一种用于各向同性腐蚀氮化物材料的湿法腐蚀方法，该方法首先在GaN表面涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；再在光刻的衬底上蒸镀一层金属；然后进行金属剥离，再去除剩余光刻胶；接着将处理后的GaN放入腐蚀性溶液中进行腐蚀；最后将腐蚀完的外延片样本浸入...

一种基于光学遥感图像的目标船只检测方法，包括：对光学遥感图像构建图像金字塔，对每层金字塔的图像进行切块处理，得到多个图像块；针对每个图像块，求解该图像块的梯度，二值化并求和，若求和结果不小于预设阈值，则根据图像块中所有像素点的灰度值对该...

一种处理器可靠性评估方法，应用于集成电路技术领域，包括：将故障指令数据输入到预置仿真器中，生成故障仿真结果，判断故障仿真结果与正确仿真结果是否一致，若该故障仿真结果与该正确仿真结果一致，则更新该故障指令数据，并根据该新的故障指令数据，执...

一种温度探测装置及其制作方法，装置包括：热敏电阻(1)、激光器阵列(2)、金刚石薄膜层(4)及薄膜电路基板(5)；金刚石薄膜层(4)形成在薄膜电路基板(5)表面，热敏电阻(1)及激光器阵列(2)装设在金刚石薄膜层(4)表面；金刚石薄膜层...

本公开提供了一种压电式磁性随机存储器及其制备方法，通过对压电层两端施加电压使压电薄膜产生形变，该形变转移到磁自由层中，控制磁隧道结中磁自由层磁矩发生90°或接近90°翻转，包括垂直隧道结中磁自由层的磁矩从垂直于层表面转向面内方向(Ver...

一种非晶氮化镓/石墨烯电极材料、制备方法及超级电容器。其中，非晶氮化镓/石墨烯电极材料的制备方法包括：在一衬底上形成石墨烯；以及采用激光脉冲沉积在形成有石墨烯的衬底上制备非晶态氮化镓与石墨烯的复合材料。该制备方法有效避免成分偏析，避免镓...

本发明公开了一种基于偏振调制的光跳频系统及发送机、接收机，包括：两个结构相同的偏振调制单元，接收光载波信号，各个偏振调制单元包括顺序连接的多个第一偏振控制器、一相位调制器、一第二偏振控制器和一偏振分束器，其中相位调制器连接一伪随机码发生...

本发明公开了一种基于光环形器的光跳频系统及发送机，包括：环形调制单元，该环形调制单元包括多个光环行器，各个光环行器的第一端口接收不同的光载波，各个光环行器的第二端口连接一光耦合器，该光耦合器连接相位调制器并结合伪随机码发生器中跳频编码实...

本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法，所述半导体激光器由下至上依次包括：沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层；其中，所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽，所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及...

本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的硅晶面依赖的纳米结构晶体管，该晶体管结构包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在硅衬底上；硅晶面依赖的纳米结构，制作在氧化绝缘层上；源区和漏区的硅电导台面，均制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅晶面依赖的纳米结...

一种圆晶级大面积半导体纳米片及其制备方法。该制备方法通过调节合金催化剂的组分、利用合金催化剂的偏析来实现半导体材料从一维纳米线到二维纳米片的转变，整个过程无需借助光刻及电子束曝光等微纳加工设备，工艺简单，易于实现二维半导体纳米片材料的大...

本申请公开了一种微波瞬时测频装置，应用于微波光子学技术领域，包括：激光分束模块、信号调制模块和测频模块，其中，激光分束模块，用于将光信号进行功率均分，得到两个功率相同的光信号，信号调制模块，用于将待测微波信号以相位调制和强度调制的形式分...

本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的...

本发明公开了一种锑化物量子点超晶格结构及其生长方法，该锑化物量子点超晶格结构包括：一衬底；外延在衬底上的一层或多层缓冲层；在缓冲层上沉积Sb形成的一锑化物过渡层；外延于过渡层上的一锑化物量子点层；外延于量子点层上的一抑制层；以及，外延于...

一种可降低电学串扰的单光子探测器阵列及制备方法。该单光子探测器阵列包括外延片和形成在外延片正面上的钝化层；其中，钝化层上设有若干像元P电极窗口和若干隔离区电极窗口，所述隔离区电极窗口位于相邻的两个所述像元P电极窗口之间；每个像元P电极窗...

一种光电子芯片的封装结构，包括：载板(1)，包括基板平面(11)以及凹槽(12)，基板平面(11)高于凹槽(12)并与凹槽(12)平行；高频电路(2)，固定于基板平面(11)上，高频电路(2)包括电路载体(21)和薄膜电路(22)，其中...

本公开提供一种无空气间隙的全封闭晶体键合激光谐振腔，包括：晶体棒(4)；两个无掺杂晶体(5)，分别键合在所述晶体棒(4)的两端，所述无掺杂晶体(5)的两个非键合端面镀膜，一端镀高反膜(6)，另一端镀部分反射膜(7)；以及泵源模块(3)，...

一种MOSFET器件，应用于半导体技术领域，包括：该MOSFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极(1)、n+衬底(2)、n型缓冲层(3)、n‑漂移区(4)、n型JFET区(5)、P基区(6)和n+层(7)，该MOSFET器件有源区...

本公开提供一种在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法，包括：S1：制备图形化衬底；S2：在图形化衬底上通过侧向外延合并生长的方式，制备表面合并的侧向外延薄膜；S3：通过在步骤S1所制备的图形化衬底背面进行曝光处理使得在步骤S...

一种无掩膜按需掺杂的离子注入设备及方法，离子注入设备包括离子注入室，其包括离子源；离子引出组件；单离子释放组件，包括单离子束结构、离子阱和束线挡板；单离子检测组件，包括纳米孔光阑和单离子探测器；以及注入定位组件，包括样品台和成像单元，其...