存储芯片随机磨损测试方法、装置及其存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储芯片随机磨损测试方法、装置及其存储介质，所述方法包括以下步骤：读取存储芯片的标识符，并根据标识符分配存储芯片的测试存储块；按照不同的磨损等级对测试存储块进行磨损测试，得到磨损存储块；读取磨损存储块的磨损参数，其中，磨损参数包括磨损存储块的磨损等级和擦除次数；根据磨损参数对磨损存储块进行数据保持测试，得到存储芯片的性能结果。通过根据标识符分配存储芯片的测试存储块，按照不同的磨损等级对测试存储块进行磨损测试，能快速地得到磨损等级确定的磨损存储块，并精准地得到存储芯片的性能结果，提高存储芯片的测试准确性。提高存储芯片的测试准确性。提高存储芯片的测试准确性。

【技术实现步骤摘要】
存储芯片随机磨损测试方法、装置及其存储介质


[0001]本专利技术涉及芯片测试
，尤其是一种存储芯片随机磨损测试方法、装置及其存储介质。

技术介绍

[0002]在存储芯片的数据保持性能测试过程中，为了保证测试的准确性，需要使芯片所有区域都达到指定的寿命前期、中期或后期的磨损程度。由于这个过程耗时较长，影响了存储芯片的测试效率。为了缩短测试时间，每颗芯片的每种磨损等级所选的区域，往往都是固定的、相同的一小块区域。但是，由于存储芯片不同区域数据保持性能不一致，只选取一小块区域进行测试，可能存在偶然性，不能完全反映出存储芯片的真实性能，也无法保证存储芯片的测试准确性。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种存储芯片随机磨损测试方法、装置及其存储介质，通过根据标识符分配存储芯片的测试存储块，按照不同的磨损等级对测试存储块进行磨损测试，能快速地得到磨损等级确定的磨损存储块，并精准地得到存储芯片的性能结果，提高存储芯片的测试准确性。
[0004]本专利技术解决其问题所采用的技术方案是：
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种存储芯片随机磨损测试方法，所述方法包括：读取存储芯片的标识符，并根据所述标识符分配所述存储芯片的测试存储块；按照不同的磨损等级对所述测试存储块进行磨损测试，得到磨损存储块；读取所述磨损存储块的磨损参数，其中，所述磨损参数包括所述磨损存储块的磨损等级和擦除次数；根据所述磨损参数对所述磨损存储块进行数据保持测试，得到所述存储芯片的性能结果。
[0006]第二方面，本申请实施例提供一种存储芯片随机磨损测试装置，包括：分配模块，用于读取存储芯片的标识符，并根据所述标识符分配所述存储芯片的测试存储块；测试模块，用于按照不同的磨损等级对所述测试存储块进行磨损测试，得到磨损存储块；读取模块，用于读取所述磨损存储块的磨损参数，其中，所述磨损参数包括所述磨损存储块的磨损等级和擦除次数；性能模块，用于根据所述磨损参数对所述磨损存储块进行数据保持测试，得到所述存储芯片的性能结果。
[0007]第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如上所述的存储芯片随机磨损测试方法。
[0008]第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现如上所述的存储芯片随机磨损测试方法。
[0009]本申请实施例，通过读取存储芯片的标识符，并根据标识符分配存储芯片的测试存储块；按照不同的磨损等级对测试存储块进行磨损测试，得到磨损存储块；读取磨损存储
块的磨损参数，其中，磨损参数包括磨损存储块的磨损等级和擦除次数；根据磨损参数对磨损存储块进行数据保持测试，得到存储芯片的性能结果，能快速地得到磨损等级确定的磨损存储块，并精准地得到存储芯片的性能结果，提高存储芯片的测试准确性。
[0010]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0011]图1为本专利技术实施例一种存储芯片随机磨损测试方法的流程图；
[0012]图2为图1中步骤S1000的流程图；
[0013]图3为图2中步骤S1300的流程图；
[0014]图4为图1中步骤S2000的流程图；
[0015]图5为图4中步骤S2200的流程图；
[0016]图6为图1中步骤S3000的流程图；
[0017]图7为图1中步骤S4000的流程图；
[0018]图8为本专利技术实施例一种存储芯片随机磨损测试装置的结构图；
[0019]图9是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0021]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0022]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0023]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。
[0024]本专利技术实施例涉及的存储芯片随机磨损测试方法及其装置，是基于快闪存储器(flash memory)的测试方法。其中，快闪存储器是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。闪存技术主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read
‑
Only Memory EPROM)。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。由于闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，因此可以适用于电子设备存储模块等的数据存储，以使得这些模块在
掉电重启后数据不会遗失。对于不同厂家生产的闪存而言，每一个闪存都具有一个对应的擦写次数限制，该擦写次数限制将决定电子设备存储模块等的使用寿命。因此对于闪存的擦写次数的测试尤为重要。
[0025]然而，在实际测试过程中，在存储芯片的数据保持性能测试过程中，为了保证测试的准确性，需要使芯片所有区域都达到指定的寿命前期、中期或后期的磨损程度。由于这个过程耗时较长，影响了存储芯片的测试效率。为了缩短测试时间，每颗芯片的每种磨损等级所选的区域，往往都是固定的、相同的一小块区域。但是，由于存储芯片不同区域数据保持性能不一致，只选取一小块区域进行测试，可能存在偶然性，不能完全反映出存储芯片的真实性能。
[0026]基于以上，本专利技术实施例提供一种存储芯片随机磨损测试方法、装置及其存储介质，通过根据标识符分配存储芯片的测试存储块，按照不同的磨损等级对测试存储块进行磨损测试，能快速地得到磨损等级确定的磨损存储块，并精准地得到存储芯片的性能结果，提高存储芯片的测试准确性。
[0027]请参见图1，图1示出了本专利技术实施例提供的一种存储芯片随机磨损测试方法的流程。
[0028]如图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片随机磨损测试方法，其特征在于，包括以下步骤：读取存储芯片的标识符，并根据所述标识符分配所述存储芯片的测试存储块；按照不同的磨损等级对所述测试存储块进行磨损测试，得到磨损存储块；读取所述磨损存储块的磨损参数，其中，所述磨损参数包括所述磨损存储块的磨损等级和擦除次数；根据所述磨损参数对所述磨损存储块进行数据保持测试，得到所述存储芯片的性能结果。2.根据权利要求1所述的一种存储芯片随机磨损测试方法，其特征在于，所述读取存储芯片的标识符，并根据所述标识符分配所述存储芯片的测试存储块，包括：读取所述存储芯片的标识符；将所述存储芯片的标识符输入随机函数中，得到随机生成的所述存储芯片的存储块的序号；根据所述存储块的序号，得到所述存储芯片的测试存储块。3.根据权利要求2所述的一种存储芯片随机磨损测试方法，其特征在于，所述根据所述存储块的序号，得到所述存储芯片的测试存储块，包括：根据所述存储块的序号，得到所述测试存储块的起始序号；根据读取数据的大小和所述测试存储块的起始序号，得到所述测试存储块的终止序号。4.根据权利要求3所述的一种存储芯片随机磨损测试方法，其特征在于，所述按照不同的磨损等级对所述测试存储块进行磨损测试，得到磨损存储块，包括：将所述磨损等级按照所述测试存储块的起始序号进行分配；按照已分配的所述磨损等级，对所述测试存储块进行磨损测试。5.根据权利要求4所述的一种存储芯片随机磨损测试方法，其特征在于，所述按照已分配的所述磨损等级，对所述测试存储块进行磨损测试，包括：获取所述磨损等级对应的数据擦除次数；根据所述数据擦除次数，对所述测试存储块进行数据擦除...

【专利技术属性】
技术研发人员：区锦宏，贺乐，赖鼐，龚晖，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：