一种基于卷积神经网络的中文手写体识别的加速方法，包括如下步骤：手写字符图片数据预处理，方便卷积神经网络的分类实现；搭建卷积神经网络结构，在浅层加入第一分类器，中间层加入第二分类器，顶层加入第三分类器；初始化网络参数，固定浅层网络和第一分...

本发明公开了一种人脸跟踪方法和系统。其中，方法包括：根据当前帧图像以及当前帧之前连续的第一数量帧图像的跟踪置信度，判断当前人脸模板是否满足更新条件；当满足更新条件时，根据上一帧图像更新当前人脸模板，获得新的人脸模板；根据新的人脸模板，获...

本公开提供了一种表面渐变散射型包层光功率剥离器制备装置及方法，其中制备装置包括：反应筒、固定架、注入孔和流量计；反应筒底端设有连接孔，待腐蚀光纤穿过连接孔，且与反应筒底端密封连接；待腐蚀光纤与固定架连接；注入孔设置在反应筒上；装有腐蚀液...

本发明一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其...

本发明公开了一种基于同源连续性的模拟人脸老化的方法及装置，方法包括：获取人脸图像的特征点；根据特征点构建形状特征向量并计算度量标准，将度量标准与预设度量标准匹配计算，获取各年龄段对应的与预设数量相等的相匹配人脸图像；获取各年龄段对应的纹...

一种中红外超晶格带间跃迁激光器，包括：衬底，为N型镓锑材料；下限制层，制备于衬底上，为N型掺杂的AlGaAsSb；下波导层，制备于下限制层上，为非掺杂的AlGaInAsSb；有源区，制备于下波导层上，为超晶格带间跃迁有源区，所述有源区包...

本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括：N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、光栅层、N型InP...

一种金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；复合材料层，位于所述缓冲层之上，包括横向多孔氮化物模板层，以及填充于其多孔中的金属纳米线，上述复合材料半导体的制备方法包括：步骤1：在衬底上生长制备缓冲层和n型...

本发明公开了一种基于终端设备的非配合式的活体检测方法，包括：针对人脸活体检测问题，训练一个卷积神经网络模型C1；构建第一训练集，将第一训练集输入网络模型C1的测试网络获得软目标标签概率；设计并训练卷积神经网络模型C2；获取待检测的人脸图...

本公开提供一种基于视觉刺激的脑电身份识别方法，包括：用户模板库构建部分以及身份识别部分，用户模板库构建部分包括：呈现视觉刺激图像并采集用户受到该视觉刺激图像刺激时视觉皮层产生的脑电信号，利用脑电信号生成与该用户对应的脑电信号模板；身份识...

本发明公开了一种可重构集成微波光子射频前端器件，包括上行链路和下行链路，上行链路和下行链路共用光载波，用于实现一体化的微波光子信号产生及处理；其中，上行链路包括第一光有源器件、第一光无源器件、第二光功分器和第一校正算法单元；下行链路，包...

本发明公开了一种啁啾采样光栅量子级联激光器，属于半导体光电器件技术领域。该啁啾采样量子级联激光器包括：衬底，下波导层，下限制层，有源层，上限制层，啁啾采样光栅，上波导层，高掺接触层。其中，在所述上限制层的上表面具有啁啾采样光栅。与传统均...

本发明提供了一种集成SBD的碳化硅沟槽型MOSFETs及其制备方法。所述MOSFETs的侧墙栅电极接触位于主沟槽侧壁，沟槽底部形成源电极金属接触，并集成肖特基金属接触，第一象限正向导通时，电子自下而上流经沟槽侧壁反型层，形成与传统沟槽型...

一种距离选通三维成像自适应双边参考修复的方法，包括如下步骤：步骤1：首先根据距离选通相邻的二维空间切片图像，分别用A、B帧表示，设定3D阈值，并利用三维反演算法获得待修复的原始深度图像；步骤2：其次将原始深度图像与A帧图像采用自适应双边...

本公开提供了一种基于受激布里渊散射的可调谐光电振荡器的弱信号探测系统包括：可调谐激光器(1)、相位调制器(2)、高非线性光纤(3)、环行器(4)、掺铒光纤放大器(5)、光滤波器(6)、光电探测器(7)、功分器(8)、耦合器(9)、电放大...

本公开提出一种激光熔覆层与基体结合强度的测试方法，包括：制作圆形试样，试样包括基体及基体上的激光熔覆层；在基体上形成一第一孔，第一孔为圆孔，与圆形试样同轴，圆孔深度等于基体厚度；在基体上形成多个第二孔，多个第二孔关于第一孔对称，且各第二...

一种双模激光器THz泵浦源的制作方法，包括如下制作步骤：利用选择区域外延生长技术或对接生长技术在衬底上获得增益区量子阱的材料、放大器区量子阱的材料及调制器区量子阱的材料；利用量子阱混杂技术或对接生长技术，在衬底上获得获得光栅区的材料及相...

一种片上集成傅里叶锁模激光器，包括半导体光放大器、微波光子滤波器、分束器、光隔离器和片上集成光延时线，共同形成光学环路来产生光学谐振，其中，半导体光放大器在注入电流时自发辐射光场，在光隔离器的作用下在光学环路中单向传播，通过调节微波光子...

本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层...

本公开提供一种超窄单通带微波光子滤波器，以缓解现有微波光子滤波器技术方案难以实现3dB带宽MHz量级以下单通带滤波的技术问题，所述微波光子滤波器包括：可调谐激光器；第一光耦合器，用于将激光器输入的激光分束；单边带调制模块；单边带抑制载波...