Norflash的验证方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质，其中，验证方法包括步骤:根据Nor flash的存储阵列构建简易存储模型，简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成，局部位线组仅包括每条字线上第2

【技术实现步骤摘要】
Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质


[0001]本申请涉及存储芯片
，具体而言，涉及一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

[0002]Nor flash作为一种非易失性存储器，可以对其中的存储单元进行擦除，再编程和读取的操作。在芯片设计过程中，完成设计的芯片需要经过多重严格的测试来验证其功能的正确性；该验证过程一般通过仿真测试的方式来实现，验证过程需要确保芯片能正确执行每条测试命令，验证结果一般根据芯片的存储阵列模型中的存储数据获取。
[0003]然而，随着芯片尺寸大小的增加，需要被验证功能齐全的存储单元也越来越多，这就导致验证所需要的时间成倍地增长；但在实际验证过程中发现，验证结果出错时，存储阵列模型特定位置的存储单元的数据也不会出错或不会单独出错，这些部分存储单元的仿真验证过程属于冗余工作。
[0004]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质，以建立简本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1. 一种Nor flash的验证方法，用于对Nor flash进行仿真以对待测设计进行功能验证，其特征在于，所述方法包括以下步骤：根据所述Nor flash的存储阵列构建简易存储模型，所述简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成，所述局部位线组仅包括每条字线上第2i个字节及末位字节对应所在的位线，i=0,1,
…
，n，其中，n为大于1的整数；利用所述简易存储模型对所述待测设计进行功能验证。2. 根据权利要求1所述的Nor flash的验证方法，其特征在于，所述利用所述简易存储模型对所述待测设计进行功能验证的步骤包括：基于预设的测试激励对参考模型进行仿真生成第一测试结果，及基于所述测试激励利用所述简易存储模型对所述待测设计进行仿真生成第二测试结果；比对所述第一测试结果和所述第二测试结果生成验证结果。3. 根据权利要求2所述的Nor flash的验证方法，其特征在于，所述基于预设的测试激励对参考模型进行仿真生成第一测试结果的步骤包括：基于预设的测试激励对参考模型进行仿真；根据所述简易存储模型的存储单元分布特点提取仿真结束后的参考模型中对应存储单元的数据，作为所述第一测试结果。4. 根据权利要求1所述的Nor flash的验证方法，其特征在于，所述存储阵列中每条字线具有2n个字节数据。5. 根据权利要求1所述的No...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文静，李佳泽，林杉，
申请(专利权)人：上海芯存天下电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：