本发明公开了一种单空间模低发散角窄线宽复合光子晶体激光器，包括：一外延结构；一脊波导结构及侧向耦合光子晶体，制作于上述外延结构表面；一介质层，制作于上述脊波导结构及侧向耦合光子晶体表面，其中脊波导上的介质层需要去除，用于实现电流注入；一...

本发明提供了一种基于邻域类编码学习的静脉识别方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、获取训练集静脉图像特征；S2、对所有训练集特征，生成类别间二值模版；S3：以所有训练集特征和得到的类别间二值模版作为输入，二值模版中的每一位训练一个分类器...

本发明提供了一种光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法，其中，所述方法包括：步骤S101：准备基底；步骤S102：在基底上形成铌酸锂光波导；步骤S103：在铌酸锂光波导的周壁上形成包裹铌酸锂光波导的二氧化硅芯层；步骤S104：在二氧化硅...

本发明公开了一种半导体激光器不同折射率腔面膜的制备方法，该方法包括以下步骤：将半导体激光器解理、装夹、平放入化学气相沉积设备中并抽至高真空，开始膜层沉积过程；衬底加热并控温在300℃；分别设定二氧化硅和氮化硅需要的气体比例、膜厚和层数，...

本发明提供了一种柔性VCSEL阵列器件及其制备方法，属于半导体激光器领域。本发明的主要结构包括VCSEL阵列和柔性基底，所述VCSEL阵列是由柔性VCSEL单元组成，去除衬底后器件激射波长可为紫外光至红外光。其制备方法包括：制备VCSE...

本发明提供一种用于半导体光电子器件测试和透镜耦合的夹具，涉及光电子器件领域。该夹具包括：连接轴，一端与底座中心位置连接；PCB电路板基座，其中心位置与所述连接轴的另一端连接；PCB电路板，包括有四个角，且其四个角分别与所述PCB电路板基...

本公开提供一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法，包括：步骤A：在玻璃衬底上生长金属氧化物薄膜，制成主模；步骤B：将步骤A所生长的金属氧化物薄膜的表面形貌转移到聚二甲基硅氧烷模板的表面；步骤C：将步骤B所制成的聚二甲基硅氧烷模板...

本发明公开了一种基于弧形扩散区的雪崩光电探测器及其制作方法。其中，雪崩光电探测器包括：一外延结构，该外延结构自下而上包含：N型衬底、吸收层、电荷层、以及本征倍增层；在该本征倍增层中形成有3D碗状开口并在此3D碗状开口下形成有P型高掺杂的...

本发明提供了一种变温平台及DLTS测试系统，变温平台包括：水冷腔室、加热机构和至少两个探针臂；水冷腔室上设置至少一个放气口、至少一个抽气口、至少两个进水口以及至少两个出水口；加热机构包括加热板、热电阻和第一固定结构，第一固定结构将加热板...

本发明公开了一种半导体激光器件高频电极装置及制作方法，该装置制作方法包括：在刻蚀完脊型波导的半导体激光器件上面利用化学气相沉积设备生长二氧化硅；采用反转胶光刻出脊型波导窗口，并采用氢氟酸腐蚀液腐蚀掉窗口的二氧化硅；涂覆聚酰亚胺，氮气环境...

本发明公开了一种双门控相关荧光成像装置及成像方法，该装置包括：窄脉冲纳秒或皮秒激光器、整形镜头、样品台、紫外截止滤光片、纳秒量级选通像增强电荷耦合器件，计算机和时序控制单元。本发明成像方法通过百皮秒级在线编码时序控制技术，实现了动态时间...

一种智能诱杀与驱虫一体化LED灯装置，所述装置包括诱杀与驱虫一体化LED模组、传感器模组以及信息处理装置。工作时，传感器模组将探测到的距离信号发送到信息处理装置，信息处理装置判断是否在预定距离以内，然后发出指令使诱杀与驱虫一体化LED模...

一种基于二维铁电半导体的非易失存储器，包括：衬底，柔性材料制备而成；石墨烯层，长条状，位于所述衬底上；二维半导体材料层，位于所述衬底和一部分石墨烯层之上；铁电薄膜，位于所述二维半导体材料层上；顶电极，位于铁电薄膜上；以及底电极，位于所述...

一种在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法，包括：在图形衬底材料上生长出只在平面区域存在的亚单层石墨烯；将材料进行等离子体处理，形成具有缺陷的亚单层石墨烯；采用金属有机化学气相沉积方法分三段进行外延生长，生长出表面结构平整且位错密度在10

本公开提供了一种集成CMOS‑MEMS的高灵敏谐振式传感器，包括：微流道谐振腔、MEMS悬臂梁结构、惠斯通电桥检测电路、CMOS信号处理电路；谐振式传感器集成了MEMS悬臂梁结构和CMOS信号处理电路，惠斯通电桥检测电路输出信号在CMO...

本公开提供了一种基于随机布里渊光纤激光器的可调谐超窄线宽光电振荡器，包括：第一可调谐激光器(1)、第二可调谐激光器(2)、耦合器(3)、分束器(4)、强度调制器(5)、掺铒光纤放大器(6)、第一环行器(7)、高非线性光纤(8)、第二第一...

本发明公开了一种具有温度控制功能的硅基生化检测芯片，包括温度控制模块，具有PCR反应腔室的上盖板A和具有结果观测腔室的上盖板B。其中温度控制模块表面为钝化保护层，与生化反应兼容；上盖板A包括下侧的反应腔室和上侧的液流通孔。上盖板B包括下...

一种用于脉冲抽运的调Q激光清洗的扫描信号控制方法，所述方法包括以下步骤：设置激光器的参数，开启脉冲抽运调Q激光器，使其发出非连续的脉冲激光；调整信号控制板参数，使锯齿波信号时间等于抽运脉宽时间，锯齿波信号占空比等于脉冲抽运占空比，调整锯...

本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构...

本发明公开了一种利用杂质诱导混杂技术制作半导体激光器的方法，包括：制备外延片；在外延片上刻蚀出电流注入区和非电流注入区；在电流注入区光刻出前腔面处窗口区；在前腔面处窗口区上沉积一层铜，作为促进蓝移的金属膜；在电流注入区生长第一掩膜层，覆...