预编程和编程阶段期间的偏置电压方案制造技术

本公开涉及预编程和编程阶段期间的偏置电压方案。控制逻辑可执行包含以下的操作：对于一组虚设字线中的每一虚设字线，获得相应的一组升压电压参数，其中每一组升压电压参数包含对应于所述虚设字线的阶跃比，且根据所述相应的一组升压电压参数，使相对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线的偏置电压斜变到相应的编程禁止偏置电压。另外或替代地，控制逻辑可执行包含以下的存储器操作：在预编程阶段的种子设定起初子阶段期间，使相对于每一虚设字线的偏置电压斜变到电源电压，且在所述预编程阶段的整个位线设置子阶段期间，将第一虚设字线的所述偏置电压保持在第一虚设字线种子电压。压。压。

【技术实现步骤摘要】
预编程和编程阶段期间的偏置电压方案


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及预编程和编程阶段期间的偏置电压方案。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可例如为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一方面，本公开提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括选择栅极和对应于与所述选择栅极相邻的一组虚设字线的一组存储器单元；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下的存储器编程操作：对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线，获得相应的一组升压电压参数，其中每一组升压电压参数包括对应于所述虚设字线的阶跃比；以及根据所述相应的一组升压电压参数，使得相对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线的偏置电压斜变到相应的编程禁止偏置电压。
[0004]在另一方面，本公开进一步提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括选择栅极和对应于一组虚设字线的一组存储器单元，所述一组虚设字线包括与所述选择栅极相邻的第一虚设字线；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各者中的至少一者的存储器编程操作：在预编程阶段的种子设定起初子阶段期间，使相对于所述一组虚设字线中的所述第一虚设字线的偏置电压斜变到电源电压；以及在所述预编程阶段的整个位线设置子阶段中，将所述第一虚设字线的所述偏置电压保持在第一虚设字线种子电压，其中所述第一虚设字线的所述偏置电压从所述电源电压斜变到所述第一虚设字线种子电压。
[0005]在又一方面，本公开进一步提供一种方法，其包括：在预编程阶段的种子设定起初子阶段期间，由处理装置使相对于一组虚设字线中的每一虚设字线的偏置电压斜变到电源电压，其中所述一组虚设字线包括与选择栅极相邻的第一虚设字线；由所述处理装置使所述第一虚设字线的所述偏置电压从所述电源电压斜变到第一虚设字线种子电压；在所述预编程阶段的整个位线设置子阶段中，由所述处理装置将所述第一虚设字线的所述偏置电压保持在所述第一虚设字线种子电压；以及根据第一组升压电压参数，由所述处理装置使所述第一虚设字线的所述偏置电压从所述第一虚设字线种子电压斜变到第一编程禁止偏置电压，其中升压电压参数中的第一者包括基于编程脉冲电压的变化而定义的第一阶跃比。
附图说明
[0006]根据下文给出的具体实施方式且根据本公开的各种实施例的附图，将更加充分地理解本公开。然而，附图不应视为将本公开限制于特定实施例，而是仅用于解释和理解。
[0007]图1A说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图1B为根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
[0009]图2A到2C为根据本公开的一些实施例的存储器装置中包含的实例存储器单元阵列的部分的图。
[0010]图3为根据本公开的一些实施例的可在预编程和编程阶段期间实施偏置电压方案的实例三维(3D)存储器装置的图。
[0011]图4为说明根据本公开的一些实施例的预编程和编程阶段期间的实例偏置电压方案的时序图。
[0012]图5为说明根据本公开的一些实施例的在编程禁止期间实施的实例升压偏置电压方案的曲线图。
[0013]图6为根据本公开的一些实施例的用于在预编程和编程阶段期间实施实例虚设字线偏置电压方案的方法的流程图。
[0014]图7为本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0015]本公开的各方面涉及预编程和编程阶段期间的偏置电压方案。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置与存储器模块的组合。下文结合图1A到1B描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供要存储在存储器子系统处的数据，且可请求要从存储器子系统检索的数据。
[0016]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1A到1B描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面包含一组物理块。每一块包含一组页。每一页包含一组存储器单元。存储器单元为存储信息的电子电路。取决于存储器单元类型，存储器单元可存储一或多个位的二进制信息，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如，“0”和“1”)或此类值的组合表示。
[0017]存储器装置可包含以二维或三维网格布置的多个存储器单元。存储器单元以列和行的阵列形式形成在硅晶片上。存储器装置可进一步包含连接到存储器单元中的相应者的导线，被称为字线和位线。字线可指存储器装置的存储器单元的一或多个行，且位线可指存储器单元的一或多个列。位线与字线的相交点构成存储器单元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可包含存储器单元群组、字线群组、字线或个别存储器单元。可将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每一平面上进行并发操作。存储器装置可包含执行两个或更多个存储器平面的并发存储器页存取的电路系统。举例来说，存储器装置可包含用于存储器装置的每一平面的相应存取线驱动器电路和电力电路以促进对包含不同页类型的两个或更多个存储器平面的页进行并发存取。
[0018]一些存储器装置可为三维(3D)存储器装置(例如，3D NAND装置)。举例来说，3D存
储器装置可包含置于包含柱(例如，多晶硅柱)、隧道氧化物层、电荷捕获(CT)层和电介质(例如，氧化物)层的多组层之间的存储器单元。3D存储器装置可具有对应于第一侧的“顶部叠组”和对应于第二侧的“底部叠组”。在不损失一般性的情况下，第一侧可为漏极侧，且第二侧可为源极侧。举例来说，3D存储器装置可为具有使用字线堆叠的替换栅极结构的3D替换栅极存储器装置。
[0019]存储器装置可包含数个虚设字线。包含虚设字线的一个目的是减少由于在存储器装置编程期间存在的电压差而可能存在于一些存储器装置(例如，3D存储器装置)中的热载流子(例如，电子或空穴)注入。举例来说，一或多个虚设字线可安置于数据字线与连接到共同线(例如，位线或与位线相对的源极线)的一组选择栅极之间。选择栅极为选择性地使存储器单元串与连接到选择栅极的共同线连接或断开的装置(例如，晶体管)。选择栅极可为漏极侧选择栅极(SGD)或源极侧选择栅极(SGS)。举例来说，一组虚设字线可包含与一组选择栅极相邻的第一虚设字线、与第一虚设字线相邻的第二虚设字线以及与第二虚设字线和数据字线相邻的第三虚设字线。
[0020]存储器装置编程可包含预编程阶段和编程阶段。预编程阶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括选择栅极和对应于与所述选择栅极相邻的一组虚设字线的一组存储器单元；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下的存储器编程操作：对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线，获得相应的一组升压电压参数，其中每一组升压电压参数包括对应于所述虚设字线的阶跃比；以及根据所述相应的一组升压电压参数，使得相对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线的偏置电压斜变到相应的编程禁止偏置电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中每一组升压电压参数进一步包括初始编程禁止偏置电压值和最大编程禁止偏置电压值。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中基于编程脉冲电压的变化定义每一阶跃比。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述一组虚设字线包括与所述选择栅极相邻的第一虚设字线、与所述第一虚设字线相邻的第二虚设字线以及与所述第二虚设字线相邻的第三虚设字线。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中使所述一组虚设字线中的每一虚设字线的所述偏置电压斜变到所述相应的编程禁止偏置电压包括：使所述第一虚设字线的所述偏置电压从虚设字线种子电压斜变到第一编程禁止偏置电压；以及使相对于所述第二虚设字线和所述第三虚设字线的所述偏置电压分别从0V斜变到第二编程禁止偏置电压和第三编程禁止偏置电压。6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述第一编程禁止偏置电压小于所述第二编程禁止偏置电压，且其中所述第二编程禁止偏置电压小于所述第三编程禁止偏置电压。7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中第一阶跃比、第二阶跃比和第三阶跃比相等。8.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括选择栅极和对应于一组虚设字线的一组存储器单元，所述一组虚设字线包括与所述选择栅极相邻的第一虚设字线；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各者中的至少一者的存储器编程操作：在预编程阶段的种子设定起初子阶段期间，使相对于所述一组虚设字线中的所述第一虚设字线的偏置电压斜变到电源电压；以及在所述预编程阶段的整个位线设置子阶段中，将所述第一虚设字线的所述偏置电压保持在第一虚设字线种子电压，其中所述第一虚设字线的所述偏置电压从所述电源电压斜变到所述第一虚设字线种子电压。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中在所述种子设定起初子阶段期间使相对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线的所述偏置电压斜变到所述电源电压进一步包括同时将所述选择栅极的所述偏置电压和所述一组虚设字线中的每一虚设字线从0V斜变到所述电源电压。10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中在所述种子设定起初子阶段期间使相对于
所述一组虚设字线中的每一虚设字线的所述偏置电压斜变到所述电源电压进一步包括在将所述选择栅极的所述偏置电压从0V斜变到所述电源电压之前使所述一组虚设字线中的每一虚设字线的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：