本实用新型涉及基于ＳＯＩ材料的光子晶体分束器，包括一ＳＯＩ材料衬底，在ＳＯＩ衬底刻蚀产生硅柱，该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列，硅柱高度为ＳＯＩ顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导；输入波导夹在...

本实用新型一种光波导器件端面抛光装置，其中包括：一外套筒，该外套筒为柱体且中空，在两端有法兰；一内套筒，该内套筒为圆柱梯形，有一大径端和一小径端，大径端为法兰，在小径端从其根部向另一端以８度角加工有多个斜面，中间有一通孔，该内套筒插置在...

本实用新型公开了一种金属化光纤，在光纤表面先镀覆一层附接夹层（铬），再镀铜层以及锡层，这样的金属化光纤具有优良的机械与电学性能，并有可焊性好以及成本低廉等优点。

一种同轴半导体发光器件的耦合方法，其是将光纤和透镜同轴分别安装在一个壁厚分两段的偏心第一圆筒的上下两端中，第一圆筒放入另一也分上下两部分的同心／偏心第二圆筒中，第二圆筒的上部同心；下部偏心，其偏心距和第一圆筒的偏心距相等，发光器件装入第...

一种电吸收调制器的光纤对准耦合方法，其特征在于调制器两端分别对准，调整调制器一端的锥形透镜光纤，使调制电流达到最大值，以相同的方法调整调制器另一端的光纤，也使调制电流达到最大值。通过对串联电阻的电压监控，可以探测到光电流的强弱，光纤与调...

一种新型平面型ＤＦＢ内光栅耦合结构制作方法，包括：在衬底１上的ＩｎＰ或ＧａＡｓ外延结构层上生长一层介质膜７；在介质膜上刻制出亚微米周期性介质掩膜光栅图形；以这种周期性介质为掩体，向外延结构层表面选择注入离子源或选择扩散杂质源，在介质栅格...

一种阵列波导光栅与光纤阵列一体化的结构，该结构包括一个阵列波导光栅及与阵列波导光栅输入、输出波导阵列对准耦合的输入和输出光纤阵列，阵列波导光栅与光纤阵列集成在同一片硅衬底上，所述阵列波导光栅的输入／输出波导与光纤阵列采用自对准方法直接进...

一种微柱面透镜同光纤的实用化装配方法，其包括如下步骤：１）首先用光纤切割刀切割出端面平整呈镜面的光纤备用；２）在Ｌ形支架上，用精密机械加工的方法刻出等间距的Ｖ形槽；３）Ｖ形槽刻制完成后，将端面切割好的光纤逐个嵌入Ｖ形槽中，上面再加盖上盖...

一种具有中心自对准功能的光纤微透镜加工方法，其步骤如下：１）首先将光纤穿过回旋夹具的中心微孔并夹持牢固；２）旋转回旋夹具的电机通过皮带环或齿轮带动回旋夹具旋转；３）在光纤的端头附近悬挂有一个铅锤，光纤穿过铅锤的中心微孔，使光纤端头露出一...

一种光纤束线列阵的制作方法，其中包括如下步骤：１）制作一光纤嵌入基板，该光纤嵌入基板为矩形且中间为一矩形方孔，在光纤嵌入基板的上面开有数个用于固定光纤的光纤定位槽；２）制作一盖板，该盖板与光纤嵌入基板的形状相同；３）将光纤依序放入光纤嵌...

一种光纤耦合用多根输出光纤头，包括：一前内抓头，分为大径端和小径端，在大径端处有螺纹，在小径端的根部有螺纹，中间有通孔，用于固定光纤的芯部；一前固定头，分为粗端和细端，中间有通孔，在通孔的粗端处有内螺纹，该前内抓头插入在前固定头的通孔中...

一种半导体激光器安装对准的方法，包括如下步骤：把烧结上激光器管芯的ＴＯ管壳固定在支架上，ＴＯ管壳的底平面贴紧支架以保证ＴＯ管壳的中心轴方向为ｙ方向；用一支准直的可见光激光器以与ｙ方向成θ角的方向，照射在半导体激光器芯片的晶体自然解理面（...

一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下保证：　　　　（１）在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅；　　　　（２）在多孔硅层上用火焰水解法生成一层高掺杂的二氧化硅粉末；　　　　（３）对材料进行高温退火，退火后得到折射率渐变...

一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　（１）在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；　　　　（２）用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波...

一种硅基高量子效率共振腔增强型探测器，其特征在于，其结构包括：　　　　一个硅基片；　　　　一个探测器的有源区部分；　　　　一第一反射镜；　　　　一第二反射镜，该两个反射镜把探测器的有源区部分夹在中间，构成探测器的共振腔；　　　　一个键合...

一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下步骤：１）在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅，腐蚀液中加入适量磷酸；２）对材料进行高温氧化或高温掺杂氧化，使多孔硅层氧化为高折射率的二氧化硅层；３）通过掩膜光刻和干法刻蚀等工艺，...

一种基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法，其特征在于，采取以下步骤：（１）按器件参数设计好版图后，在需要深刻蚀的区域空隙中添加额外图形，减少需要深刻蚀区域的被刻蚀面积，加大需要深刻蚀区域与需要浅刻蚀区域被刻蚀面积大小的差别和布...

一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；（２）高温热氧化形成约１５μｍ厚的下包层和侧向包层；（３）在波导芯区空间用等离子增强化学气相沉积法或火...

一种用于实现光波导器件耦合封装的方法，包括如下步骤：在二氧化硅衬底上刻蚀一光波导光栅，光波导光栅的输入与输出在同一端，使光波导光栅的输入端与输出端等间距均匀排列；在二氧化硅衬底上光波导光栅的外围刻蚀一分支波导，分支波导的两输出端口与光波...

一种在紫外写入二氧化硅波导上制备布拉格光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）在硅衬底或二氧化硅衬底上依次形成下包层，波导层和上包层；（２）通过紫外写入法在波导层中形成波导；（３）对紫外写入波导进行载氢；（４）然后在波导上写入布拉格...