一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置制造方法及图纸

本申请提供一种用于NAND闪存器件的缺陷记录方法，用于包括多个存储单元的NAND闪存器件，其中所述多个存储单元组成多个块和多个列；所述方法包括以下步骤：S1，建立NAND闪存器件的块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S2，对所述NAND闪存器件进行缺陷测试，根据缺陷测试结果更新所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S3，将更新后的所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表合并形成为所述NAND闪存器件的缺陷记录数据。本申请还提供用于实现上述方法的装置。于实现上述方法的装置。于实现上述方法的装置。

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存器件的缺陷记录方法和装置


[0001]本申请涉及数据存储
，具体是涉及用于记录NAND闪存器件中的缺陷的方法和装置。

技术介绍

[0002]NAND闪存(即与非型闪存，又称NAND flash)器件是一类越来越多地被用于现代电子装备的非易失性存储器器件。与NOR闪存(即或非型闪存，又称NOR flash)器件相比，NAND闪存器件因为具有更大的存储密度和存储容量、以及更高的顺序访问速度而被更广泛地用于大容量存储。
[0003]NAND闪存器件内部具有多个存储单元(cell)，这些存储单元按照一定的阵列形式布置，形成多个由存储单元组成的行(也可称为块)和列。这些行(或称为块)和列通常可以分为用于构成主存储阵列并直接存储数据的数据行(或称为数据块)及数据列、以及用于修复NAND闪存器件中的缺陷的冗余行(或称为冗余块)及冗余列。如果某个或某些数据行或数据列在制造过程中形成了一些缺陷，例如数据列中的一个或多个存储单元在测试过程被发现存在故障，若是缺陷程度并未超出一定的范围，则可以不必直接将NAND闪存器件报废，而是可以执行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于NAND闪存器件的缺陷记录方法，用于包括多个存储单元的NAND闪存器件，其中所述多个存储单元组成多个块和多个列；其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1，建立NAND闪存器件的块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S2，对所述NAND闪存器件进行缺陷测试，根据缺陷测试结果更新所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S3，将更新后的所述块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表合并形成为所述NAND闪存器件的缺陷记录数据。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：根据所述缺陷测试结果，在所述块状态列表中更新每个块的块状态；其中每个块的块状态为完好、有缺陷、坏块、已替换/已使用四种状态中的一种。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：当一个块在所述块状态列表中的块状态被从完好更新为有缺陷时，在所述块缺陷记录表中增加记录以记录其块号、缺陷数量和缺陷地址，并将该块的记录标记为有效。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：当一个块在所述块状态列表中的块状态为有缺陷，并且在所述缺陷测试中又发现该块存在新的缺陷时，在所述块缺陷记录表中更新该块的记录。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：如果更新该块的缺陷记录时发现其缺陷数量超出了可修复的范围，则在所述块缺陷记录表中把该块的记录标记为无效，删除其缺陷地址记录，同时在所述块状态列表中把该块的块状态更新为坏块。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁知民，马庆容，楼冰泳，
申请(专利权)人：上海江波龙微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：