一种有源芯片与无源波导芯片的三维对准方法及结构，该三维对准方法包括：在无源光波导芯片上设置刻蚀槽，并在刻蚀槽内设置用于水平方向定位的定位单元；在刻蚀槽内制作出电极图形，并在刻蚀槽内的电极图形上设置高度可调节的塑性电极；将有源芯片与定位单...

本公开提供了一种电镀夹具，包括：前盖和后盖；其中，所述前盖包括：顶侧、周侧、底侧及贯通开口；在所述前盖的周侧上沿所述前盖厚度方向依次设有第一固定凹槽和第二固定凹槽，所述第一固定凹槽、第二固定凹槽及贯通开口从所述前盖顶侧延伸至底侧，所述第...

本实用新型提供一种柔性折叠的LED光动力治疗仪，其包括：一柔性折叠的面罩；一LED光疗仪器，其贴附于柔性折叠的面罩的一面；一电源，其与LED光疗仪器连接；其中该LED光疗仪器包括多个LED芯片，该多个LED芯片间是通过导线互联，该多个L...

本发明提供了一种基于波分复用技术的全光串并转换系统，利用波分复用技术对多波长的光进行合路和分路，并通过控制高速光开关的通断，实现高速串并信号到低速并行信号的转换，并基于码型转换技术获得低速并行的非归零码电信号，实现皮秒量级的全光串并转换...

本发明公开了一种基于光纤色散效应的镜像干扰抑制混频器，包括：一个分布式反馈激光器，一个双平行马赫曾德尔调制器，一个光功率放大器，一段单模光纤，一个光电探测器，三个直流源，一个参考信号源，一个功率衰减器，和一个超宽带天线。本发明中，只需通...

一种电池负极材料及其制备方法、锂电池，其中电池负极材料的制备方法，包括：在一导电晶体衬底之上外延生长高质量氮化镓薄膜得到一外延结构；以及将外延结构通过电化学腐蚀进行改性，在高质量氮化镓薄膜的表面形成孔洞，使得该孔洞贯穿该外延结构，形成作...

本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法，用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷，该方法包括：步骤1：在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层；步骤2：在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层，然后升高温度至退火温度，对生长的铟镓...

一种基于光子晶体控制的单模半导体激光器外延结构，包括：N型衬底层，用于生长外延材料；N型限制层，配置于N型衬底层之上，用于限制光场向N型区的扩展；光子晶体，配置于N型限制层之上，用于调控输出光场模式；有源区，配置于光子晶体上；P型限制层...

本发明公开了一种近距离匀光LED封装结构，包括：一LED芯片作为光源；一封装管壳，其具有一制作在上表面的金属反射层和一置于管壳内部的中心LED封装电路；一透明盖板，其下表面具有图形化金属反射层；一封装胶填充层。本发明可以使用单颗LED作...

本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，...

本公开提供了一种可提高LED出光效率的硅基反射圈、制备方法及LED器件；其中，所述可提高LED出光效率的硅基反射圈的内壁围成一中空贯通的腔体，套设在LED芯片的周围，在所述反射圈的内壁上覆盖有反射层，用于反射所述LED芯片出射的光线从而...

一种三维势垒限制的硅基杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：一源区硅电导台面与一漏区硅电导台面，对称分布于一SOI基片之上；一硅纳米线结构，位于SOI基片之上，连接源区硅电导台面与漏区硅电导台面；氧化物薄层，制备于源区硅...

本发明公开了一种磷化铟基光学混频器及其制备方法，该混频器包括一外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上，用于实现混频；一二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，用于保护外延片器件层，并提高外延片器件层稳定性；以及一金属薄膜，形成于所述二...

本发明提供了一种低热阻电路板，包括一个电路排布面和一个散热面，其特征在于散热面为非平面结构，如波浪型、半球型、翅片型、辐射线型或者其他非平面结构。所述散热面上可做出热管结构，所述热管中可通入导电液体。所述散热面与所述低热阻电路板一体成型...

本发明公开了一种半导体激光光源，该半导体激光光源包含一个或者多个激光器单元组成的二维半导体面发射激光器阵列，其中的单个激光器单元包括：衬底；在衬底上设置的激光发光区，输出功率监测区，耦合输出区，和电极；以及光束整形区，设置于耦合输出区上...

一种多波长硅基III‑V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法，该硅基III‑V族混合集成激光器阵列单元包括III‑V半导体外延层和与其连接的SOI基底，其中，III‑V半导体外延层上设有若干个III‑V波导、若干个P电极和N电极；SO...

本发明提供了一种用于激光显示的激光光源，属于半导体激光器和激光显示技术以及成像技术领域。所述用于激光显示的激光光源包括：第一光学谐振腔、第二光学谐振腔以及第三光学谐振腔；所述第一光学谐振腔和第三光学谐振腔为带切口的圆形光学谐振腔；所述第...

一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况...

一种基于复合微腔阵列的捕获芯片，包括：至少一个复合微腔(2)，每一所述复合微腔(2)包括第一捕获微孔(3)和第二捕获微孔(4)，所述第一捕获微孔(3)和所述第二捕获微孔(4)具有不同尺寸；流体通道(9)，用于供第一捕获目标悬液(12)或...

本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构...