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中国科学院半导体研究所专利技术
中国科学院半导体研究所共有5962项专利
侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法技术
本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器,包括:衬底;台面,由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成,或者由在衬底上生长有源层后,刻蚀部分衬底和有源层后形成;栅极,设置位于台面两侧,与台面形成肖特基接触;源极和漏极,设置位于台面另外两侧,...
一种可见光至近红外集成的光谱探测器装置及制备方法制造方法及图纸
本发明公开了一种可见光至近红外的单芯片集成的光谱探测器装置及制备方法,其中,该装置包括:外延片,包括上部的N接触层;胶状量子点阵列组成的胶状量子点滤光层,位于N接触层上。其制备方法中,胶状量子点由可以吸收可见光至近红外波段的硫化镉、硒化...
太阳能电池组件制造技术
本发明公开了一种太阳能电池组件,包括:多个串联的集成太阳能电池单元,每个集成太阳能电池单元包含:太阳能电池片和一反向保护二极管,该反向保护二极管为一薄膜二极管,所述薄膜二极管集成于太阳能电池片的背光面,与太阳能电池片反向连接。该太阳能电...
一种体声波谐振器的结构及其制备方法技术
本发明提供了一种体声波谐振器的结构及其制备方法,采用在带有空气隙的衬底上直接转移石墨烯复合结构制备底电极的方法,解决了空气隙制备中湿法腐蚀牺牲层存在的牺牲层去除不彻底的问题,简化了工艺;同时,避免了采用CMP工艺带来的成本提升和应力积累...
垂直腔面发射激光器及其制作方法技术
一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,垂直腔面发射激光器包括:一外延结构,该外延结构自下而上包含:N面电极、N型衬底、N型DBR、有源区、以及P型DBR;多个台面结构,由该外延结构表面向下刻蚀至N型DBR表面或内部一设定深度得到;其中,多...
用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法技术
一种用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:(1)制备含有纤维素和任选的NiOX或WOy纳米材料的碳电极浆料,其中,x为1~1.5;y为2~3;(2)将碳电极浆料涂布于碳基钙钛矿太阳能电池的一功能层上,...
一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法技术
本发明公开了一种InP基量子点材料结构及扩展其发光波长的方法。该材料结构包括:掺杂锑源的量子点有源区结构,该量子点有源区结构包括:自下而上生长的浸润层、量子点层和盖层;进一步包括在衬底上生长缓冲层、下限制层、上述量子点有源区结构和上限制...
基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法制造方法及图纸
一种基于物理气相传输法的温度场控制装置及温控方法,通过设置感应线圈的分布构造温度分布场,感应线圈的分布包括感应线圈的匝数、感应线圈的分布疏密、感应线圈距离坩埚的远近、多段式分布线圈等形式,形成温度相对高低的不同温度分布场,通过改变坩埚与...
激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法技术
本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法,包括:取一待加工的碳化硅材料;对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照;以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法,解决...
盖板结构及其制作方法、电容式传感器技术
本发明公开了一种盖板结构及其制作方法、电容式传感器,该盖板结构,用于微机电器件晶圆级封装,包括:密封盖板,其上设有一凹槽,该凹槽形成一容置空间;电极板,位于凹槽形成的容置空间之内,与凹槽左右两侧的密封盖板之间存在间隙;第一垂直通孔,设置...
电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法技术
本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法,包括:在SOI衬底上沉积二氧化硅层,在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽;在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽,与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽;在所述连通沟槽...
可调谐耦合腔半导体激光器制造技术
本发明公开了一种可调谐耦合腔半导体激光器,包括:FP腔;变形式回音壁微腔,与FP腔的第一端相连接,作为FP腔的一个反射端面,该变形式回音壁微腔与FP腔形成一耦合腔结构;以及电隔离槽,设置于FP腔与变形式回音壁微腔之间;其中,光从FP腔的...
kHz量级单通带微波光子滤波器制造技术
本公开提供了一种kHz量级单通带微波光子滤波器,包括:激光器、第一光耦合器、单边带抑制载波调制模块、单边带调制模块、微波信号源、第一光放大器、第二光放大器、第二光耦合器、单频布里渊光纤激光器、光电探测器及矢量网络分析仪。本公开利用单频布...
提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜技术
本公开提供一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜,该提升氮化物材料P型掺杂效率的方法,利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面。本公开提供的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜,利用外加机械力或材...
具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法技术
本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法,其中,该电子迁移率晶体管包括:衬底;成核层,位于衬底之上;高阻缓冲层,位于成核层之上;背势垒缓冲层,位于高阻缓冲层之上,为n型掺杂区、p型掺杂区和n型掺杂区形成的...
含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT及其制作方法技术
本发明公开了含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT及其制作方法,其中,该双异质结HEMT,包括:衬底;成核层,位于衬底之上;高阻缓冲层,位于成核层之上;高迁移率沟道层,位于高阻缓冲层之上;势垒层,位于高迁移率沟道层之上;盖帽层,位于势...
一种多塔车同步行走控制装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种同步行走控制装置及方法,用于控制喷灌机的多个塔车同步行走,包括:导航系统控制单元(1)和运动控制单元(2),每个塔车上安装有运动控制单元(2);运动控制单元(2)用于获取各塔车当前的航向信息和速度信息,并根据导航系统控制单...
一种空间全向光探测器及其制作方法技术
本发明提供了一种空间全向光探测器及其制作方法,方法包括:S1,确定光电探测模块的视场角θ;S2,在立体壳的纬度方向以0纬度为中心向两侧划分出两条纬度角为θ/2的纬度带,两条纬度带组成纬度角为θ的第一环带,以第一环带的两条纬度边线为起点分...
自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法技术
本公开提供了一种自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法,包括:利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)在硬基质纳米压印模板表面翻模,得到PDMS软模板;在基片表面旋涂下层胶并加热固化,在所述下层胶表面旋涂上层胶;将所述PDMS软模板覆盖所述上层胶表面...
单片集成互注入型窄线宽半导体激光器制造技术
本公开提供了一种单片集成互注入型窄线宽半导体激光器。下包层、第一有源区、第二有源区、对接层、上包层、第一电极层和第二电极层;其中第一有源区、第二有源区通过对接层相连;第一有源区、第二有源区和对接层的下表面均与下包层的上表面相连,其中第一...
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