本发明公开了一种基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：源区、漏区，对称分布于一SOI衬底之上；一硅纳米线结构，位于SOI衬底之上，连接源区与漏区；一含杂质原子的硅纳米晶粒，镶嵌于硅纳米线结构(13)中...

本发明公开了一种远程精密测量地基垂直位移的装置及方法，该远程精密测量地基垂直位移的装置沿光路依次包括激光光源、第一反射镜、第二反射镜、聚焦透镜和电荷耦合器件，其中：第一反射镜和第二反射镜为45°反射镜，第一反射镜接收由激光光源发射的水平...

本发明公开了一种远程精密测量隧道表面水平位移的装置及方法，该装置沿光路依次包括激光光源、第一反射镜、第二反射镜、聚焦透镜和电荷耦合器件，其中：第一反射镜和第二反射镜为45°反射镜，第一反射镜接收由激光光源发射的水平光线，并将该水平光线在...

本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，所述外腔可调谐激光器，包括：取样波导光栅、依次按顺序放置于取样波导光栅一侧的半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直透镜；所述半导体增益芯片、第一准直透镜、第二准直...

提供了一种包括光学芯片和微波芯片的光电振荡器。所述光学芯片是基于集成光学材料基底制作不同光电子器件实现的，光电子器件包括：激光器组件；模式选择器件，与激光器组件相耦接，并被配置为接收来自所述激光器组件的激光，并对所述激光进行选模；光延时...

一种双啁啾傅里叶域锁模光电振荡器及应用和通讯系统，涉及微波光子学技术领域。双啁啾傅里叶域锁模光电振荡器，包括两个激光器、光耦合器、调制器、光滤波器、光延时线、光电探测器、功分器以及电放大器；所述两个激光器、调制器、光滤波器和光电探测器一...

本实用新型提供了一种基于缺陷地结构共面波导的激光器，包括：介质层(1)；下表面镀金层(2)，设置在介质层(1)的下表面；上表面镀金层(3)包括两部分，中间设置为信号线(4)，两侧的地线上设置有缺陷，形成缺陷地结构(5)；激光器(6)，设...

本发明提供了一种外腔可调谐激光器及波长调谐方法，属于激光器技术领域。其中，外腔可调谐激光器，包括：半导体增益芯片、第一准直透镜、闪耀光栅以及与闪耀光栅相对的反光镜；半导体增益芯片、第一准直透镜以及闪耀光栅位于同一光轴上，且闪耀光栅的光栅...

一种开关电容积分器，包括：动态放大器，用于放大输入信号，包括运算放大模块，两加速模块以及尾电流偏置模块，其中，运算放大模块，用于提供预定的放大增益；两加速模块，用于增加所述放大模块的工作电流以增大运算放大模块的放大速度；尾部电流偏置模块...

本公开提供一种基于双腔结构的纠缠光源，由上至下包括：上DBR层，用于提高反射率；上腔体，用于提供上谐振腔模；中DBR层，用于提高反射率；下腔体，用于提供下谐振腔模；以及下DBR层，用于提高反射率；所述基于双腔结构的纠缠光源，通过改变材料...

一种LED倒装芯片的图形化衬底及其制备方法，所述图形化衬底包括基本衬底和分布在所述基本衬底背面或者所述基本衬底背面和正面的图形化结构层。所述制备方法，包括：在基本衬底的正面形成保护层，并在所述基本衬底的背面形成掩膜层；将所述掩膜层图形化...

一种基于光子晶体激光阵列的微推进器光源，包括：管壳，为一台阶结构，该台阶结构包含底部和顶部；过渡热沉，制作于管壳的台阶结构的底部上；光子晶体激光阵列，倒装于过渡热沉上并与管壳固定，该光子晶体激光阵列包含多个电学隔离的激光单元，每个激光单...

本发明公开了一种背接触式钙钛矿发光二极管，包括：绝缘衬底；金属电极，设置于该绝缘衬底上，该金属电极的上表面在同一平面上；第一绝缘层，包覆在该金属电极上；以及钙钛矿薄膜，设置于该第一绝缘层上。本发明提供的该钙钛矿发光二极管的结构简单与现有...

一种杂质原子阵列晶体管，所述杂质原子阵列晶体管包括，SOI基片，包括硅衬底、氧化物绝缘层以及顶层硅，由所述顶层硅形成源区硅电导台面、漏区硅电导台面和V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线，其中：所述V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线连接所述源区硅电...

本公开提供了一种基于不完整非对称AWG的光学相控阵，包括：可调谐激光器，用于输出可调谐波长的光束；光分束器，与可调谐激光器耦合相连，用于把输入光束分成N束的等功率光束；光开关阵列，置于光分束器之后，包括独立的N个光开关，每一光开关对应一...

一种肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件，该肖特基二极管自下而上依次包括：衬底层；第一基材层，其生长在衬底层上，作为后续生长的模板缓冲层；第二基材层，其生长在第一基材层上，用于生长阴极电极；第三基材层，其生长在第二基材层上，作为肖特...

一种三维光电集成光栅耦合器及其制备方法，所述三维光电集成光栅耦合器包括自下而上沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极...

本发明提供了一种基于单因素方差分析选择高光谱波长的分类方法及装置，属于图像处理和光谱学技术领域。该基于单因素方差分析选择高光谱波长的分类方法，包括：采集待分类样本的高光谱图像；对样本的高光谱图像进行图像处理，得到样本的光谱信息；采用标准...

一种硅‑石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池。该制备方法包括：采用金属阳离子辅助刻蚀硅片得到硅纳米线阵列；以及采用化学气相沉积法在硅纳米线表面包覆石墨烯，得到石墨烯包覆的硅纳米线。通过采用金属阳离子辅助刻蚀的手段，在Si纳米线表面形成...

本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，该存取器包括：一楔形自旋轨道耦合层；一磁阻隧道结，位于所述楔形自旋轨道耦合层上，包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。本发明提供...