半导体器件、芯片及其封装以及光计算设备制造技术

本技术提供了一种半导体器件、芯片及其封装以及光计算设备。该半导体器件包括：包括：第一臂以及第二臂，所述第一臂及所述第二臂均包括调制结构，所述调制结构包括：第一半导体层、第二半导体层；中间层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一重叠区内；其中，所述中间层包括至少一层第一子层以及至少一层第二子层，所述第一子层及第二子层交替层叠，所述第一子层包括氧化硅材料，所述第二子层包括介电常数大于所述第一子层中氧化硅材料的材料。通过设置第一臂以及第二臂，各自设置调制结构，以及第一子层及第二子层交替层叠，设置合适的折射率、相对厚度，进一步提高调制效率以及光计算设备的效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，更为具体而言，涉及一种半导体器件、芯片及其封装以及光计算设备。

技术介绍

1、近年来，利用光进行矩阵计算引起广泛关注，其可用于人工智能算法中，提高计算效率。

2、为了对光操作的器件的小型化，对无源器件(例如基于硅的波导，光耦合器和波长滤波器)进行了非常广泛的研究。cmos兼容的光子集成电路为短距离光链路提供了一种低成本且有前途的解决方案，其中的关键器件是光调制器。然而，基于硅的热光效应改变折射率而制造而成的调制器，调制效率较低。

技术实现思路

1、本技术提供了一种半导体器件、光计算设备，用于优化半导体器件对光的调制性能，提高光计算设备的计算效率。

2、在一个示例性的实施方式中，本技术提出了一种半导体器件，其特征在于，包括：

3、第一臂以及第二臂，所述第一臂及所述第二臂均包括调制结构，所述调制结构包括：

4、第一半导体层、第二半导体层；

5、中间层，设置于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一重叠区内；>

6、其中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体层、所述第二半导体层的导电类型相反。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的介电层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第一波导以及第二波导，其中，所述第一臂连接至所述第一波导，所述第二臂连接至所述第二波导。

6.一种芯片，包括如权利要求1所述的半导体器件。

7.如权利要求6所述的芯片，包括光矩阵计...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体层、所述第二半导体层的导电类型相反。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的介电层。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括第一波导以及第二波...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏艳飞，沈亦晨，
申请(专利权)人：北京光智元科技有限公司，
类型：新型
国别省市：