中国科学院半导体研究所专利技术

中国科学院半导体研究所共有5962项专利

  • 本发明提供了两种声学滤波器与高电子迁移率晶体管的异构集成结构及其制备方法,该发明解决的技术问题是减小了功放模块的尺寸,使系统小型化;同时,减小了传统分立封装技术中器件间连接引入的寄生电感和互感,提升了功率模块特性。
  • 一种可见光拓展的中波红外探测器单元器件及其制备方法。其中,制备方法包括:在衬底上形成外延层,所述外延层包括吸收层;在吸收层上形成光陷阱,所述光陷阱底部位于吸收层内;刻蚀部分外延层以形成台面;在台面侧壁上形成电离膜,电离膜上形成氧化硅或氮...
  • 本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法,该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括:硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线;二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上;ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上,沿...
  • 一种可伪装可形变的智能可见光至近红外探测器,包括:聚合物基底,探测器单元阵列,以及用于连接探测器单元阵列中的探测器单元的石墨烯互联电极;所述探测器的制备方法包括:步骤A:生长外延片;步骤B:用步骤A所生长的外延片制备出台面型探测器单元;...
  • 本发明提供了一种自适应光滤波系统,该系统包括光滤波器,用于通过外电压调节其腔长进而改变滤波中心;光分束器,位于所述光滤波器的输出光路上,用于将所述光滤波器的输出光分成两束光,其中第一光束为最终输出光;探测放大电路,位于所述光分束器的第二...
  • 本发明提供了一种采用熔融碱液对碳化硅表面进行区域腐蚀的方法,包括:步骤A:取一碳化硅晶片并清洗干净;步骤B:将碱涂布在碳化硅晶片指定区域;步骤C:在热板上将碳化硅晶片加热至第一温度并保温至指定时间,清洗残碱和反应物;步骤D:完成碳化硅晶...
  • 本公开提供一种基于傅里叶锁模激光器的光波长测量系统,包括:激光产生单元,生成三角型频时对应关系的傅里叶锁模激光信号;第二光耦合器,与所述激光产生单元相连,用于将待测信号光与所述傅里叶锁模激光信号耦合,形成合束光;以及信号探测和处理单元,...
  • 一种可调谐的高稳频窄线宽半导体激光器,包括:激光发生装置,用于产生单频连续激光输出;光耦合装置,设置于激光发生装置一侧,将激光发生装置的输出光耦合进反馈装置;反馈装置,包括具有不同圆环长度且依次串联耦合的sagnac环和至少一环形谐振器...
  • 本发明公开了一种旋转托盘固定装置,包括:旋转轴;支撑爪,固定于旋转轴上,包含一轴心体和n个爪臂,n≥3;各个爪臂与轴心体相接,且末端设有一凸台,该凸台使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现托盘平面方向上的限位,在各个爪臂末端的凸台上对应设有...
  • 一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法,包括步骤:制备卤化物钙钛矿薄膜;在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜;在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜;利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜;刻蚀派瑞林薄膜,将掩膜上的微...
  • 本发明公开了一种在InGaN表面获得In量子点的方法、InGaN量子点及外延结构。其中,该方法包括:在衬底上生长GaN缓冲层;在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层;在非掺杂GaN层上生长InGaN层;以及保持反应室在N2氛围下将生长温度降...
  • 本发明提供了一种InGaN/(In)GaN量子阱结构的制造方法及LED外延片。InGaN/(In)GaN量子阱结构包括依次生成的N个量子阱,其中N≥1,第i个(1≤i≤N)量子阱的制造方法包括:若i=1,则在预设基础结构上形成第一垒层,...
  • 一种双通道长波红外探测器,包括一半导体衬底层、一高掺杂半导体基板层、一吸收层、一势垒层、一接触层以及一光栅层。本发明的双通道长波红外探测器避免了传统的探测器利用多个吸收区叠加实现多通道探测的方法,结构简单,节省成本;利用掺杂半导体介电常...
  • 本发明公开了一种透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件,其中,透明单晶AlN的制备方法包括:在PVT法生长的AlN单晶衬底上生长一层牺牲层,该牺牲层为:导电的多孔结构、热应力自分解的多孔结构或者低温生长得到的多晶缓冲层;在牺牲层上...
  • 本发明提供了一种紧凑型太赫兹波阵列图像传感器芯片,涉及太赫兹波探测技术领域。该芯片包括:太赫兹像素阵列为CMOS工艺中的若干层金属;列并行读出电路、电源偏置电路和数字逻辑控制模块均置于所述太赫兹像素阵列的下方,且采用置于所述太赫兹像素阵...
  • 一种基于微波光子技术的微波二分频器,包括:光域下变频模块,将待分频信号在辅助微波信号的作用下转换为角频率降低的电域信号;电域分频及混频模块,与所述光域下变频模块相连,用于将所述电域信号的角频率减半,并与辅助微波信号进行混频,产生待分频信...
  • 一种直接用于显示的高功率低相干性激光光源,采用量子阱作为有源区,所述激光光源包括:D型腔结构,其截面为D型即圆形沿一弦线切割后的形状;功率放大区域,与D型腔结构相连;以及出射截面,设置于所述激光光源的末端,所述激光光源的谐振腔采用D型腔...
  • 一种多孔III族氮化物及其制备方法,该制备方法包括:在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层;利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶;刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面,暴露III族氮化物;刻蚀暴露的III族氮...
  • 本发明提供了一种基于红外热像仪测量眼睛温度的校准方法,该校准方法包括以下步骤:步骤1)确定眼睛的真实温度和环境温度之间的关系;步骤2)确定测量距离对红外热像仪测量结果的影响;步骤3)确定环境温度对红外热像仪测量结果的影响;步骤4)确定测...
  • 本发明公开了一种垂直腔面发射量子级联激光器,包括:量子点有源区层,在激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层;分布布拉格反射镜层和光栅层,分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔,实现面发射。本发明通过在一个有源...