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本申请提供了一种沟槽型碳化硅功率器件及其制作方法，该沟槽型碳化硅功率器件包括：衬底；第一外延层，位于衬底的表面上；第二外延层，位于第一外延层的表面上；第三外延层，位于第二外延层的表面上，第三外延层与第二外延层的掺杂类型相同且不同于第一外延层...
该专利属于珠海格力电子元器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电子元器件有限公司授权不得商用。

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