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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
以太网数据帧的前向纠错系统、方法及编码、解码装置制造方法及图纸
本发明提供了一种以太网数据帧的前向纠错系统、方法及编码、解码装置,实现了针对以太网数据帧的前向纠错编码和前向纠错解码,提高了数据传输的准确性。另外,本发明将FEC编解码技术与以太网技术融合,并提出利用乒乓操作和FIFO缓存,解决因冗余校...
无衬底GaN基LED单颗晶粒及其制备方法技术
一种无衬底GaN基微晶粉体LED发光二极管,包括:一n型GaN基化合物半导体层;一量子阱或异质结有源层,其制作在n型GaN基化合物半导体层上;一p型GaN基化合物半导体层,其制作在量子阱或异质结有源层上;一P电极,其制作在p型GaN基化...
2×2多模光开关及片上网络制造技术
一种2×2多模光开关及一种片上网络,所述2×2多模光开关包括:第一模式解复用器和第二模式解复用器,分别用于将一多模复用信号转换为多个单模信号;第一模式复用器和第二模式复用器,分别用于将多个单模信号转换为一多模复用信号;N个2×2单模光开...
基于ICA的滤除信号中噪声干扰的采样系统技术方案
本发明提供了一种基于ICA的滤除信号中噪声干扰的采样系统,包括:信号采样处理模块以及用户控制模块,信号采样处理模块其中包括FPGA控制模块,其包括以可配置IP核为核心的ICA处理器;用户控制模块与信号采样处理模块相连接,用于发送命令控制...
可调谐多普勒频移装置及方法制造方法及图纸
一种可调谐多普勒频移装置及方法,该装置包括:第一调制器,其光输入端接收一角频率为ω1的第一激光,其射频输入端接收第一微波信号,用于将所述第一激光调制为角频率为ω2的第二激光并输出;以及第二调制器,其光输入端接收所述第二激光,其射频输入端...
一种杀菌消毒的装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种杀菌消毒的装置包括管道,其管体至其内壁能够透光;光源,嵌入所述管道的管体中,用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射;电源用于给所述光源供电;还包括电源外壳和防水导线,所述电源外壳固定于所述管道的外壁,用于容纳所述电源...
单模GaSb基半导体激光器及其制备方法技术
一种单模GaSb基半导体激光器,包括N型GaSb衬底和外延层,所述外延层包括下波导层、下波导层之上的上波导层,上波导层之上的p型上限制层以及p型上限制层之上的P型上缓冲层,其中,在所述外延层的部分区域从所述p型上缓冲层向下刻蚀,刻蚀深度...
氮化物纳米带的制备方法技术
本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法,包括:刻蚀硅衬底,得到图形化硅衬底;在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层;对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构,进行腐蚀去除图形化硅衬底,得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻...
在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法技术
一种在MOCVD中测量半导体薄膜杂质电离能的无损测量方法,其是通过分析生长过程中薄膜材料光致发光谱谱峰强度随温度变化而变化的光学特征,计算获得待测半导体薄膜的杂质电离能,该测量方法包括如下步骤:在MOCVD装置中安装光致发光谱测试系统;...
一种光波长关联跟踪锁定装置及方法制造方法及图纸
一种光波长关联跟踪锁定装置及方法,该装置包括:可调谐F‑P腔滤波器,用于接收一单色被追踪激光及至少一单色追踪激光并输出;探测装置,用于探测所述可调谐F‑P腔滤波器输出的所述一单色被追踪激光以及至少一单色追踪激光的强度;以及控制装置,基于...
Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池技术
本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括:金属衬底;以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜,具有疏松多孔结构,为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池...
全光触发器制造技术
一种全光触发器,包括:一耦合微腔激光器,由一回音壁型微腔和一法布里‑珀罗腔通过一电隔离槽连接构成,用于发射激光光束;一触发信号输入端,用于输入不同波长的光脉冲信号;一光纤环形器,分别与耦合微腔激光器和触发信号输入端连接,用于将光脉冲信号...
开关电容式ISFET信号读取电路及其控制方法技术
本发明涉及一种开关电容式ISFET(离子敏场效应晶体管)信号读取电路及其控制方法。所述信号读取电路包括离子敏场效应晶体管,放大模块和时序控制模块,所述放大模块至少包括三个开关、两个电容和一个放大器。本发明通过改进传统ISFET信号读取电...
多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法技术
一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法,多波长硅基混合集成slot激光器集成光源包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列,其中,所述硅基波导结构包括:硅基衬底,n条波导通道,设置在所述硅基衬...
一种柔性超表面结构制造技术
本发明公开了一种柔性超表面结构,涉及超材料技术领域。柔性超表面结构由柔性衬底以及该衬底上周期排布的多个亚波长微纳结构重复单元构成,通过特定设计的亚波长微纳结构重复单元在外加应力的情况下,改变亚波长微纳结构中的亮模式和暗模式的相互作用强度...
光刺激及信号采集探针制造技术
一种光刺激及信号采集探针,包括探针基板,所述探针基板包括前端部分和后端部分;所述前端部分呈尖锐结构以植入生物体内,前端部分设置有传感器和发光源;所述后端部分设置有与传感器电性连接的传感器电极、与发光源电性连接的发光源电极以及公共电极。本...
一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器制造技术
本发明公开了一种量子点增强的纳米线以及紫外光电探测器,以具有低暗电流和快响应速度的纳米线作为主体,然后在其表面生长具有高光电导增益的半导体材料的量子点,量子点在整个纳米线的表面均匀分布而且彼此分散,从而得到量子点修饰的纳米线一维异质结构...
基于双目立体视觉的人脸三维重建方法技术
本发明提供了一种基于双目立体视觉的人脸三维重建方法,包括:构建双目立体视觉系统,其中,所述双目立体视觉系统包括左摄像装置和右摄像装置;利用所述双目立体视觉系统采集人脸图像,得到左右图像,对左图像和右图像进行立体校正;检测左图像和右图像中...
光子密码拨码锁制造技术
本发明公开了一种光子密码拨码锁,它包括机械拨码旋钮和光电收发组件两部分,其中机械拨码旋钮部分包含多组带通光孔的拨盘,通光孔的位置与每个拨盘上的特定密码数字对应;光电收发组件包含一个可编码的光源,一光电探测器,一信息处理单元。信息处理单元...
III‑V族化合物横向纳米线结构,纳米线晶体管及其制备方法技术
本发明提供了一种III‑V族化合物横向纳米线结构,纳米线晶体管及其制备方法。该III‑V族化合物横向纳米线结构包括:p型SOI衬底,p型SOI衬底的最上层为顶层硅,该顶层硅形成的多级平行的硅亚微米线;以及桥连在相邻两硅亚微米线之间的II...
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