【技术实现步骤摘要】
包括非易失性存储器的存储器存储设备和电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0183267的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
[0003]本公开涉及一种包括非易失性存储器的存储器存储设备(memory storage device)和电子设备。具体地,本公开涉及一种被配置为执行垃圾收集的存储器存储设备和电子设备。
技术介绍
[0004]半导体存储器件包括易失性存储器件和非易失性存储器件。虽然易失性存储器件通常可以具有高读取和写入速度,但是易失性存储器件在电源关断时会丢失所存储的内容。相比之下,因为非易失性存储器件即使在电源关断时也保留所存储的内容,所以非易失性存储器件用于存储不管是否供应电源都要保留的内容。
[0005]例如,易失性存储器件包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件即使在电源关断时也保留所存储的内容。例如,非易失性存储器件包括ROM(只读存储器)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存可以分为或非(NOR)型闪存或与非(NAND)型闪存。
[0006]具体地,闪存器件的优点可以在于:与一般 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器存储设备,包括:非易失性存储器,所述非易失性存储器包括多个存储块;以及存储器控制器,所述存储器控制器被配置为控制所述非易失性存储器,其中,所述存储器控制器还被配置为向所述非易失性存储器提供包括写入数据的主机数据,其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块的空闲块计数小于第一阈值时,对所述多个存储块执行垃圾收集操作以向所述非易失性存储器提供垃圾收集数据,并且其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块的所述空闲块计数大于比所述第一阈值小的第二阈值并且所述多个存储块之中的第一存储块的有效页计数小于第三阈值时,增加用于提供所述主机数据的容量。2.根据权利要求1所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块之中的与所述第一存储块不同的第二存储块的有效页计数等于或大于所述第三阈值时,减小用于提供所述主机数据的容量。3.根据权利要求2所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块的所述空闲块计数等于或大于所述第一阈值时,不对所述多个存储块执行所述垃圾收集操作并且不向所述非易失性存储器提供所述垃圾收集数据。4.根据权利要求2所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块之中的与所述第一存储块不同的所述第二存储块的所述有效页计数等于或大于所述第三阈值时,增加用于提供所述垃圾收集数据的容量。5.根据权利要求1所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块的所述空闲块计数等于或小于所述第二阈值时,减小用于提供所述主机数据的容量。6.根据权利要求1所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块之中的所述第一存储块的所述有效页计数小于所述第三阈值时,减小用于提供所述垃圾收集数据的容量。7.根据权利要求1所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为:增加用于提供所述主机数据的容量与用于提供所述垃圾收集数据的容量的比率。8.根据权利要求1所述的存储器存储设备,其中,所述存储器控制器还被配置为存储包括关于所述写入数据的信息的元数据,并且其中,所述元数据被配置为包括所述多个存储块之中的其中存储有所述写入数据的存储块的有效页计数和所述多个存储块的所述空闲块计数。9.根据权利要求1所述的存储器存储设备,其中,所述非易失性存储器还被配置为响应于接收到所述主机数据而将所述写入数据编程在所述多个存储块中,并且被配置为响应于接收到所述垃圾收集数据而生成空闲块。10.一种存储器存储设备,包括:非易失性存储器,所述非易失性存储器包括多个存储块;以及存储器控制器,所述存储器控制器包括连接到所述非易失性存储器的存储器接口,其中,所述存储器控制器被配置为向所述存储器接口提供包括写入数据的主机数据,
其中,所述存储器控制器还被配置为:当所述多个存储块的空闲块计数小于第一阈值时向所述存储器接口提供垃圾收集数据,其中,所述存储器接口被配置为向所述非易失性存储器提供所述主机数据和所述垃圾收集数据中的一者或两者,其中,所述存储器接口还被配置为:当所述多个存储块之中的第一存储块的有效页计数小于第三阈值时,不控制用于提供所述主机数据的容量与用于提供所述垃圾收集数据的容量的比率,并且其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘善美,李荣息,金贞银,金慧珠,黄素淡,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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