本发明提供了一种InAsSb量子点发光材料的制备方法，包括：准备带有偏角的衬底；在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长下限制层；在下限制层上生长一个或多个InAsSb量子点有源区；在InAsSb量子点有源区上生长上限制层，缓解现有技术中的由...

本发明公开了一种超快光波长测量系统，该系统包括一窄线宽激光器、第一至第五光耦合器、一锁模激光器、第一至第五光电探测器、一第一模数转换模块、一第二模数转换模块、一数字信号处理模块和一色散补偿光纤。本发明通过处理锁模激光器的输出宽谱光信号与...

本发明公开了一种可调节的感应线圈装置，包括：N匝感应线圈，N为正整数；陶瓷盘，与感应线圈所在平面平行设置；螺栓和螺母，用于连接并固定N匝感应线圈和陶瓷盘，通过螺栓和螺母的配合使得各匝感应线圈沿着垂直于线圈平面方向上的高度可调，从而改变每...

本公开提供一种基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法，该基于光子集成芯片的多功能信号源包括：光子集成芯片、光反馈环路、光电振荡环路以及任意波形发生器；其中该光子集成芯片包括：放大反馈激光器和探测器。本公开提供的基于光子集成芯片的多功能...

本发明公开了一种基于光子晶体缺陷态模式控制的锥形光子晶体激光器，包括：一外延层的结构，该外延层的结构包含：N型衬底；N型限制层，位于N型衬底之上；完美一维光子晶体，位于N型限制层之上；有源区，位于完美一维光子晶体上；P型限制层，位于有源...

本公开提供一种基于Si衬底的N极性面富In组分氮化物材料生长方法，包括：步骤A：在Si衬底的表面利用氨源或氮气氮化一层Si3N4膜，该Si3N4膜的晶体取向为(001)方向；步骤B：在所述Si3N4膜的表面依次沉积生长AlN成核层以及A...

本公开提供一种调制带宽增强的可见光通信光源及其制备方法，其包括：外延片(10)；n型结构层(20)，位于所述外延片(10)上；三基色有源区(30)，位于所述n型结构层(20)上，为阵列排布的纳米柱，所述纳米柱之间填充绝缘物质；透明导电层...

本发明公开了一种片上集成半导体激光器结构及其制备方法，该设计结构包括：依次沉积在衬底上的第一N接触层、第一N限制层、第一有源区、第一P限制层、第一P接触层、隔离层，第二N接触层、第二N限制层、第二有源区、第二P限制层和第二P接触层作为外...

一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有...

本发明公开了一种获得准C1b结构Heusler合金NiMnAs单晶薄膜的方法，包括：通过分子束外延技术，在脱氧后的半绝缘GaAs衬底上高温生长用于平滑衬底表面的GaAs缓冲层；降低生长温度，在GaAs缓冲层上生长一超薄NiMnAs低温非...

本公开提供一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法，将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合，包括：步骤A：选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域；所述SOI基片包括顶层硅(1...

本公开提供了一种直连空压机的激光清洗一体机，所述激光清洗一体机与所述空压机相连，所述激光清洗一体机包括：气体干燥过滤系统，内置于所述激光清洗一体机机柜，将空压机输出的气体进行干燥、过滤后分为两路气体；第一路气体进入准连续激光器，用于谐振...

本发明提供了一种太赫兹光谱芯片，涉及太赫兹波探测技术领域。该芯片包括：多个探测单元，用于探测并接收太赫兹波信号，且至少部分探测单元之间接收的太赫兹波信号的频段不同；数字控制模块，用于选中需要响应的探测单元；读出电路，用于将探测单元的模拟...

一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有...

一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极层处于悬空状态；...

本发明公开了一种硅基混合集成激光器阵列及其制备方法。硅基混合集成激光器阵列包括：制作在SOI基底和III‑V半导体外延层上的多个平行排布的硅基混合集成激光器；其中，每个硅基混合集成激光器包括：硅脊波导；导热层，位于硅脊波导两侧的特定区域...

本公开提供了一种低啁啾分布布拉格反馈可调谐激光器及其制备方法，其中低啁啾分布布拉格反馈可调谐激光器，包括：位于同一衬底、等高且顺次贴合的前光栅区、增益区、相位区和后光栅区；所述前光栅区、后光栅区和相位区均包括无源材料层，所述无源材料层置...

本发明提供了一种太赫兹波阵列图像传感器芯片，涉及太赫兹波探测技术领域。该芯片包括：太赫兹像素阵列用于接收太赫兹波信号并输出直流模拟信号；列并行读出电路用于将直流模拟信号进行放大并转换为数字信号；电源偏置电路用于提供偏置电压及偏置电流；数...

本公开提供一种用于降低能量损耗的RF‑MEMS谐振器支撑结构，包括：支撑梁、后端支撑结构以及至少两级能量阻断结构；支撑梁与谐振器连接；后端支撑结构设置于支撑梁和基座之间，用于减小支撑梁与基座间的连接刚度，增大固‑气界面，反射向后端支撑结...

本发明公开了一种托盘支撑和固定装置，包括：陶瓷盘，用于放置托盘；压块，设置于陶瓷盘的边缘，用于固定托盘于陶瓷盘上；以及金属支架，固定于陶瓷盘下方，具有n个支架臂，n≥3，用于支撑陶瓷盘，该金属支架与实现托盘旋转的旋转轴固定，在旋转时，带...