【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体功率器件，具体而言，涉及一种vdmos(verticaldouble-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)终端结构和半导体器件。
技术介绍
1、sic mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，简称为mos，金属氧化物半导体场效应晶体管)以耐高压高温、高频率、低功率损耗、高开关速度等优势被广泛的应用于新能源汽车、交通轨道、光伏等风口产业。sic mosfet根据其栅极结构可分为平面型mosfet(如double-diffused mosfet，双扩散mosfet，简称为dmosfet)与沟槽型mosfet(trench mosfet)。相较于dmosfet，sic trench mosfet具有更小导通电阻、更高功率密度等优势。
2、功率器件的最重要性能就是阻断高压，器件经过设计可以在pn结，金属-半导体接触，mos界...
【技术保护点】
1.一种VDMOS终端结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的VDMOS终端结构，其特征在于，所述VDMOS终端结构还包括：
3.根据权利要求2所述的VDMOS终端结构，其特征在于，在所述预定方向上多个所述第一注入区的掺杂浓度逐渐减小。
4.根据权利要求2所述的VDMOS终端结构，其特征在于，在所述预定方向上多个所述第一注入区的宽度逐渐减小，所述宽度为所述第一注入区在所述预定方向上两个相对的边缘之间的距离。
5.根据权利要求2所述的VDMOS终端结构，其特征在于，所述VDMOS终端结构还包括：
6....
【技术特征摘要】
1.一种vdmos终端结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的vdmos终端结构，其特征在于，所述vdmos终端结构还包括：
3.根据权利要求2所述的vdmos终端结构，其特征在于，在所述预定方向上多个所述第一注入区的掺杂浓度逐渐减小。
4.根据权利要求2所述的vdmos终端结构，其特征在于，在所述预定方向上多个所述第一注入区的宽度逐渐减小，所述宽度为所述第一注入区在所述预定方向上两个相对的边缘之间的距离。
5.根据权利要求2所述的vdmos终端结构，其特征在于，所述vdmos终端结构还包括：
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯尹，张鹏，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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