用虚设数据来同时编程弃用字线单元制造技术

本申请案涉及用虚设数据来同时编程弃用字线单元。一种系统包含存储器装置，所述存储器装置包含存储器阵列和控制逻辑，所述控制逻辑以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包含以下各项的操作：接收用虚设数据来同时编程所述存储器阵列的一组单元的一组命令，所述组单元对应于所述多个字线的弃用字线群组；响应于接收到所述组命令，获得所述虚设数据；以及通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，用所述虚设数据来同时编程所述组单元。述虚设数据来同时编程所述组单元。述虚设数据来同时编程所述组单元。

【技术实现步骤摘要】
用虚设数据来同时编程弃用字线单元


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及用虚设数据来同时编程弃用字线单元。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个字线；以及控制逻辑，其以可操作方式与所述存储器阵列耦合，用以执行包括以下各项的操作：识别所述存储器阵列的一组单元来弃用，所述组单元对应于所述多个字线的弃用字线群组；产生虚设数据以编程在所述组单元上；以及通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，来用所述虚设数据同时编程所述组单元。
[0004]本公开的另一实施例提供一种方法，其包括：通过处理装置，识别存储器装置的存储器阵列的一组单元来弃用，所述组单元对应于所述存储器阵列的多个字线的弃用字线群组；通过所述处理装置，获得虚设数据以编程在所述组单元上；以及通过所述处理装置，通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，来用所述虚设数据同时编程所述组单元。
[0005]本公开的又一实施例提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，所述指令当由处理装置执行时，致使所述处理装置执行包括以下各项的操作：确定存储器阵列的一组单元将用虚设数据来编程，所述组单元对应于多个字线的弃用字线群组；获得所述虚设数据；以及通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，来用所述虚设数据同时编程所述组单元，其中所述联动编程脉冲是盲编程脉冲。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。
[0007]图1A示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图1B是根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
[0009]图2A到2C是根据本公开的一些实施例的存储器装置中包含的实例存储器单元阵列的部分的图。
[0010]图3是根据本公开的一些实施例的可实施用虚设数据来同时编程弃用字线单元的实例三维(3D)替换栅极存储器装置的图。
[0011]图4是根据本公开的一些实施例的执行用虚设数据来同时编程弃用字线单元的方
法的流程图。
[0012]图5是根据本公开的一些实施例的其中用虚设数据来同时编程弃用字线单元的存储器装置的框图。
[0013]图6是其中本公开的实例可操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的方面是针对用虚设数据来同时编程弃用字线单元。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。下文结合图1A到1B描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储在存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0015]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1A到1B描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页组成。每一页由一组存储器单元组成。存储器单元为存储信息的电子电路。取决于存储器单元类型，存储器单元可存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”和“1”或这类值的组合的二进制值表示。
[0016]存储器装置可包含以二维或三维网格布置的多个存储器单元。存储器单元以列和行的阵列形式形成在硅晶片上。存储器装置可进一步包含连接到存储器单元中的相应者的导电线，被称为字线和位线。字线可指存储器装置的存储器单元的一或多个行，且位线可指存储器单元的一或多个列。位线和字线的相交点构成存储器单元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单位，并且可包含存储器单元的群组、字线群组、字线或个别存储器单元。可以将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许同时操作在每一平面上进行。存储器装置可包含执行两个或更多个存储器平面的同时存储器页存取的电路系统。举例来说，存储器装置可包含用于存储器装置的每一平面的相应存取线驱动器电路和电力电路，以促进对包含不同页类型的两个或更多个存储器平面的页的同时存取。
[0017]可通过将某一电压施加到存储器单元来对存储器单元进行编程(写入)，这产生正由存储器单元保持的电荷。举例来说，可将电压信号V
CG
施加到单元的控制电极，以使单元向电流跨单元在源电极与漏电极之间的流动开放。更具体地说，对于每一个别存储器单元(具有存储于其上的电荷Q)，可存在阈值控制栅极电压V
T
(本文中还被称为“阈值电压”或简称为“阈值”)，使得因为控制栅极电压(V
CG
)低于阈值电压，V
CG
<V
T
，因此源极
‑
漏极电流为低。一旦控制栅极电压已超出阈值电压，V
CG
>V
T
，电流显著地增加。因为电极和栅极的实际几何形状在单元与单元之间变化，所以阈值电压甚至对于实施于同一裸片上的单元也可不同。因此，存储器单元可表征为阈值电压的分布P，P(Q,V
T
)＝dW/dV
T
，其中dW表示当电荷Q置于单元上时，任何给定单元的阈值电压在区间[V
T
,V
T
+dV
T
]内的概率。
[0018]存储器装置可具有与装置的单元所容许的控制电压的工作范围相比较窄的分布P(Q,V
T
)。因此，多个非重叠分布P(Q
k
,V
T
)(“谷值”)可以拟合到工作范围，从而允许存储并可
靠地检测多个电荷值Q
k
，k＝1、2、3
…
。分布(谷值)穿插有电压间隔(谷值裕度)，其中装置的存储器单元没有(或极少)具有其阈值电压。因此，此类谷值裕度可用于分离各种电荷状态Q
k
—可通过在读取操作期间检测单元的相应阈值电压V
T
存在于哪两个谷值裕度之间来确定单元的逻辑状态。这有效地允许单个存储器单元存储多个信息位：在2
N
‑
1个明确限定的谷值裕度和2N个谷值下操作的存储器单元能够可靠地存储N个信息位。具体来说，可通过比较由存储器单元展现的所测量的阈值电压V
T...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个字线；以及控制逻辑，其以可操作方式与所述存储器阵列耦合，用以执行包括以下各项的操作：识别所述存储器阵列的一组单元来弃用，所述组单元对应于所述多个字线的弃用字线群组；产生虚设数据以编程在所述组单元上；以及通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，来用所述虚设数据同时编程所述组单元。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述联动编程脉冲是盲编程脉冲。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列进一步包括一组子块，且其中用所述虚设数据同时编程所述组单元进一步包括跨所述组子块的每一子块同时编程所述组单元。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中识别所述组单元包括接收一组命令。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述组命令界定所述弃用字线群组的初始页和最终页。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中产生所述虚设数据包括产生一组随机数据。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括三维3D替换栅极存储器装置。8.一种方法，其包括：通过处理装置，识别存储器装置的存储器阵列的一组单元来弃用，所述组单元对应于所述存储器阵列的多个字线的弃用字线群组；通过所述处理装置，获得虚设数据以编程在所述组单元上；以及通过所述处理装置，通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，来用所述虚设数据同时编程所述组单元。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述联动编程脉冲是盲编程脉冲。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述存储器阵列进一步包括一组子块，且其中用所述虚设数...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：