专利查询
首页
专利评估
登录
注册
中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
一种弯曲辅助型的高效电光调制器制造技术
一种弯曲辅助型的高效电光调制器,包括依次相光滑连接的一输入波导、一调制波导及一输出波导,其特征在于,其中所述的调制波导为弯曲结构,其是利用材料的等离子色散效应实现光场的强度调制。适用于光通讯系统中的光电集成、光信号处理等领域。
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法技术
一种基于光子晶体的自准直光束的分束器,其特征在于,包括:一衬底;一介质材料层,该介质材料层制作在衬底上,该介质材料层是二维周期性排列的介质柱子阵列、或金属柱子阵列构成光子晶体;在柱子阵列构成的光子晶体内的一夹角方向引入线缺陷。
一种非对称马赫泽德干涉仪及其设计方法技术
本发明涉及光通讯系统中的光交叉互联、光信号处理技术领域,特别是一种非对称马赫泽德干涉仪及其设计方法。该结构所包含两个调制臂的结构参数非完全一致,由于两者的非一致使得两臂之间存在光程差。通过调节两臂的截面尺寸、长度、折射率分布等参数,可在...
砷化镓/空气型可调谐滤波器及制作方法技术
一种砷化镓/空气型可调谐滤波器,其特征在于,包括:一衬底,该衬底为砷化镓衬底;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一下分布布拉格反射镜,该下布拉格反射镜制作在缓冲层上,是滤波器的下反射镜;一空气腔,该空气腔制作在下布拉格反射镜上,用于可调谐...
砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器及制作方法技术
一种砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器,其特征在于,该结构包括:一衬底,该衬底为砷化镓衬底;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上;一下分布布拉格反射镜,该下布拉格反射镜制作在缓冲层上,是滤波器的下反射镜;一空气腔,该空气腔制作在下布拉格反射镜上,用...
一种硅基电光材料制造技术
本发明公开了一种硅基电光材料,该硅基电光材料是一种多周期结构的量子阱或超晶格材料,所述量子阱或超晶格材料的每个周期结构至少包括三个组分彼此不同的层,所述每个层含有硅或者硅和至少一种除硅以外的其它Ⅳ族元素。本发明提供的这种硅基电光材料,在...
可改变工作波长且无光线偏移的滤光器及其使用方法技术
一种可改变工作波长且无光线偏移的滤光器,其特征在于,该结构包括: 一底板; 一第一旋转台,该第一旋转台安装在底板上面一侧的上方,可以自由转动; 一第二旋转台,该第二旋转台安装在底板上面另一侧的上方,可以自由转动; ...
高分辨率波长解调系统及其解调方法技术方案
一种高分辨率波长解调系统,包括:一波长调制型传感器;一第一1×2耦合器的输入端与波长调制型传感器的输出端相连接;一第二1×2耦合器的输入端与第一1×2耦合器的输出端相连接;一相位调制器的输入端与第一1×2耦合器的输出端相连接,该相位调制...
行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法技术
一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法,包括:在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层、n-1.2Q四元层、n-铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层;生长刻蚀出氧化硅掩膜保护电吸收调制器区,磷离子注入,退火,去...
光纤转接器结构制造技术
一种用于光纤转接的光纤转接器结构,其中包括:一透镜组外壳,该透镜组外壳为一筒状,该透镜组外壳内径有一大径端和一小径端,在透镜组外壳小径端的输出端处有外螺纹;一透镜组,该透镜组置于透镜组外壳大径端的内径中,该透镜组的直径大于透镜组外壳小径...
改变陷波滤波器工作波长和延长寿命的结构制造技术
一种改变陷波滤波器工作波长和延长其使用寿命的结构及其使用方法,该结构包括底板、陷波滤波器、光学晶片组、晶片固定器和转动装置。将转动装置安放在底板上,用晶片固定器固定陷波滤波器和与之匹配的光学晶片组,并将它们安装在设计的转动装置上,通过转...
可调谐激光滤光器制造技术
一种可调谐激光滤光器,其特征在于,该滤光器包括:一底板;一平面光栅,该平面光栅置于底板上;一平面光栅转动装置,该平面光栅转动装置置于底板上、平面光栅的下方并控制平面光栅转动的角度;一反射镜,该反射镜置于底板上、平面光栅的上方;一入口狭缝...
多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法技术
一种多层金属间氧化物脊形波导结构,包括:一硅衬底;一氧化隔离层位于衬底和阱上,用于隔离不同的电子器件;一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上;第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上,作为波导下包层;第一层氧化层制作在第一层金属上;第二...
吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法技术
一种吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法,包括如下步骤:在外延衬底上大面积沉积一层氧化物介质薄膜;再在外延片上涂一层光刻胶;曝光并显影,得到氧化物介质的布拉格光栅掩模;对半导体化合物进行刻蚀,在外延片上得到布拉格光栅;去掉外延片上...
绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及制作方法技术
本发明一种绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构,其特征在于,包括:一SOI结构,该SOI结构包括依次生长的硅衬底、SiO↓[2]埋层、顶层硅;该SOI结构上有一凹槽,该凹槽位于硅衬底、SiO↓[2]埋层、顶层硅上。本发明由于各向异性湿法...
单片平行平板镜光束整形器及其制作方法技术
本发明一种单片平行平板镜光束整形器,其特征在于,包括:一平行平板镜,该平行平板镜为矩形;一第一反射膜,该第一反射膜制作在平行平板镜正面的一侧面上;形成光束反射区;一第二反射膜,该第二反射膜制作在平行平板镜背面的与第一反射膜方向相差90度...
采用非平面工艺制备硅线波导的方法技术
本发明是一种采用非平面工艺制备硅线波导的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在绝缘层上硅(SOI)衬底先进行感应耦合等离子刻蚀,预刻蚀出硅线条,硅线条宽度在2μm到3.5μm之间,高度在1.1μm到2μm之间;2)高温热氧化形成1.8μ...
基于光纤阵列的2×2机械式光开关制造技术
一种基于光纤列阵的2×2机械式光开关,包括:一基底具有一个凹槽,两侧为两翼;一第一光纤阵列固定在两翼的一侧,在第一光纤阵列中插入有光纤;一第二光纤阵列,第二光纤阵列位于两翼的另一侧,第二光纤阵列中依次插入有光纤;第二光纤阵列的奇数为第一...
具有倾斜输出光波导的Y分支波导器件制造技术
本发明公开了一种具有倾斜输出光波导的Y分支波导器件,用于在光传输系统中光信号的分束或合束,该Y分支波导器件由分支波导(1)、合束波导(2)、过渡波导(3)和斜直波导(4)构成。利用本发明,采用由折线构成的分支波导和改进型的合束波导结构和...
一种全内反射半导体光波导开关制造技术
本实用新型公开了一种交叉型全内反射半导体光波导开关中的PIN结的结构,它在由半导体基底支撑的光波导I层上外延生长型号与基底材料相反的异型外延层,形成全部外延的PIN结的结构,并在异型外延层与光波导I层周边设置高电阻率的限定条框,这种结构...
首页
<<
285
286
287
288
289
290
291
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68153
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
金华市博德五金科技有限公司
28
上海达梦数据库有限公司
361
山东新竹智能科技有限公司
38
江西赣江新区有机硅创新研究院有限公司
22
广东弘捷新能源有限公司
34
印度尼西亚青检技术研究有限公司
17
中国铁塔股份有限公司永川分公司
1
恒基能脉新能源科技有限公司
91
罗姆来格工程有限公司
3
IMEC非营利协会
419