新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法技术

一种新型平面型ＤＦＢ内光栅耦合结构制作方法，包括：在衬底１上的ＩｎＰ或ＧａＡｓ外延结构层上生长一层介质膜７；在介质膜上刻制出亚微米周期性介质掩膜光栅图形；以这种周期性介质为掩体，向外延结构层表面选择注入离子源或选择扩散杂质源，在介质栅格间隙的外延层表面内形成一定深度的离子注入岛区或杂质扩散岛区６；除去介质膜，外延结构层上留下表面平整的周期性注入或扩散区光栅结构，在这层平面光栅上作掩埋外延层５。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制作分布反馈(DFB)内光栅耦合结构的方法，特别涉及一种制作平面型DFB内光栅耦合结构的方法。目前在制作DFB半导体激光二极管和过滤器时，DFB内光栅都是先在InP、GaAs衬底上或在其外延结构层上通过刻蚀的方法刻出周期性布拉格光栅，然后再在光栅上作外延掩埋而形成激光器的内光栅耦合结构(见文献Y.Luo et al，Appl.Phys.Lett.，Vol.55，PP.1606-1608，1989及G.P.Li et al，Electronics Letters，Vol.28，PP.1726-1727，1992和专利PCT/DE96/00837等)。其共同特点是外延掩埋前的表面为凹凸不平的波纹状光栅面。由于光栅的周期只具有亚微米的尺寸，在制作时不管是利用常规湿法化学腐蚀方法、干法/湿法混合刻蚀方法还是利用控制精度很高的反应离子刻蚀方法，刻出的亚微米光栅或是呈正弦波形状或是呈梯形形状或是呈不规则三角形形状。这种凹凸不平的光栅面实际上是具有各种晶向的波纹表面。称其为非平面光栅面。在这种非平面光栅面上利用任何一种外延设备(MOVPE、CVD、MBE、CBE及LPE)进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型平面型ＤＦＢ内光栅耦合结构制作方法，包括步骤：ａ）在衬底１上的ＩｎＰ或ＧａＡｓ外延结构层上生长一层介质膜７；ｂ）在介质膜上刻制出亚微米周期性介质掩膜光栅图形；ｃ）以这种周期性介质为掩体，向外延结构层表面选择注入离子源或选 择扩散杂质源，在介质栅格间隙的外延层表面内形成一定深度的离子注入岛区或杂质扩散岛区６；ｄ）除去介质膜，外延结构层上留下表面平整的周期性注入或扩散区光栅结构。ｅ）在这层平面光栅上作掩埋外延层５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱洪亮，王圩，刘国利，张静媛，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]