【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及功率器件，特别是涉及一种功率器件和一种功率器件的制备方法。
技术介绍
1、第三代半导体材料氮化镓(gan)具有电子饱和速率高、禁带宽度可调、击穿场强高、耐腐蚀、抗辐射等优点，已经被广泛的应用于功率快充、固态照明等领域。氮化镓高电子迁移率晶体管(hemt，high electron mobility transistor)，也可以称为gan基hemt器件，是目前氮化镓电子器件的主要结构。gan基hemt器件工作原理为algan势垒层和gan沟道层的自发极化和压电极化的不连续性，在界面存在大量的剩余极化电荷进而形成电子的势阱极从而形成高浓度的二维电子气。若gan基hemt器件在势垒没有掺杂和栅极偏压的情况下，沟道界面层中存在高浓度的二维电子气，所以一般情况下gan基hemt器件是一种常开型器件，由于gan基hemt器件电子迁移率高、二维电子气浓度大可以极大提高电子器件的工作频率和功率，为了实现高压的功率器件，二维电子气层的长度往往需要做的很长，防止源极和漏极之间的被击穿，例如650v(伏特)器件的自由电子层长度需要做到18μm(微米)，gan基hemt器件的横向尺寸非常的大，导致单个gan基hemt器件的制备的成本大。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种功率器件，以解决现有技术中降低gan基hemt器件等功率器件的横向尺寸，从而解决功率器件的横向尺寸非常的大，导致单个功率器件的制备的成本大的问题。
2、相应的，本专利技术实施例还提供了一种功率器
3、可选地，所述势垒层4在依次沉积的弧形结构的基底6、缓冲层7和沟道层8上沉积形成。
4、可选地，在制备源极1和漏极3之间的位置处刻蚀所述势垒层4形成刻蚀区域9，并在所述刻蚀区域9沉积所述二氧化硅2。
5、可选地，所述势垒层4上连接有源极1和漏极，所述势垒层4上包括p型氮化镓薄膜层10，所述p型氮化镓薄膜层10上包括对光刻胶掩膜11刻蚀得到p型氮化镓层12，在所述p型氮化镓层12上连接有栅极5。
6、可选地，还包括介质层13，所述介质层13覆盖所述p型氮化镓层12和所述势垒层4。
7、本专利技术实施例还公开了一种功率器件的制备方法，所述方法包括：
8、形成源极、漏极、势垒层和栅极；其中，所述势垒层为弧形结构；
9、在所述势垒层的所述源极与所述漏极之间沉积二氧化硅，以使所述源极与所述漏极之间通过所述二氧化硅相连。
10、可选地，所述方法还包括：
11、在弧形结构的基底上依次沉积缓冲层、沟道层和势垒层。
12、可选地，所述方法还包括：
13、在制备源极和漏极之间的位置处刻蚀所述势垒层形成刻蚀区域，并在所述刻蚀区域沉积所述二氧化硅。
14、可选地，所述方法还包括：
15、在所述势垒层上生成p型氮化镓薄膜层；
16、在所述p型氮化镓薄膜层上制备光刻胶掩膜；
17、对所述光刻胶掩膜进行刻蚀得到p型氮化镓层；
18、在所述势垒层上制备所述源极和所述漏极，以及在所述p型氮化镓层上制备所述栅极。
19、可选地，所述方法还包括：
20、在所述p型氮化镓层和势垒层上生成介质层。
21、本专利技术实施例包括以下优点：
22、在本专利技术实施例中，功率器件包括源极1、二氧化硅2、漏极3、势垒层4和栅极5，其中，势垒层4为弧形结构，势垒层4上的源极1与漏极3之间通过二氧化硅2相连，从而提升源极1和漏极3之间击穿电压，使得在相同的击穿电压的情况下，缩减了势垒层4的二维电子气的长度，进而缩减功率器件的横向尺寸，可以降低功率器件的制备成本。
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1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括源极(1)、二氧化硅(2)、漏极(3)、势垒层(4)和栅极(5)，其中，所述势垒层(4)为弧形结构，所述势垒层(4)上的所述源极(1)与所述漏极(3)之间通过所述二氧化硅(2)相连。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述势垒层(4)在依次沉积的弧形结构的基底(6)、缓冲层(7)和沟道层(8)上沉积形成。
3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，在制备源极(1)和漏极(3)之间的位置处刻蚀所述势垒层(4)形成刻蚀区域9，并在所述刻蚀区域9沉积所述二氧化硅(2)。
4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述势垒层(4)上连接有源极(1)和漏极(3)，所述势垒层(4)上包括p型氮化镓薄膜层(10)，所述p型氮化镓薄膜层(10)上包括对光刻胶掩膜(11)刻蚀得到p型氮化镓层(12)，在所述p型氮化镓层(12)上连接有栅极(5)。
5.根据权利要求4所述的功率器件，其特征在于，还包括介质层(13)，所述介质层(13)覆盖所述p型氮化镓层(12)和所述势垒层(4)。>
6.一种功率器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括源极(1)、二氧化硅(2)、漏极(3)、势垒层(4)和栅极(5)，其中，所述势垒层(4)为弧形结构，所述势垒层(4)上的所述源极(1)与所述漏极(3)之间通过所述二氧化硅(2)相连。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述势垒层(4)在依次沉积的弧形结构的基底(6)、缓冲层(7)和沟道层(8)上沉积形成。
3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，在制备源极(1)和漏极(3)之间的位置处刻蚀所述势垒层(4)形成刻蚀区域9，并在所述刻蚀区域9沉积所述二氧化硅(2)。
4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述势垒层(4)上连接有源极(1)和漏极(3)，所述势垒层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟泳生，陈慧，周璇，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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