存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘技术

本申请公开一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，其中，加速启动方法包括当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息；当寿命信息表征存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，并统计不同retry参数下待读取数据被正确读取的笔数；将待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；以目标retry参数开始执行default read操作。在存储芯片的擦写次数较低的情况下启动，不进行默认参数的default read，能够加速了存储芯片的启动，减少了启动时间。减少了启动时间。减少了启动时间。

【技术实现步骤摘要】
存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘


[0001]本申请涉及存储芯片
，尤其涉及一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘。

技术介绍

[0002]半导体存储单元根据存储密度的不同，可以分为单阶储存单元（Single
‑
Level Cell，SLC）、多阶储存单元（Multi
‑
Level Cell，MLC）和三阶储存单元（Triple
‑
Level Cell,TLC）等。不同存储密度的存储单元根据划分出的多个电压阈值进行数据存储，例如SLC通过一个电压阈值判断其存储的是0还是1，MLC通过三个电压阈值判断其存储的是00、01、10还是11，TLC通过七个电压阈值判断其存储的是000到111中的哪一个。
[0003]由此可知，通过电压阈值精确判断存储单元中的数据，对于半导体存储单元来说至关重要，随着存储密度的增大，要求的电压阈值越精确，但是外部环境有一定几率影响存储芯片中的数据，可能导致存储芯片的电压发生偏移。例如封装好的存储芯片在生产过程中，需要通过回流焊的方式焊接到电路板上，影响了存储芯片内存储单元的电压。按照default read方式默认启动固态硬盘对存储单元的数据进行读取时，主控就需要进行多次read retry，才能正确读出数据，表现为固态硬盘的读取速度变慢，影响用户体验。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本申请实施例提供了一种存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，能够加快存储芯片的读取速度，减小固态硬盘启动时间。
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种存储芯片加速启动方法，包括：当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息，所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数；当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，并统计不同retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数；将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；以所述目标retry参数开始执行default read操作。
[0007]在一些实施例中，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：保存所述目标retry参数在预设存储区域。
[0008]在一些实施例中，还包括：当接收到启动指令，检查所述预设存储区域中是否存储有所述目标retry参数；若有，以所述目标retry参数执行default read操作。
[0009]在一些实施例中，还包括：在所述存储芯片的运行过程中，监控所述存储芯片的寿命信息；当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数大于所述擦写次数阈值，清除所述目标retry参数。
[0010]在一些实施例中，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：记录以所述目标retry参数执行default read操作后成功启动所述存储芯片时的retry参数，作为有效retry参数；将所述有效retry参数存储在所述预设存储区域。
[0011]在一些实施例中，所述选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，包括：根据所述存储芯片的容量选取若干笔待读取数据；按照retry参数从小到大的顺序，每次通过一组retry参数对所述待读取数据进行读操作，并校验每笔读取得到的数据。
[0012]在一些实施例中，所述将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，包括：当一组所述retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数超过设定阈值，直接将当前的所述retry参数作为所述目标retry参数。
[0013]在一些实施例中，在所述存储芯片和所述存储芯片对应的主控芯片通过回流焊方式焊接到PCB之后，利用测试设备对所述PCB进行上电启动测试，以使所述主控芯片执行所述加速启动方法。
[0014]第二方面，本申请实施例提供了一种主控器件，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行如第一方面所述的加速启动方法。
[0015]第三方面，本申请实施例提供了一种固态硬盘，包括第二方面所述的主控器件。
[0016]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如第一方面所述的加速启动方法。
[0017]本申请实施例提供的存储芯片加速启动方法、主控器件及固态硬盘，至少具有如下有益效果：在存储芯片的擦写次数较低的情况下，开机需要启动存储芯片的时候，不进行默认参数的default read阶段，然后在存储芯片中取少量的待读取数据，并对这些待读取数据进行read retry，然后统计不同retry参数的读操作下待读取数据被正确读取的笔数，然后将被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数，设定default read从目标retry参数开始执行；由于跳过了默认参数的default read，不进行从默认参数到目标retry参数这一部分的read retry，因此能够加速了存储芯片的启动，减少了启动时间，也可以有效降低回流焊环节等外界因素对存储芯片造成的影响。
[0018]本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0019]附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的示例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
[0020]图1是本申请实施例提供的加速启动方法的整体流程图；图2是本申请实施例提供的将目标retry参数保存在预设存储区域的流程图；图3是本申请实施例提供的启动时以预设存储区域中的目标retry参数进行default read的流程图；图4是本申请实施例提供的根据运行中擦写次数清除目标retry参数的流程图；图5是本申请实施例提供的将正确启动对应的有效retry参数保存在预设存储区域的流程图；图6是本申请实施例提供的根据存储芯片的容量确定若干笔待读取数据的流程图；图7是本申请实施例提供的根据设定阈值直接确定目标retry参数的流程图。
具体实施方式
[0021]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0022]存储芯片或者装有存储芯片的存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储芯片加速启动方法，其特征在于，包括：当接收到启动指令，读取存储芯片的寿命信息，所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数；当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数小于擦写次数阈值，选取所述存储芯片中若干笔待读取数据，针对选取所述待读取数据，通过不同retry参数进行read retry，并统计不同retry参数下所述待读取数据被正确读取的笔数；将所述待读取数据被正确读取的笔数最多的retry参数作为目标retry参数；以所述目标retry参数开始执行default read操作。2.根据权利要求1所述的加速启动方法，其特征在于，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：保存所述目标retry参数在预设存储区域。3.根据权利要求2所述的加速启动方法，其特征在于，还包括：当接收到启动指令，检查所述预设存储区域中是否存储有所述目标retry参数；若有，以所述目标retry参数执行default read操作。4.根据权利要求2所述的加速启动方法，其特征在于，还包括：在所述存储芯片的运行过程中，监控所述存储芯片的寿命信息；当所述寿命信息表征所述存储芯片的擦写次数大于所述擦写次数阈值，清除所述目标retry参数。5.根据权利要求2所述的加速启动方法，其特征在于，在以所述目标retry参数开始执行default read操作之后，所述加速启动方法还包括：记...

【专利技术属性】
技术研发人员：周坤，曾裕，赖鼐，龚晖，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：