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本申请提供一种用于NAND闪存器件的缺陷记录方法，用于包括多个存储单元的NAND闪存器件，其中所述多个存储单元组成多个块和多个列；所述方法包括以下步骤：S1，建立NAND闪存器件的块状态列表、列状态列表、块缺陷记录表和列缺陷记录表；S2，对...
该专利属于上海江波龙微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海江波龙微电子技术有限公司授权不得商用。

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