包括用于检测双极结型晶体管故障的故障检测器的半导体器件以及用于检测双极结型晶体管故障的方法技术

一种半导体器件可以包括：电压产生器，被配置为产生第一双极结型晶体管的第一基极

【技术实现步骤摘要】
包括用于检测双极结型晶体管故障的故障检测器的半导体器件以及用于检测双极结型晶体管故障的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0032989以及于2022年5月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0057947的优先权，每个上述申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术构思的各个方面涉及半导体器件，更具体地涉及包括用于检测双极结型晶体管的错误或故障的检测器的半导体器件、以及用于检测双极结型晶体管的故障的方法。

技术介绍

[0004]由于精细工艺的发展，可能在半导体芯片中每单位面积集成更多的器件。此外，半导体芯片的性能提升也在加速。由于性能的提高和线宽的减小，半导体器件中产生的热量对器件稳定性有很大影响。具体地，当用于车辆电系统的半导体器件由于诸如电压、电流和温度等因素而发生故障时，它可能直接影响驾驶员的生命、舒适性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：电压产生器，被配置为产生第一双极结型晶体管的第一基极
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发射极电压；以及故障检测器，被配置为通过将所述第一基极
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发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较来产生故障信号；其中，所述故障检测器包括：基极端子和集电极端子被接地的第二双极结型晶体管；电流源，被配置为产生偏置电流；第一电阻器，耦接在所述电流源与所述第二双极结型晶体管的发射极端子之间以产生所述上限参考电压；第二电阻器和第三电阻器，被配置为对所述第二双极结型晶体管的第二基极
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发射极电压进行分压以产生所述下限参考电压；第一比较器，被配置为将所述第一基极
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发射极电压与所述上限参考电压进行比较并被配置为产生第一故障信号；以及第二比较器，被配置为将所述第一基极
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发射极电压与所述下限参考电压进行比较并被配置为产生第二故障信号。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一双极结型晶体管和所述第二双极结型晶体管具有相同的结构。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一比较器的正输入端子(+)被配置为接收所述第一基极
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发射极电压，并且所述第一比较器的负输入端子(
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)被配置为接收所述上限参考电压。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二比较器的正输入端子(+)被配置为接收所述下限参考电压，并且所述第二比较器的负输入端子(
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)被配置为接收所述第一基极
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发射极电压。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一双极结型晶体管和所述第二双极结型晶体管是PNP型双极结型晶体管。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上限参考电压或所述下限参考电压相对于温度的变化率与所述第一基极
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发射极电压相对于温度的变化率相同。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压产生器被配置为基于所述第一基极
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发射极电压来产生温度比例电压或温度互补电压。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一双极结型晶体管和所述第二双极结型晶体管被配置为在相同的偏置条件下操作。9.一种半导体器件，包括：第一双极结型晶体管，被配置为产生第一基极
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发射极电压；第二双极结型晶体管，被配置为产生第二基极
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发射极电压；参考产生器，被配置为基于所述第二基极
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发射极电压来产生至少一个参考电压；以及比较器，被配置为将所产生的所述至少一个参考电压与所述第一基极
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发射极电压进行比较并基于该比较产生故障信号。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：许栋勋，朴心灿，林哲焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：