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本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质,其中,验证方法包括步骤:根据Nor flash的存储阵列构建简易存储模型,简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成,局部位线组仅包...该专利属于上海芯存天下电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海芯存天下电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种Nor flash的验证方法、装置、设备及存储介质,其中,验证方法包括步骤:根据Nor flash的存储阵列构建简易存储模型,简易存储模型基于局部位线组和全部字线所对应的存储单元构成,局部位线组仅包...