用于实现光波导材料制备的方法技术

一种用于实现光波导材料制备的方法，其特征在于，包括如下保证：　　　　（１）在硅衬底上用阳极氧化方法生成一层多孔硅；　　　　（２）在多孔硅层上用火焰水解法生成一层高掺杂的二氧化硅粉末；　　　　（３）对材料进行高温退火，退火后得到折射率渐变的平面波导材料；　　　　（４）根据器件设计，刻蚀出所需的波导结构；　　　　（５）根据需要生长上包层结构，整个波导制备完毕。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基二氧化硅光波导材料的制备方法，并将其应用在硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)型等光波导器件的制备。
技术介绍
目前光波导器件的结构通常由三部分组成下包层，芯区和上包层。下包层的制备通常是采用火焰水解(FHD)法或者湿氧氧化法，芯区的制备通常采用FHD法或者等离子增强化学气象沉积(PECVD)法等方法，上包层的制备通常采用FHD法或者PECVD法等方法，波导材料生长工艺非常复杂。因此，一种实现平面波导材料的简便的工艺就显得尤为重要了。目前国际上对光波导材料的下包层及芯区的生长方法主要是采用FHD法、湿氧氧化法、PECVD法等。而用在硅衬底上生长多孔硅层并利用该层作为缓冲层，利用FHD方法在上面沉积一层高掺杂的二氧化硅粉末，再通过高温退火使多孔硅充分氧化并与FHD法形成的二氧化硅相结合，形成折射率渐变波导材料。这种方法在国际上还没有报道。也可以通过在硅衬底上生长多孔硅层并利用该层作为缓冲层，利用FHD方法在上面沉积一层未掺杂的二氧化硅粉末，再通过高温退火使多孔硅充分氧化并与FHD法形成的二氧化硅相结合，形成厚下包层结构。这种方法可以解决FHD法制备厚二氧化硅层时易产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，郜定山，安俊明，李建光，王红杰，胡雄伟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：