一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属...

本公开提供了一种基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法，片上光探测器自下而上包括：重掺杂电极、薄层绝缘层、二维薄层材料和两个金属电极；二维薄层材料嵌设在薄层绝缘层和两个金属电极间；二维薄层材料为具有低面内对称性的二维材料。本公开...

本发明公开了一种光反馈结构及可调谐窄线宽外腔激光器。其中，可调谐窄线宽外腔激光器包括：激光器芯片；第一分束器，与激光器芯片相连；第一环形器，其第二端口与第一分束器的一个输出端口相连；第二分束器，其输入端与第三端口相连；第一光反馈模块，其...

本发明公开了一种基于锁模激光器的上下变频系统，包括：锁模激光器输出激光，送入光滤波器进行滤波后输出滤波激光，该滤波激光进入色散补偿光纤得到光信号，再进入光耦合器进行分束，该信号被分为两路：一路进入双驱动双偏振马赫增德尔调制器实现输入频率...

本发明公开了一种基于FPGA实现PID调节的温度控制芯片系统，包括温度控制芯片、四线式放大电路、A/D采样模块、FPGA、开关电源，PWM调节电子开关。本发明利用FPGA采集一路或同时采集多路的温度传感信号，通过PID控制程序输出逻辑控...

一种集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，包括：直调激光器，设置于所述激光器芯片的一端，用于提供光输出以及模式选择；有源反馈腔，设置于所述激光器芯片的另一端，用于提供光反馈以增加激光器芯片的直调带宽；以及电隔离区，设置于所述直调激光器与有源...

一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行...

本发明公开了一种垂直金字塔结构LED及其制备方法，属于半导体技术领域。该垂直金字塔结构LED包括：衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，其中，外延层包括介质层和金字塔结构，所述介质层沉积在衬底上，具有开设至衬底的周期性孔洞结构的图形...

一种马赫‑增德尔电光调制器高频电极及马赫增德尔电光调制器。其中，高频电极包括：带通滤波器，设置于马赫增德尔干涉仪的至少一个内臂；调制电极，与所述带通滤波器设置于马赫增德尔干涉仪的相同内臂，且位于带通滤波器的后端。本发明只利用一层金属便实...

一种基于分治采样粒子滤波的三维机动目标跟踪方法，包括：1、通过量测信息预处理模块对传感器测得的当前时刻观测数据进行坐标转换，从球坐标系转换到笛卡尔坐标系；2、对步骤1所测得的观测数据进行分治采样，将三维运动空间分解为相互独立的一维子空间...

本发明公开了一种渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法，其中，渐变掺杂宽波导带间级联激光器，包括：衬底；以及自下而上依次外延的下波导包层、下分别限制层、级联区、上分别限制层、上波导包层、以及上接触层；其中，下分别限制层和上分别限制层的...

本发明公开了一种可调谐窄线宽外腔半导体激光器，包括：一半导体增益芯片，作为激光源；一光波导，与增益芯片位于同一光轴上；一光栅结构，位于光波导之后，并且与增益芯片、光波导位于同一光轴上；一热敏电阻，位于增益芯片和光波导中心线的一侧，避开光...

本发明提供了一种THz天线制作方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、波导层及间隔层；选择性去除衬底上增益区的间隔层后生长量子阱材料层；选择性去除衬底上增益区外的量子阱材料层；选择性去除衬底上混频器区的间隔层材料后生长混频器材料层；选择性去...

本公开提出了一种身份文本信息检测方法及装置，其中，所述身份文本信息检测方法包括：获取身份证图像的暗通道图像；以及确定所述暗通道图像中包含身份文本信息的目标区域，根据所述目标区域确定所述身份文本信息在所述身份证图像中的位置信息。本公开身份...

本发明提供了一种集成肖特基二极管(SBD)的碳化硅沟槽栅型金属氧化物‑半导体场效应晶体管(SiC UMOSFET)的结构及制备方法，其特征在于，在n型电流传输层(40)上通过注入形成p+型埋层(50)，并继续外延形成n型电流传输层(40...

一种AlN薄膜的制备方法，包含以下步骤：步骤1：将外延用的基底退火；步骤2：在基底上生长第一AlN层，生长温度与步骤1退火温度相同；步骤3：在第一AlN层上生长第二AlN层，该第二AlN层的生长温度和Al源流量是渐变的；步骤4：在第二A...

本公开提供了一种隧道结光子晶体激光器，包括：衬底；以及在所述衬底上依次形成的多个叠层结构；其中，每个所述叠层结构包括有源层以及光子晶体层，且在相邻的所述叠层结构之间形成有隧道结。本公开隧道结光子晶体激光器，提高了峰值功率，增加了激光的探...

本发明提供了一种太赫兹波发射器，该发射器主要包括微腔激光器、半导体光放大器和光电二极管混频器。三部分通过集成或部分集成形成不同结构的太赫兹波发射器。外部调制信号可以通过调制微腔激光器电流、半导体光放大器电流或光电二极管偏置电压输入太赫兹...

本发明公开了一种带透明窗口的超辐射发光二极管结构，包括：弯波导吸收区、增益区、透明窗口、器件两腔面增透膜。同时，该超辐射发光二极管结构采用掩埋波导结构提高管芯的发光效率、实现高功率；采用一端弯波导吸收区+另一端透明窗口的波导结构，并结合...

本发明提供一种基于光电振荡器的矢量微波信号产生系统及方法，包括：可调谐激光器、第一相位调制器、第二相位调制器、光陷波滤波器、光纤、光电探测器、电放大器、功分器和码型发生器，输入的伪随机二进制序列的时间周期与微波信号在光电振荡器环路中传输...