肖特基二极管及制备方法技术

本发明专利技术一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明专利技术可以降低肖特基二极管正向开启电压，减小反向漏电流。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及制备方法
本专利技术涉及半导体材料与器件
，尤其涉及碳化硅肖特基二极管及制备方法。
技术介绍
肖特基二极管是一种利用热电子发射的二极管，结构和工艺相对比较简单，并且由于反向恢复时间极短，正向导通压降相对较低，因此在高频、低压、大电流等领域广泛应用。目前Si和GaAs等传统的肖特基二极管，由于材料特性的限制，难以满足对击穿电压和电流等器件性能的更高要求，SiC作为第三代半导体材料禁带宽度大，电子饱和速度高、临界击穿电场高、热导性能好、高温等特性，非常适合制造高频大功率肖特基二极管，目前性能优良的SiC肖特基二极管已经商业化应用。但SiC肖特基二极管在性能上还存在较多问题，由于肖特基电极与半导体SiC的接触电阻较大，导致其导通电压比较高，同时由于受到n型碳化硅表面态的影响，肖特基接触势垒降低，增大了碳化硅肖特基二极管的反向漏电流。另外SiC基的肖特基二极管的反向击穿电压还有较大提高空间。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种肖特基二极管及制备方法，可以降低肖特基二极管正向开启电压，减小反向漏电流。本专利技术提供一种肖特基二极管，包含：一重掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，包含：一重掺杂的N型SiC衬底；一轻掺杂的N型SiC层，其生长在重掺杂的N型SiC衬底上；一非掺杂的SiC层，其生长在轻掺杂的N型SiC层上；一石墨烯层，其是在非掺杂的SiC层上高温热解生成的；一欧姆接触电极，其制作在重掺杂的N型SiC衬底的背面，形成阴极电极；一肖特基接触电极，其制作在石墨烯层上，形成阳极电极。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述非掺杂的SiC层的晶型为六方相单晶SiC。3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述重掺杂的N型SiC衬底的净掺杂浓度大于1×1018cm-3。4.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述轻掺杂的N型SiC层的净掺杂浓度为1×1015cm-3至1×1017cm-3。5.一种肖特基二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在重掺杂的N型SiC衬底上外延轻掺杂的N型SiC层；步骤2：在轻掺杂的N型SiC层上外延非掺杂的SiC层；步骤3：将非掺杂的SiC层进行表面处理，在非掺杂的SiC层的表面进行高温热解生成石墨烯层；步骤4：在重掺杂的N型SiC衬底的背面沉积Ti、Ni或Pt金属，制作欧姆接触电极，形成阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：冉军学，魏同波，王军喜，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11