【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装，更为具体而言，涉及半导体封装结构及其散热装置。
技术介绍
1、对于大功率传输芯片，由于单个器件频率很高，导致其功耗很高。由于高功耗，在很小范围产生很多的热，导致芯片局部温度过高，俗称“热点（hot spot）”。由于芯片硅基底导热率不够，热量没法立马散开，从而形成这些热点。
2、针对上述热点现象，现有技术通常是通过优化系统的散热机构，包括散热器、风扇、热界面材料等等，来降低整个系统温度，从而为热点提供足够多的温度裕量。
3、但是，现有技术这种通过优化其他结构降低热点温度的方法，存在其他结构不一定可以优化到需求之内的缺陷。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供了一种利用硅通孔（through-silicon via，tsv）进行散热的半导体封装结构和散热装置。
2、一方面，本技术的实施方式提供的一种半导体封装结构包括：
3、硅基底，其具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；
4、发热器件，其设置于所述硅基底...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热机构包括：
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔与所述发热器件在所述硅基底的所述第一表面或第二表面的投影重叠。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔的横向尺寸大于所述发热器件的横向尺寸。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔与所述发热器件的距离是20nm-500nm。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的半导体封装结构，其特...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热机构包括：
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔与所述发热器件在所述硅基底的所述第一表面或第二表面的投影重叠。
4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔的横向尺寸大于所述发热器件的横向尺寸。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔与所述发热器件的距离是20nm-500nm。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括位于所述硅基底的所述第一表面下方的绝缘层。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔的导热率大于所述硅基底和所述绝缘层的导热率。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述硅通孔采用铜材料填充。
9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，在所述绝缘层中设有与所述发...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟怀宇，沈亦晨，薛志全，
申请(专利权)人：北京光智元科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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