本发明专利技术涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法包括步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并读取待读取对象的存储数据，其中，读取待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定字线信息时，根据字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压；在确定位线信息后，若位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取待读取对象的存储数据，若位线信息不为末位位线，根据位线信息建立对应的位线电压以配合字线电压读取待读取对象的存储数据；该读取方法能提高nor flash的读取速度，并避免了时序过于集中的问题。中的问题。中的问题。
【技术实现步骤摘要】
nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备
[0001]本申请涉及存储芯片
，具体而言，涉及一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备。
技术介绍
[0002]nor flash在执行读取操作的过程中，一般需要基于片选信号接收外部输入的地址信息，根据地址信息确定需要操作的存储对象再结合接收到的读取命令来建立相应的读取电压使存储对象产生电流，并利用该电流与参考电流进行大小比较来读取并输出存储数据。
[0003]然而，在nor flash进行连续读取的过程中，对于首个读取的存储对象，nor flash需要根据接收到的地址信息依次建立相应的字线电压和位线电压来执行数据读取操作，若首个需要读取的存储对象位于相应字线的最后一位（即位于末位位线上）处，nor flash在完成该存储对象的读取操作后，需要同时建立下一字线的字线电压和首位位线地址的位线电压，导致芯片运行时序过于紧凑，需要耗费较长时间建立各类电压，影响了芯片在该情况下的读取速度。
[0004]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0005]本申请的目的在于提供一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，以提高nor flash的读取速度。
[0006]第一方面，本申请提供了一种nor flash的读取方法，所述方法包括以下步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据，其中，基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定所述字线信息时，根据所述字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压；在确定所述位线信息后，若所述位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取所述待读取对象的存储数据，若所述位线信息不为末位位线，则释放末位位线电压，并根据所述位线信息建立对应的位线电压以配合所述字线电压读取所述待读取对象的存储数据。
[0007]本申请的nor flash的读取方法，通过在第一次建立字线电压的同时建立末位位线电压的方式，将末位位线电压的建立时机错位前置，使得在待读取对象所在位线为末位位线时，待读取对象所在的位线提前完成电压建立以提前进行数据读取操作，从而提高了该情况下的nor flash的读取速度，并避免了时序过于集中的问题。
[0008]所述的nor flash的读取方法，其中，所述待读取对象大小为1byte。
[0009]所述的nor flash的读取方法，其中，所述释放末位位线电压和所述根据所述位线
信息建立对应的位线电压同时启动执行。
[0010]释放末位位线电压为放电过程，其通过打开接地开关便能实现放电，该操作行为不影响其余字线或位线电压的建立，本申请采用上述同时启动执行的方式能有效提高芯片的运行效率。
[0011]所述的nor flash的读取方法，其中，所述依次获取待读取对象的字线信息和位线信息的步骤包括：基于时钟信号依次获取待读取对象的字线信息和位线信息。
[0012]所述的nor flash的读取方法，其中，建立末位位线电压所需时长小于获取位线信息的时长。
[0013]所述的nor flash的读取方法，其中，在所述方法用于连续读取时，所述方法包括执行于所述基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取所述待读取对象的存储数据之后的步骤：同时释放所述字线电压和所述末位位线电压，并同时建立下一字线电压和首位位线电压。
[0014]所述的nor flash的读取方法，其中，所述读取所述待读取对象的存储数据的步骤包括：基于时钟信号的下降沿输出所述待读取对象的存储数据。
[0015]第二方面，本申请还提供了一种nor flash的读取装置，所述装置包括：寻址模块，用于依次获取待读取对象的字线信息和位线信息；读取模块，用于基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据；其中，所述读取模块包括：第一电压建立模块，用于在仅确定所述字线信息时，根据所述字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压，且用于在确定所述位线信息后，若所述位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取所述待读取对象的存储数据；第二电压建立模块，用于在确定所述位线信息后，若所述位线信息不为末位位线，则释放末位位线电压，并根据所述位线信息建立对应的位线电压以配合所述字线电压读取所述待读取对象的存储数据。
[0016]本申请的nor flash的读取装置，通过在第一次建立字线电压的同时建立末位位线电压的方式，将末位位线电压的建立时机错位前置，使得在待读取对象所在位线为末位位线时，待读取对象所在的位线提前完成电压建立以提前进行数据读取操作，从而提高了该情况下的nor flash的读取速度，并避免了时序过于集中的问题。
[0017]第三方面，本申请还提供了一种存储芯片，所述存储芯片包括控制电路和存储阵列，所述控制电路用于执行如第一方面提供的所述方法中的步骤以读取所述存储阵列中的存储数据。
[0018]第四方面，本申请还提供了一种电子设备，包括如第三方面提供的存储芯片。
[0019]由上可知，本申请提供了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法通过在第一次建立字线电压的同时建立末位位线电压的方式，将末位位线电压的建立时机错位前置，使得在待读取对象所在位线为末位位线时，待读取对象所在的位
线提前完成电压建立以提前进行数据读取操作，从而提高了该情况下的nor flash的读取速度，并避免了时序过于集中的问题。
附图说明
[0020]图1为现有的nor flash读取方法的时序图。
[0021]图2为本申请实施例提供的nor flash的读取方法在位线信息为末位位线时的时序图。
[0022]图3为本申请实施例提供的nor flash的读取方法在位线信息不为末位位线时的时序图。
[0023]图4为本申请实施例提供的nor flash的读取装置的结构示意图。
[0024]附图标记：201、寻址模块；202、读取模块；2021、第一电压建立模块；2022、第二电压建立模块。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0026]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种nor flash的读取方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据，其中，基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定所述字线信息时，根据所述字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压；在确定所述位线信息后，若所述位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取所述待读取对象的存储数据，若所述位线信息不为末位位线，则释放末位位线电压，并根据所述位线信息建立对应的位线电压以配合所述字线电压读取所述待读取对象的存储数据。2.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，所述待读取对象大小为1byte。3.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，所述释放末位位线电压和所述根据所述位线信息建立对应的位线电压同时启动执行。4.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，所述依次获取待读取对象的字线信息和位线信息的步骤包括：基于时钟信号依次获取待读取对象的字线信息和位线信息。5.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，建立末位位线电压所需时长小于获取位线信息的时长。6.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，在所述方法用于连续读取时，所述方法包括执行...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩志永，王晨辉，
申请(专利权)人：上海芯存天下电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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