流，并结合目标位线上的第一数量和第二数量来确定目标位线产
生的漏电流总值，再利用该漏电流总值补偿调节目标操作电流来获取合适的校验电流，以使校验操作顺利且精确地进行，从而提高校验操作的精度，以获取更准确的校验结果。
附图说明
[0020]图1为本申请实施例提供的校验电流的设置方法的流程图。
[0021]图2为本申请实施例提供的校验电流的设置装置的结构示意图。
[0022]图3为nor flash的存储阵列的结构示意图。
[0023]附图标记：301、第一获取模块；302、第二获取模块；303、设定模块。
具体实施方式
[0024]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种校验电流的设置方法，应用于nor flash中，其特征在于，所述校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息，所述第一电流信息为存储数据为1的存储单元产生的均值漏电流，所述第二电流信息为存储数据为0的存储单元产生的均值漏电流；获取第一数量和第二数量，所述第一数量为目标位线中待校验存储单元以外的数据为1的存储单元的数量，所述第二数量为所述目标位线中待校验存储单元以外的数据为0的存储单元的数量；根据所述第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标操作电流设定校验电流。2.根据权利要求1所述的校验电流的设置方法，其特征在于，所述校验电流的设置方法基于寄存器存储所述第一电流信息和所述第二电流信息，所述第一电流信息和所述第二电流信息在满足第一条件时触发测取并存储在所述寄存器中；所述第一条件包括：目标位线所在存储区域的cycle次数达到预设次数值，或目标位线所在存储区域的擦除时间达到预设时长。3.根据权利要求2所述的校验电流的设置方法，其特征在于，所述预设次数值为100次、30000次、50000次、70000次和90000次中的一个或多个。4.根据权利要求1所述的校验电流的设置方法，其特征在于，所述第一电流信息为所述目标位线所在的存储区域内所有存储单元存储数据均为1时的每个存储单元产生的均值漏电流，所述第二电流信息为所述目标位线所在的存储区域内所有存储单元存储数据均为0时的每个存储单元产生的均值漏电流。5.根据权利要求1所述的校验电流的设置方法，其特征在于，所述校验电流的设置方法基于计数器或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文菊，黎永健，
申请(专利权)人：上海芯存天下电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：