A preparation method of a narrow ridge of semiconductor device, which comprises the following steps: the formation of epitaxial growth of semiconductor wafer, a silicon dioxide mask and a first photoresist mask are formed on a semiconductor epitaxial wafer, and forming the first periodic window lithography; silica etching removing the mask and a window area extension layer, forming a narrow ridge structure; in the narrow ridge structures formed on the second surface to form a photoresist mask, and lithography formed ridge window; the first removal of silica window area outside of the remaining liquid by selective etching mask, complete device fabrication. The preparation method of the invention in the removal of silica residual ridge waveguide surface by selective etching liquid corrosion, selective corrosion liquid only with the remnants of the silica and second photoresist mask contact, thus avoiding the removal of residual silica in the ridge structure off from the body in device performance and good corrosion; the preparation of high rate, can achieve good light output.
【技术实现步骤摘要】
窄脊半导体器件的制备方法
本专利技术涉及半导体器件领域,尤其涉及一种窄脊半导体器件的制备方法。
技术介绍
半导体激光器在光纤通讯领域有着广泛的应用。一般的半导体激光器在制备工艺中都是选择湿法腐蚀的方法进行相应的腐蚀工艺,但是在制作条宽接近甚至小于4μm的窄脊激光器时,由于常用的腐蚀液对砷化镓材料体系腐蚀时的各向异性,导致脊型截面为正梯形或倒梯形,因此无法获得垂直的脊型侧壁,满足不了器件的要求。因此有采用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法来制作脊波导结构的,其详细操作为在干法刻蚀过程中先生长300~500nm厚的二氧化硅,然后用感应耦合等离子体刻蚀等方法刻蚀二氧化硅,进而以二氧化硅作为掩膜干法刻蚀脊波导结构,然后利用湿法腐蚀对外延片进行轻微腐蚀,以求获得更加平滑的表面。当干法刻蚀与湿法腐蚀完成后,需要将脊型波导结构上面残存的二氧化硅去除干净,常规的方法是用含氢氟酸的腐蚀液腐蚀二氧化硅,但是此方法存在一些问题,如腐蚀液对上包覆层、上波导层甚至有源区都存在一定程度的腐蚀作用,导致脊型波导结构从本体上脱落下来,从而降低了器件的性能及良品率。因此,选择一种合适的方法去除残存的二氧化硅,进而制备出窄脊半导体激光器就显得尤为重要。
技术实现思路
基于以上问题,本专利技术的目的在于提出一种窄脊半导体器件的制备方法,用于解决上述技术问题的至少之一。为了达到上述目的,本专利技术提出了一种窄脊半导体器件的制备方法,包括以下步骤:步骤1、外延生长形成半导体外延片,在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜,并光刻形成周期性的第一窗口;步骤2、干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅 ...
【技术保护点】
一种窄脊半导体器件的制备方法,包括以下步骤:步骤1、外延生长形成半导体外延片,在所述半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜,并光刻形成周期性的第一窗口;步骤2、干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层,形成窄脊结构;步骤3、在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜,并光刻形成脊型窗口;步骤4、用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜,完成器件制备。
【技术特征摘要】
1.一种窄脊半导体器件的制备方法,包括以下步骤:步骤1、外延生长形成半导体外延片,在所述半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜,并光刻形成周期性的第一窗口;步骤2、干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层,形成窄脊结构;步骤3、在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜,并光刻形成脊型窗口;步骤4、用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜,完成器件制备。2.如权利要求1所述的窄脊半导体器件的制备方法,其特征在于,在所述步骤2和步骤3之间,还包括采用非选择性腐蚀液对所述干法刻蚀后的器件结构进行腐蚀。3.如权利要求1所述的窄脊半导体器件的制备方法,其特征在于,所述步骤4中去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜后,对器件进行清洗去除所述第二光刻胶掩膜,完成器件的制备。4.如权利要求1所述的窄脊半导体器件的制备方法,其特征在于,所述选择性腐蚀液为含氢氟酸的溶液。5.如权利要求1所述的窄脊半导体器件的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨冠卿,梁平,徐波,陈涌海,王占国,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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