中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 三基色激光器实现均光照明的系统
    一种三基色激光器实现均光照明的系统,包括:一绿光、一红光和一蓝光半导体激光器,所述三种半导体激光器的前端分别放置第一、第二和第三准直透镜;一长波截止滤波片,其位于绿光半导体激光器的输出光路上,与绿光半导体激光器的输出光路形成一夹角;一短...
  • 一种异面电极结构芯片的频率响应测试装置
    本发明公开了一种异面电极结构芯片的频率响应测试装置,涉及光电子器件领域。本发明提出的频率响应测试装置包括:矢量网络分析仪、探针、探测器,其中,还包括一个测试平台,该测试平台针对异面电极结构芯片,结合了共面波导传输线结构,采用金丝实现电极...
  • 温度传感器芯片测试校准的温度环境的构建方法及系统
    本发明提供了一种温度传感器芯片测试校准的温度环境的构建方法及系统。其中,所述方法包括:将立体器件的体对角线分割为至少一段子对角线;以所述子对角线为立体单元的体对角线划分,得到至少一个立体单元,即所述温度环境,所述立体单元的几何中心配置为...
  • 一种图像无损压缩装置及方法
    一种图像无损压缩装置及方法,该方法包括以下步骤:第一帧图像不作处理传输至码流合成器;状态寄存单元寄存第i帧图像的像素序号、行序号和帧序号,数据分配器将第i帧图像数据中的暗像素行传输至S‑O‑F插入器,并输出第i帧图像的码流函数;数据分配...
  • 一种图像无损压缩系统及方法
    本发明提供了一种图像无损压缩系统,包括状态寄存单元、数据分配器、S‑O‑F插入器、求差编码单元和码流合成器,状态寄存单元,用于寄存并输出接收的至少一帧图像的各序号;数据分配器,用于接收所述图像,并根据所述序号选通S‑O‑F插入器或求差编...
  • 一种图像事件检测标示方法及系统
    本发明公开了一种图像事件检测标示方法,将原始图像数据流处理后输出图像事件检测数据,包括:获取原始图像数据流中的第一帧图像数据;依次针对第一帧图像数据之后的每一帧图像数据,执行如下操作:将该帧图像的暗像素行数据替换成制式对齐码;计算该帧图...
  • 一种光电探测器及光电转换方法
    本发明公开了一种光电探测器和应用该光电探测器进行光电转换的方法,应用于光通信接收系统中。本发明的光电探测器包括微电子芯片、偏置电压网络、和探测器芯片;微电子芯片将输入至光电探测器的第一偏置电压进行大小调节,得到第二偏置电压;第二偏置电压...
  • 硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片
    本发明公开了一种硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片,该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片包括:2个单模垂直耦合光栅,2个调制模块,1个2×1多模干涉耦合器,1个双模垂直耦合光栅。该硅基高速双载波双偏振调制器集成芯片能够双波长、双偏振态工...
  • 一种轴承表面无回火软带的激光淬火装置及方法
    本发明公开了一种轴承表面无回火软带的激光淬火装置及方法,该装置包括激光器、光束传输系统、激光加工头和机械手臂,激光器发出的激光光束依次经过光束传输系统、激光加工头到达轴承工件,机械手臂控制激光加工头的平移和旋转,使到达轴承工件的激光光斑...
  • 窄脊半导体器件的制备方法
    一种窄脊半导体器件的制备方法,包括以下步骤:外延生长形成半导体外延片,在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜,并光刻形成周期性的第一窗口;干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层,形成窄脊结构;在形成的窄脊结构...
  • 一种基于光子晶体激光器合束的装置
    本发明公开了一种基于光子晶体激光器合束的装置,该装置包括管壳;阶梯热沉,用于放置光子激光器短巴条,不同台阶高度的光子激光器短巴条出射的激光经过反射镜后,可以实现快轴方向光斑的叠加;球面透镜,用于同时压缩快慢轴方向发散角;反射镜,用于改变...
  • 一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法
    本发明公开了一种聚合物辅助键合的混合型激光器及其制备方法。混合型激光器包括:带有透明导电介质ITO的硅基波导微腔结构;带有自然解理形成法布里‑波罗腔的Ⅲ‑Ⅴ族激光器;Ⅲ‑Ⅴ族激光器位于硅基波导微腔结构之上,二者通过PVA辅助键合材料键合...
  • 基于气泡毛化的侧泵激光模块及应用其的固体激光器
    一种基于气泡毛化的侧泵激光模块及应用其的固体激光器,该侧泵激光模块包括一晶体棒、一玻璃圆管、一空化装置和一冷却装置,其中:晶体棒的直径小于玻璃圆管的内径,且晶体棒置于玻璃圆管内;冷却装置,用于向晶体棒提供冷却液,冷却液充斥于晶体棒与玻璃...
  • 光束质量控制装置及应用其的激光谐振腔及固体激光器
    一种光束质量控制装置及应用其的激光谐振腔及固体激光器。其中光束质量控制装置包括一支架和固定于该支架上的面板,面板上有一小孔,光束通过小孔进行选模以实现光束质量的控制,面板背面具有一环形水槽,且面板侧面具有一进水口和一出水口,进水口和出水...
  • 紫外发光二极管器件的制备方法
    一种紫外发光二极管器件的制备方法,包括如下步骤:在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层;在低温成核层上生长AlN高温缓冲层;在AlN高温缓冲层上依次生长N型Al
  • 一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器
    本发明公开了一种基于表面等离子效应的InGaAs红外偏振探测器包括:衬底和在所述衬底自下而上依次沉积的下掺杂层、吸收层、上掺杂层和金属光栅层,所述金属光栅层为二维周期性亚波长非对称结构光栅,用于接收入射光波;所述吸收层用于吸收光波;所述...
  • 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法
    本发明提供了一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法。异质结垂直纳米线阵列包括:Si(111)衬底;掩膜层,生长于Si(111)衬底上,掩膜层制备有纳米孔阵列;InAs(Sb)核纳米线层,由生长于Si(11...
  • 可延展柔性无机光电子器件及其制备方法
    一种可延展柔性无机光电子器件及其制备方法,该方法包括以下步骤:在衬底上生长外延材料,并刻蚀形成多个光电子器件单元,在多个光电子器件单元上制备接触电极;在多个光电子器件单元之间的间隙中形成聚合物‑金属‑聚合物互连结构,并通过接触电极形成电...
  • 半导体单管激光器的存储装置
    一种半导体单管激光器的存储装置,由n个存储层叠置而成,每个存储层具有基板,基板上为上表面有凹陷空间的矩形平台,凹陷空间中有横向和纵向周期排列的矩形体,每个矩形体上有“+”字形凸台,“+”字形凸台向内凹陷的一个位置与相邻的三个“+”字形凸...
  • 晶体管激光器及其制作方法
    本发明提供了一种晶体管激光器及其制作方法,属于半导体激光器领域。本发明晶体管激光器为多层结构,从下到上依次包括衬底、下集电极层、集电极层、基层、发射层,基层至少包括一基极层和一量子阱层;晶体管激光器包括上下两部分,其上部分为柱状结构,柱...