本发明公开了一种荧光强度相关时间分辨增强成像方法及装置，该方法包括：无激发光时，获得基于待测荧光物质的背景图像；打开脉冲激光，激发待测荧光物质，获得不同延时的时间分辨荧光强度图；通过滤波去噪和背景差分去噪进行图像预处理；通过图像阈值相或...

一种能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法。在以硅为支撑材料的微电极结构中，作为衬底的硅会因光照产生非平衡载流子，继而对其上层的电极信号造成扰动。将作为电极支撑的硅衬底通过掺杂、生长金属层并在其上的绝缘层上刻出通孔接地，可以大幅...

本发明公开了一种射频信号延时系统，包括：电光转换模块，用于将待延时的射频信号调制到光载波上得到光载波信号；光延时模块，用于使所述光载波信号获得光学延时；电延时模块，用于从所述经过光学延时的光载波信号解调出射频信号，并使所述解调出射频信号...

一种脉冲序列压缩编码方法及装置，方法包括：S1，根据脉冲序列的有效脉冲信号个数和探测时刻数将脉冲序列分为多组，从脉冲序列的起始端依次为第一组，第二组，……，第N组；S2，统计第一组中的有效脉冲信号个数，并将其记录于蓄水池中形成蓄水池计数...

一种基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法，所述基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；SiO2...

本公开提供了一种基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法，其界面处理方法包括：在硅和过渡金属硫化物的界面之间导入氮化硼插层，Si作为电极，MoS2作为沟道材料，形成PIP型肖特基场效应管。本公开在有利于降低Si‑MoS2体系的肖...

一种支架，应用于传感器技术领域，所述支架(10)上开设有两个滤光片窗口(11、12)和三个探测器窗口(13、14、15)，滤光片窗口(13、14、15)用于放置滤光片，两个滤光片窗口(11、12)均与水平面成预置角度，且两个滤光片窗口(...

一种用于光电子芯片测试的可配置结构，包括：载板(1)，包括基板平面(11)、芯片平面(12)、芯片固定架(13)以及两固定座(14)，其中，基板平面(11)长度方向两端设有限位装置(111)，芯片平面(12)长度方向的两端设有滑动槽(1...

本公开提供了一种自锁定自跟踪的空间光通信发射端、接收端、系统及方法，其中，系统包括：发射端和接收端，建立空间光通信链路并实现连续跟踪锁定，无需借助额外的信标光收发系统。本公开相较于常规空间光通信系统，结构更加简单，体积功耗可以进一步缩小...

本发明提供了一种InGaN/GaN量子阱结构及LED外延片制备方法，该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN阱层/GaN垒层的交替结构；在InGaN阱层/GaN垒层的交替...

低V型缺陷密度的GaN基多量子阱激光器外延片及制备方法，制备方法包括：对衬底(10)进行退火及表面清洁，并在衬底(10)上依次外延生长n型GaN层(11)、n型AlGaN限制层(12)、非故意掺杂下波导层(13)、InGaN/GaN多量...

本发明公开了一种基于微结构激光器的一维雷达扫描发射装置及制备方法，包括：基底；在该基底上呈阵列排布的多路激光器，各路激光器之间的出射角度不同，该出射角度为各路激光器的出射激光与所述基底平面形成的夹角，实现多路可变倾角低发散角微结构激光器...

一种基于纳米锥团簇结构的太阳电池减反射膜及其制备方法，所述太阳电池减反射膜所述表面为纳米锥团簇结构，纳米锥在单位平方微米面积内的数量为5至7个，纳米锥的高度为800至1000nm；其厚度在200μm‑500μm之间；其制备方法，包括：步...

一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法，制备方法包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对掺镁的GaN层进行退火，激活掺镁的GaN层中的镁受主，使得掺镁的GaN层转变为p型GaN...

一种化学气相沉积法制备的多层石墨烯层数的确定方法，包括：在复合硅衬底上采用化学气相沉积法制备多层石墨烯样品或将采用化学气相沉积法制备在非复合硅衬底上的多层石墨烯样品转移到复合硅衬底上；通过拉曼光谱对比确定化学气相沉积生长的多层石墨烯样品...

一种基于相位调制的干涉型痕量气体探测系统，包括：DFB光源，用于输出光；信号发生源，一端与所述DFB光源的一端相连，用于对所述DFB光源的输出光进行调制，输出参考信号；光纤隔离器，一端与所述DFB光源的另一端相连，用于抑制回波；MZI光...

本发明提供一种石墨烯制备方法，包括：对SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成原子台阶状表面；将氢刻蚀后的SiC衬底置于反应室中，通入惰性气体，在SiC衬底硅面上制备碳原子缓冲层；将形成有碳原子缓冲层的SiC衬底置于微波等离子体化学气相沉积炉腔中...

本公开提供了一种微流控芯片，包括：盖板(1)，盖板(1)上设置有进液孔(3)、出液孔(4)和微电极阵列(5)，微电极阵列(5)设置在进液孔(3)和出液孔(4)之间，并且，微电极阵列(5)包括电极对(6)、传输线(7)和输入电极(8)，输...

本发明提供了一种基于光电振荡器的弱信号探测放大系统及其探测放大方法，属于微波光子学技术领域。该基于光电振荡器的弱信号探测放大系统，包括：激光器、分束器、相位调制器、高非线性光纤、环形器、光电探测器、功分器、耦合器、电放大器、强度调制器、...

一种基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法，所述LED由下至上包括：衬底；低温成核层，位于衬底上；u‑GaN层，位于低温成核层上；第一n‑GaN层，位于u‑GaN层上；SiO2层，位于第一n‑GaN层上，含有n(n≥1)...