norflash的读取方法、装置、存储芯片及设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备，其中，读取方法包括步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并读取待读取对象的存储数据，其中，读取待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定字线信息时，根据字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压；在确定位线信息后，若位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取待读取对象的存储数据，若位线信息不为末位位线，根据位线信息建立对应的位线电压以配合字线电压读取待读取对象的存储数据；该读取方法能提高nor flash的读取速度，并避免了时序过于集中的问题。中的问题。中的问题。

【技术实现步骤摘要】
nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备


[0001]本申请涉及存储芯片
，具体而言，涉及一种nor flash的读取方法、装置、存储芯片及设备。

技术介绍

[0002]nor flash在执行读取操作的过程中，一般需要基于片选信号接收外部输入的地址信息，根据地址信息确定需要操作的存储对象再结合接收到的读取命令来建立相应的读取电压使存储对象产生电流，并利用该电流与参考电流进行大小比较来读取并输出存储数据。
[0003]然而，在nor flash进行连续读取的过程中，对于首个读取的存储对象，nor flash需要根据接收到的地址信息依次建立相应的字线电压和位线电压来执行数据读取操作，若首个需要读取的存储对象位于相应字线的最后一位（即位于末位位线上）处，nor flash在完成该存储对象的读取操作后，需要同时建立下一字线的字线电压和首位位线地址的位线电压，导致芯片运行时序过于紧凑，需要耗费较长时间建立各类电压，影响了芯片在该情况下的读取速度。
[0004]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种nor flash的读取方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：依次获取待读取对象的字线信息和位线信息，并基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据，其中，基于所述字线信息和所述位线信息读取所述待读取对象的存储数据的步骤包括：在仅确定所述字线信息时，根据所述字线信息建立字线电压并同时建立末位位线电压；在确定所述位线信息后，若所述位线信息为末位位线，则基于建立稳定的字线电压和末位位线电压读取所述待读取对象的存储数据，若所述位线信息不为末位位线，则释放末位位线电压，并根据所述位线信息建立对应的位线电压以配合所述字线电压读取所述待读取对象的存储数据。2.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，所述待读取对象大小为1byte。3.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，所述释放末位位线电压和所述根据所述位线信息建立对应的位线电压同时启动执行。4.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，所述依次获取待读取对象的字线信息和位线信息的步骤包括：基于时钟信号依次获取待读取对象的字线信息和位线信息。5.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，建立末位位线电压所需时长小于获取位线信息的时长。6.根据权利要求1所述的nor flash的读取方法，其特征在于，在所述方法用于连续读取时，所述方法包括执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩志永，王晨辉，
申请(专利权)人：上海芯存天下电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：