【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法。
技术介绍
1、sic mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)以耐高压高温、高频率、低功率损耗以及高开关速度等优势被广泛的应用于新能源汽车、交通轨道以及光伏等风口产业。sic mosfet根据其栅极结构可分为平面型mosfet(dmosfet)与沟槽型mosfet(trench mosfet)。相较于dmosfet，trenchmosfet具有更小导通电阻、更高功率密度等优势。然而，trench mosfet的栅极沟槽底部电场集中，高电场产生空穴和电子对，影响器件的可靠性。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法，以至少解决现有技术中沟槽栅sic mos器件由于沟槽底部电场集中，可靠性较差的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种沟槽型碳化硅功...
【技术保护点】
1.一种沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述源区包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述沟槽为U型结构，所述第一底部为平面结构，所述第一注入区完全包裹所述第一底部。
4.根据权利要求3所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述第二外延层和所述第三外延层的总厚度与所述沟槽的深度相同。
5.根据权利要求3所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述沟槽型碳化硅功率器件还包括：
6.根据权利要求2所述的沟槽型碳化硅功...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述源区包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述沟槽为u型结构，所述第一底部为平面结构，所述第一注入区完全包裹所述第一底部。
4.根据权利要求3所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述第二外延层和所述第三外延层的总厚度与所述沟槽的深度相同。
5.根据权利要求3所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述沟槽型碳化硅功率器件还包括：
6.根据权利要求2所述的沟槽型碳化硅功率器件，其特征在于，所述沟槽为t型结构，所述第一底部包括第三侧壁、与第三侧壁相对设置的第四侧壁和第二底部，所述第一侧壁通过所述第三侧壁与所述第二底部连...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，冯尹，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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