本发明涉及电子电路技术领域，具体公开了一种基准电压产生电路、模拟电路及存储芯片，其中，基准电压产生电路包括：具有正温度系数的电流镜电路、第一电阻、双极结型晶体管和基准电压输出端；电流镜电路的镜像电流输出端与第一电阻的一端连接，第一电阻的...

本发明涉及存储芯片测试技术领域，具体公开了一种基于python的SD NAND测试方法及相关设备，其中，该方法包括步骤：导入python的外部函数库；设定U盘的绝对路径；在设定无缓冲属性下，根据绝对路径打开U盘文件；基于预设数据大小依次...

本发明涉及闪速存储器技术领域，具体公开了一种擦除验证电路、方法及NAND Flash，其中，擦除验证电路包括：转换模块，其输入端与NAND Flash的页缓存区中所有锁存电路的数据读取端连接，用于将待验证的锁存数据整合转换为模拟信号；判...

本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种应用于NORD闪存的参考电流生成电路、判断电路及方法，其中，应用于NORD闪存的参考电流生成电路包括供电控制模块；参考单元阵列，包括多个基准单元组，每个基准单元组均包括多个阵列连接的NORD单元...

本申请涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种存储单元选定电路、阵列、芯片及擦除校验方法，该电路包括：多个存储单元，所有存储单元的漏极均通过一个主开关与第一位线的输入端连接，所有存储单元的源极均与公共接地端连接；比较器，其包括第一输入端和第...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种编程校验电压设定方法、编程方法、装置、芯片及设备，其中，编程校验电压设定方法包括以下步骤：获取目标存储区域在执行擦除操作后的阈值电压；根据目标存储区域的初期阈值电压和上述阈值电压获取电压差值；根...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备，其中，编程校验方法包括步骤：在存储单元编程结束后，对存储单元的衬底端施加正向电压；基于编程校验电压对存储单元进行编程校验；该编程校验方法通过在编程结束和编...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种芯片的电压建立方法

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种校验电流的设置方法、操作校验方法及相关设备，其中，校验电流的设置方法包括以下步骤：获取第一电流信息和第二电流信息；获取第一数量和第二数量；根据第一电流信息、第二电流信息、第一数量、第二数量及目标...

本申请公开了一种计数器、计数方法、存储阵列、非易失性存储器及设备，属于半导体集成电路技术领域，其中所述计数器基于非易失性存储器的存储阵列构建而成；所述存储阵列包括高位计数区域和低位计数区域；所述高位计数区域基于二进制数据进行计数；所述低...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash读取方法、装置、存储芯片及设备，该方法包括以下步骤：打开预放电使能以开启所有放电模块，使所有位线放电至至0电位；关闭预放电使能以使所有所述位线处于悬浮状态，且悬浮在0电位，并建...

本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备，该电路包括：运算放大器；第一MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的输出端连接，其栅极与使能信号连接；第二MOS管，其源极与供电电压连...

本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种参考电流快速建立电路及方法，该电路包括：运算放大器；第一MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的输出端连接，其栅极与使能信号连接；第二MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法包括步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并读取待读取对象的存储数据，其中，读取待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法包括步骤：在接收到指令信息中第一位代码且该代码与读取指令对应时，打开预读取使能以将待操作区域的存储数据输出到数据总线上；在接收到...

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种迟滞电路、上电复位电路及闪速存储器，其中，迟滞电路包括第一与门、第一或非门及第二或非门；第一与门的输出端与第一或非门的第一输入端连接，第一或非门的输出端与第二或非门的第一输入端连接，第一或非...

本实用新型涉及存储芯片技术领域，提供了一种钳位电压产生电路、读取电路及非易失性存储器，钳位电压产生电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、比较器、运算放大器、偏置电压输入端和基准电压输入端，第二MOS管与第三MOS管匹配，第...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Nor flash的写入方法、装置、编程电路及设备，其中，写入方法包括以下步骤：获取SRAM内的存储数据；统计存储数据中需要执行写操作的数据总量；根据数据总量及芯片的写数据能力确定写入操作次数；...

本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种存储芯片的验证方法、电子设备及存储介质，该方法包括以下步骤：建立用于改写存储单元模型和参考模型的存储数据的特殊状态控制信号；根据外部输入的验证请求获取验证所需的初始状态；根据初始状态设定特殊状态...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Norflash的验证方法、装置、设备及存储介质，其中，验证方法包括步骤:根据Norflash的存储阵列构建简易存储模型，简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成，局部位线组仅包...