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一种新型平面型ＤＦＢ内光栅耦合结构制作方法，包括：在衬底１上的ＩｎＰ或ＧａＡｓ外延结构层上生长一层介质膜７；在介质膜上刻制出亚微米周期性介质掩膜光栅图形；以这种周期性介质为掩体，向外延结构层表面选择注入离子源或选择扩散杂质源，在介质栅格间隙...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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