中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 雪崩光电二极管器件及其结构参数的调整方法
    本发明提供了一种雪崩光电二极管器件结构参数的调整方法,通过二极管器件的结构参数来计算其内部的电场分布,将仿真后的初始电场分布与预设电场分布进行比较,根据理论公式推导结果,反过来修正结构参数。重复上述过程,直到得到较优的电场分布。本发明的...
  • 形成微波光子光控波束的系统
    本发明提供了一种形成微波光子光控波束的系统,包括:波长切换单元,对原始多波长激光加载控制信号,以及在时域上对所述原始多波长激光分割和拉伸,得到并输出时域上连续的多波长光载波;波长扫描范围控制单元,对所述时域上连续的多波长光载波进行滤波整...
  • GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法
    一种GaN基紫外激光器晶圆,包括叠置于GaN衬底正面上的n型限制层、n型波导层、有源区、u型波导层、p型限制层和p型接触层,其中:在n型波导层和有源区之间还有一n型空穴阻挡层;在u型波导层和p型限制层之间还有一p型电子阻挡层;该GaN基...
  • 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法
    一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层;步骤2:移除上波导层,在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅,...
  • 硅基电注入激光器及其制备方法
    一种硅基电注入激光器及其制备方法,该制备方法包括:在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层,并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽;腐蚀绝缘硅衬底,在与第一矩形槽相对应的位置,形成与第一矩形槽等宽的V型槽;在V型槽和第一矩形...
  • 宽光谱晶闸管激光器的制备方法
    本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法,涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括:在衬底上制备半导体外延层结构,在半导体外延层结构上形成脊条结构,在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中,通过结合传统激光...
  • 多模激光器及其多模调节方法
    一种多模激光器及多模调节方法,其中多模激光器包括:激光器,用于发射宽光谱激光;至少一个分束镜,用于将宽光谱激光分为至少两个分光束;至少两个光学支路,分别用于传输至少两个分光束,每个光学支路包括:闪耀光栅,用于筛选传输的分光束,得到单一波...
  • 高光出射效率的LED芯片及其制备方法
    本发明公开了一种高光出射效率的LED芯片及其制备方法,涉及半导体制备技术领域。本发明提出的LED芯片包括发光台、以及相邻发光台之间的多个刻蚀槽,可有效增大光线的出射面,改变LED芯片外延层中波导光的传播方向,增加光线的出射效率;另外,在...
  • 一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法
    本发明公开了一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器,器件制作在SOI(Silicon‑on‑Insulator)衬底上,具有双台面结构,包括:衬底、埋层氧化硅、硅台面区、硅空间区、硅接触区、电极和锗外延层。埋层氧化硅形成于硅衬底上,硅台...
  • 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片
    本发明提供了一种太阳能电池减反钝化膜,包括:第一层,形成于硅片衬底上,所述第一层为SiOx层;第二层,形成于所述第一层上,所述第二层为SiNx层;第三层,形成于所述第二层上,所述第三层为SiONx层;第四层,形成于所述第三层上,所述第四...
  • 光电转换装置
    一种光电转换装置,包括光电探测器、共面波导和光耦合结构,其中,光电探测器,倒装焊于共面波导的表面,以使光电探测器的电极与共面波导的传输线连接;光耦合结构,用于将传输的信号光耦合到光电探测器的光敏面。光耦合结构包括V型槽基板和至少一根45...
  • 铁道线路障碍物自动监测识别方法
    本发明涉及一种铁道线路障碍物自动监测识别方法,包括:沿铁道线路上方一平面按设定角度范围发出激光,进行扫动搜索;接收返回的激光信号,自动判断是否存在有害障碍物。该方法能够在各种天气和气候条件下,对铁路线路上可能威胁到列车正常行驶的有害障碍...
  • 铁道线路障碍物自动监测识别的装置
    一种铁道线路障碍物自动监测识别的装置,包括:激光测距机,用于沿铁道线路上方一平面按设定角度范围发出激光,进行扫动搜索;还用于接收返回的激光信号;精密转动平台,与激光测距机固定,用于控制激光测距机按设定角度进行扫动;障碍物判断电路和运算处...
  • 用于肿瘤标志物检测的核酸适配子传感器及其制备方法
    本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaN基HEMT核酸适配子传感器及其制备方法。该传感器结构包括GaN基HEMT,其包括栅极区域、源极区域和漏极区域,栅极区域位于源极区域和漏极区域之间;源极电极和漏极电极分别与源极区域和漏极区域形成欧...
  • 脉冲泵浦主动调Q输出双脉宽脉冲的激光器
    一种脉冲泵浦主动调Q输出双脉宽脉冲的激光器,包括:一脉冲泵浦源:一耦合装置,其输入端与脉冲泵浦源的输出端连接;一激光谐振腔,其位于耦合装置的输出光路上;一光电传感器,其位于激光谐振腔的输出光路上;一控制器,其输入端与光电传感器的输出端连...
  • 基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片
    一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片,包括:一衬底;形成于衬底上的缓冲层;形成于缓冲层上的底部多孔DBR层;形成于底部多孔DBR层上的n型GaN层,n型GaN层的一侧向下形成有台面,另一侧为凸起;形成于n型GaN层上的...
  • 脉冲串产生与时域形貌控制的结构
    一种脉冲串产生与时域形貌控制的结构,包括:一1×N光纤信号分束器;N条光纤,其一端均与1×N光纤信号分束器的输出端连接;一N×1光纤信号合束器,其输入端与N条光纤的另一端连接;该1×N光纤信号分束器的输入端与一输入光纤连接,该N×1光纤...
  • CMOS图像传感器
    一种CMOS图像传感器及应用其的摄像机和数码相机,该传感器包括:像素信号产生模块,用于基于时序控制信号产生不同模式的像素信号;像素信号采集模块,用于采集并流水线地存储不同模式的像素信号,并相关双采样不同模式的像素信号;像素信号处理模块,...
  • 一种基于近红外光谱技术的玉米单倍体籽粒鉴别方法
    本发明公开了一种基于近红外光谱技术的玉米单倍体籽粒鉴别的方法,包括:读入原始光谱文件,获取光谱强度数据;数据集划分;光谱数据的特征归一化;采用偏最小二乘回归方法降低维数;神经网络分类器参数调节;神经网络分类器微调及性能评价;保存神经网络...
  • 本发明提供了一种多波长混合集成光发射阵列,包括多个光处理单元,每个光处理单元包括:一有源光器件,包含第一衬底,所述第一衬底材料为III‑V族半导体材料,用于发射激光;一分束光波导,包含第二衬底,第二衬底的材料与第一衬底相同,用于将所述激...