控制非易失性存储器件的控制器及其操作方法技术

提供了控制非易失性存储器件的控制器及其操作方法。一种控制器的操作方法包括：向非易失性存储器件发送扩展状态检查命令；在发送所述扩展状态检查命令之后，与所述非易失性存储器件内部的平面的数量相对应地翻转读取激活信号/RE；以及根据与所述读取激活信号相对应的数据选通信号DQS，通过数据线接收所述非易失性存储器件的平面的状态信息。易失性存储器件的平面的状态信息。易失性存储器件的平面的状态信息。

【技术实现步骤摘要】
控制非易失性存储器件的控制器及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是基于并要求于2021年12月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0170105的优先权，其全部内容通过引用全部合并于此。


[0003]本公开涉及一种非易失性存储器件、用于控制其的控制器、具有其的存储设备及其操作方法。

技术介绍

[0004]通常，具有非易失性存储器件的存储设备被广泛用于通用串行总线(USB)驱动器、数码相机、移动电话、智能手机、平板电脑、PC、内存卡和固态硬盘(SSD)。存储设备被用于存储或移动大量数据。最近，存储设备已经小型化，并且以嵌入式形式实现于电子设备中。

技术实现思路

[0005]示例实施例提供一种在支持平面独立命令(PIC)的同时减少面积的非易失性存储器件、用于控制其的控制器、具有其的存储设备及其操作方法。
[0006]示例性实施例还提供一种具有最小化面积的能够快速确定每个平面的状态的非易失性存储器件、控制其的控制器、具有其的存储设备及其操作方法。
[0007]根据本公开的方面，提供一种控制器的操作方法，所述操作方法包括：向非易失性存储器件发送扩展状态检查命令；在发送所述扩展状态检查命令之后，与所述非易失性存储器件中的平面的数量相对应地翻转(toggle)读取激活信号；以及根据与所述读取激活信号相对应的数据选通信号，通过数据线接收关于所述非易失性存储器件中的一个或更多个平面的状态信息。<br/>[0008]所述操作方法还包括：确定所述非易失性存储器件中的所述平面的数量。
[0009]与所述平面的数量相对应的信息可以被存储在所述控制器中的只读存储器(ROM)或电熔丝(E
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fuse)中。
[0010]所述确定所述平面的数量可以包括：向所述非易失性存储器件发送获取特征命令；基于所述获取特征命令从所述非易失性存储器件接收平面数量信息；以及将所述平面数量信息存储在缓冲存储器中。
[0011]所述读取激活信号可以在从所述扩展状态检查命令被接收到的时间点起第一时间段之后被输出。
[0012]所述读取激活信号可以在读取前导时间之后被翻转。
[0013]在访问窗口之后，所述数据选通信号可以基于所述读取激活信号与所述平面的数量相对应地被翻转。
[0014]在所述读取激活信号被翻转之后，所述读取激活信号可以具有读取后导时间，直到芯片激活信号、命令锁存激活信号和地址锁存激活信号从低电平转换为高电平为止，以
及其中，所述数据选通信号可以在所述读取后导时间期间被翻转。
[0015]所述读取激活信号可以在所述读取后导时间之后具有读取后导保持时间，以确保数据输出时间，以及其中，关于所述一个或更多个平面的所述状态信息可以包括在所述读取后导保持时间期间保持在所述数据线中的最后的平面状态信息。
[0016]所述扩展状态检查命令可以是77h命令。
[0017]根据本公开的另一方面，提供一种控制器的操作方法，所述操作方法包括：向非易失性存储器件发送扩展状态检查命令；在地址周期中向所述非易失性存储器件发送平面位图值，所述平面位图值指示所述非易失性存储器件的多个平面当中的至少一个平面；与由所述平面位图值指示的平面的数量相对应地翻转读取激活信号；以及根据与所述读取激活信号相对应的数据选通信号，通过数据线接收关于由所述平面位图值指示的所述至少一个平面的状态信息。
[0018]可以在从所述平面位图值被接收到的时间点起第一时间段之后输出所述读取激活信号。
[0019]根据所述操作方法，可以从所述平面位图值的最低有效位开始顺序地分配所述平面的对应的编号。
[0020]当所述平面的数量超过8时，添加与超过的平面的数量相对应的地址周期。
[0021]所述扩展状态检查命令可以是79h命令。
[0022]根据本公开的另一方面，提供一种控制器，所述控制器包括：非易失性存储器接口电路，所述非易失性存储器接口电路通过多个控制引脚和数据线连接到非易失性存储器件，并且被配置为控制所述非易失存储器件；以及存储器件，所述存储器件被配置为存储关于所述非易失性存储器件的平面数量信息，其中，所述非易失性存储器接口电路被配置为：向所述非易失性存储器件发送确定所述非易失存储器件的平面状态的扩展状态检查命令，与所述平面数量信息相对应地翻转读取激活信号，以及基于与所述读取激活信号的翻转相对应的数据选通信号，通过所述数据线接收关于所述非易失性存储器件的平面状态信息。
[0023]所述非易失性存储器接口电路还可以被配置为：向所述非易失性存储器件发送获取特征命令，以及根据所述获取特征命令从所述非易失性存储器件接收具有所述平面数量信息的平面独立读取/平面独立命令(PIR/PIC)信息。
[0024]所述存储器件可以被实现为非易失性存储器。
[0025]所述控制器还可以包括：先进先出(FIFO)存储器，所述先进先出存储器被配置为：存储所述平面状态信息，其中，所述非易失性存储器接口电路还被配置为：基于所述平面状态信息向所述非易失性存储器件发送具有平面独立命令(PIC)的输入/输出请求。
[0026]所述非易失性存储器接口电路还可以被配置为：基于关于从所述非易失性存储器件的一个或更多个平面中选择的平面的状态信息，向所述非易失性存储器件发送具有平面独立命令(PIC)的输入/输出请求。
[0027]根据本公开的另一方面，提供一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：多个平面；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述多个平面中的每个平面的输入/输出操作，其中，所述多个平面中的每个平面包括位线中的每条位线与公共源极线之间的至少两个串，其中，所述至少两个串中的每个串包括：串联连接在所述位线中的一条位线与公共源极线之间的至少一个串选择晶体管、多个存储单元和至少一个接地晶体管，其中，
所述至少一个串选择晶体管具有连接到串选择线的栅极，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元被提供有来自对应字线的字线电压，其中，所述至少一个接地晶体管包括具有与接地选择线连接的栅极的多个存储块，其中，所述控制逻辑被配置为：从外部设备接收扩展状态检查命令，以及，基于所述扩展状态检查命令，通过数据线将关于所述多个平面中的每一个平面的平面状态信息输出到所述外部设备。
[0028]可以与读取激活信号的翻转相对应地输出所述平面状态信息。
[0029]控制逻辑还可以被配置为：在地址周期中接收指示所述多个平面中的至少一个平面的平面位图值。
[0030]可以从与所述多个平面中的每个平面相对应的就绪和忙碌信号获得所述平面状态信息。
[0031]所述非易失性存储器件还可以包括引脚，所述引脚被配置为将就绪和忙碌信号输出到所述外部，其中，所述就绪和忙碌信号处于浮置状态。
[0032]根据本公开的另一方面，提供一种存储设备，所述存储设备包括：至少一个非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制器的操作方法，所述操作方法包括：向非易失性存储器件发送扩展状态检查命令；在发送所述扩展状态检查命令之后，与所述非易失性存储器件中的平面的数量相对应地翻转读取激活信号；以及根据与所述读取激活信号相对应的数据选通信号，通过数据线接收关于所述非易失性存储器件中的一个或更多个平面的状态信息。2.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括：确定所述非易失性存储器件中的所述平面的数量。3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，与所述平面的数量相对应的信息被存储在所述控制器中的只读存储器或电熔丝中。4.根据权利要求2所述的操作方法，其中，所述确定所述平面的数量包括：向所述非易失性存储器件发送获取特征命令；基于所述获取特征命令从所述非易失性存储器件接收平面数量信息；以及将所述平面数量信息存储在缓冲存储器中。5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在从所述扩展状态检查命令被接收到的时间点起第一时间段之后，所述读取激活信号被输出。6.根据权利要求5所述的操作方法，其中，在读取前导时间之后所述读取激活信号被翻转。7.根据权利要求5所述的操作方法，其中，在访问窗口之后，基于所述读取激活信号，所述数据选通信号与所述平面的数量相对应地被翻转。8.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在所述读取激活信号被翻转之后，所述读取激活信号具有读取后导时间，直到芯片激活信号、命令锁存激活信号和地址锁存激活信号从低电平转换为高电平为止，以及其中，在所述读取后导时间期间所述数据选通信号被翻转。9.根据权利要求8所述的操作方法，其中，所述读取激活信号在所述读取后导时间之后具有读取后导保持时间，以确保数据输出时间，以及其中，关于所述一个或更多个平面的所述状态信息包括在所述读取后导保持时间期间保持在所述数据线中的最后的平面状态信息。10.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述扩展状态检查命令是77h命令。11.一种控制器的操作方法，所述操作方法包括：向非易失性存储器件发送扩展状态检查命令；在地址周期中向所述非易失性存储器件发送平面位图值，所述平面位图值指示所述非易失性存储器件的多个平面当中的至少一个平面；与由所述平面位图值指示的平面的数量相对应地翻转读...

【专利技术属性】
技术研发人员：李英敏，郑明焕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：