本发明提供了一种沟道缩减型晶体管的制备方法，包括：在衬底上沉积沟道层；在沟道层中刻蚀凹槽；在沟道层上沉积势垒层，所述势垒层沉积在沟道层的上表面以及凹槽的底部和侧壁；在势垒层上方依次形成源极、漏极和栅极。本申请通过在沟道层中设置凹槽，使得...

本发明涉及一种源瓶送气系统及源瓶送气系统保护方法，涉及半导体技术领域。本发明的源瓶送气系统包括源瓶、进气管路以及出气管路；所述源瓶用于存放待使用物料；所述进气管路与所述源瓶相连，所述进气管路上设有进气安全旁路；所述出气管路与所述源瓶相连...

本发明公开了一种空压机热回收控制系统及方法，其系统包括冷却水管道、冷却塔、换热器、热回收总管和控制器，冷却塔的进水总管与冷却水管道的进水管路之间设有冷却旁通管路，冷却旁通管路上安装有第三调节阀，冷却塔与换热器之间设有第一温度传感器，热回...

本发明提供了一种晶圆盒状态检测装置、天车系统及天车运输方法，晶圆盒包括可拆卸连接的外壳和底座，以底座与外壳互锁后底座的底面为基准面，装置包括安装在天车上的第一检测组件和第二检测组件；天车具有容纳晶圆盒的容纳腔，天车包括控制器，第一检测组...

本发明公开了一种基于晶圆测试的针压控制方法及装置。其中，该方法包括：获取晶圆的翘曲信息；获取晶圆由初始位置移动至接触到探针的标准行程；获取探针的第一长度变化量和第二长度变化量；根据标准行程、翘曲信息、第一长度变化量及第二长度变化量确定晶...

本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀设备中聚焦环的高度调节方法、装置及刻蚀设备。高度调节方法包括：判断所述刻蚀设备当前的工作状态，若处于传片阶段，则执行高度调节程序，若处于刻蚀阶段，则不执行高度调节程序；高度调节程序包括...

本发明提供了一种实体测绘方法及厂房平面测绘方法，包括：选定待测目标的主基准点；将镭射水平仪放置在主基准点上，使得镭射光线与主基准点重合，第一镭射光幕与待测目标的其中一个墙面重合，第二镭射光幕垂直于第一镭射光幕；沿着第一镭射光幕和第二镭射...

本申请公开了一种去边方法、晶圆、电子设备及可读存储介质。所述方法包括：获取待去边晶圆；待去边晶圆包括边缘区域；待去边晶圆的上表面制备有光刻胶层；确定边缘区域的第一尺寸；根据第一尺寸确定掩膜版的第一透光区；在光刻机中利用掩膜版对待去边晶圆...

本申请涉及一种焊接治具，焊接治具包括底板限位工装和基板限位工装，所述底板限位工装具有底板限位部，所述底板限位部至少限制底板在水平方向的移动；所述基板限位工装可拆卸地设于所述底板限位部且适于设在所述底板上方，所述基板限位工装具有基板限位部...

本发明提供了一种化学气相沉积设备和化学气相沉积设备的制作方法，该化学气相沉积设备包括：腔室，用于进行化学气相沉积；氧化层，位于腔室的内壁的表面上；介质层，位于氧化层远离内壁的一侧的表面上，其中，介质层的材料为氮化物。该化学气相沉积设备中...

本发明提供了一种天车检测装置，包括：检测模块，所述检测模块设置在天车抓取装置上用以检测晶圆盒的底盘关闭状态；控制装置，所述控制装置分别与所述检测模块以及天车制动装置连接；所述天车抓取装置抓取到晶圆盒的外壳体后开始上升，当所述检测模块检测...

本发明公开了一种CVD设备的校准方法及CVD设备、存储介质、电子设备。其中，该方法包括获取化学气相沉积CVD设备上水平感知器采集的目标电容值，其中，CVD设备包括载片台和喷淋头，水平感知器嵌入在载片台上，水平感知器与电容器连接，电容器的...

本申请提供了一种充电状态的展示电路，涉及充电器技术领域，充电状态的展示电路包括：控制子电路、开关子电路、发光装置，通过控制子电路采集第一电源向第二电源充电的充电电流值，并根据充电电流值，生成控制信号，然后开关子电路根据控制信号，控制发光...

本发明提供了碳化硅晶圆退火工艺的温度监控片、方法及装置，该温度监控片设有至少一个容纳腔；任意一容纳腔包括有第一子容纳腔和第二子容纳，第一子容纳腔与第二子容纳腔连通，且第一子容纳腔的水平高度高于第二子容纳腔的水平高度；温度监控片中有至少一...

本发明实施例提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，所述功率器件包括源极(1)、二氧化硅(2)、漏极(3)、势垒层(4)和栅极(5)，其中，所述势垒层(4)为弧形结构，所述势垒层(4)上的所述源极(1)与所述漏极(3)之间通过所述二氧化...

本发明公开一种定位治具。该定位治具包括：定位底座和定位盖板以及顶升机构，所述定位底座用于放置基板，所述定位盖板盖设在所述定位底座上，所述基板位于所述定位盖板与所述定位底座之间；其中，所述顶升机构包括驱动部和顶升部，所述驱动部与所述顶升部...

本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、外延层、栅极结构、第一掺杂结构以及第二掺杂结构；第一掺杂结构包括第一掺杂部、第二掺杂部以及第三掺杂部，第二掺杂部和第三掺杂部分别位于第一掺杂部远离衬底的一侧，在第一方向上第二掺杂部位于第三掺杂部远...

本申请提供了一种沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法，该沟槽型碳化硅功率器件包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上；第二外延层，位于第一外延层的表面上；第三外延层，位于第二外延层的表面上，第三外延层与第二外延层的掺杂类型相同且不同于第一外...

本发明提供了一种碳化硅晶圆快速热退火用导热载具，包括：基板，基板为两个，两个基板相对地设置；连接结构，连接结构设置于两个基板之间，连接结构的两端分别与两个基板连接，连接结构和两个基板之间形成用于容纳碳化硅晶圆的容纳空间，至少部分的连接结...

本申请提供了一种VDMOS终端结构和半导体器件，该VDMOS终端结构包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上；第二外延层，位于第一外延层的远离衬底的表面上，第一外延层与第二外延层的掺杂类型不同；沿预定方向间隔设置的多个第一沟槽，各第一沟...