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昭和电工株式会社专利技术
昭和电工株式会社共有2541项专利
琥珀酸的制备方法技术
本发明旨在提供能够通过简单的分离和纯化过程由碱金属琥珀酸盐有效地制备高纯度琥珀酸的方法。本发明中制备琥珀酸的方法包括步骤(1)将硫酸添加到含碱金属琥珀酸盐的溶液中,步骤(2)从所述溶液中沉淀和移除碱金属硫酸盐的晶体,和步骤(3)沉淀和回...
荧光体、其制备方法和发光装置制造方法及图纸
一种荧光体,表示为M1↓[(x1)]M2↓[(x2)]M3↓[12](O,N)↓[16],其中M1表示一种或多种选自Li、Mg、Ca、Sr、Ba,、Y、La、Gd和Lu的金属元素,M2表示一种或多种选自Ce、Pr、Eu、Tb、Yb和Er...
垂直磁记录介质和磁记录再生装置制造方法及图纸
本发明涉及一种垂直磁记录介质,它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,磁记录层由两层以上构成,从所述非磁性基板侧起包含第一磁记录层和第二磁记录层,关于各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku...
磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置制造方法及图纸
本发明提供一种制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的方法,该方法的特征在于,包括按以下的(1)~(3)的顺序进行实施的3个工序:(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序;(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序;(3)将通过...
垂直磁记录介质、其制造方法和磁记录再生装置制造方法及图纸
一种磁记录介质,是在非磁性基板上至少依次含有衬里层、种子层、中间层和垂直磁记录层的垂直磁记录介质,其中,所述种子层是hcp结构的(002)晶体取向层,并且,所述中间层依次包含由bcc结构的(110)晶体取向层构成的第1中间层和由hcp结...
Ⅲ族氮化物半导体发光元件制造技术
一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件,具有基板(1)和在该基板的表面上设置的具有由含有镓的Ⅲ族氮化物半导体材料形成的势垒层(5a)和阱层(5b)的多量子阱结构的发光层(5),其中,形成所述多量子阱结构的各阱层由添加有受主杂质且层厚相互不同的呈与...
管与被接合部件的接合装置制造方法及图纸
接合装置(30)具备以楔孔部(11)为中心在圆周方向上被分割为多个组合模块(2)的模具(1)和芯棒(20)。模具(1)的各组合模块(2)由于芯棒(20)而向管(40)的半径方向外侧移动,从而对管(40)的扩径加工对象部(41)进行扩径加...
垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录/再现装置制造方法及图纸
公开了一种垂直磁记录装置,其至少包括均设置在非磁性基底上的软磁性层、下垫层、中间层以及垂直磁记录层,其中所述垂直磁记录层由具有一个或多个组成层的磁性层构成,其中所述磁性层中的至少一个组成层包括氧化物晶粒边界和主要由钴构成的铁磁晶粒,并且...
制造合金的装置制造方法及图纸
本发明的目的是提供一种可以制造具有高矫顽磁力的稀土磁体的合金的制造装置,且提供了用于制造合金的装置,其中所述装置包括至少用于通过SC法铸造熔融合金的铸造装置(2),用于破碎铸造之后的铸造合金的破碎装置(21),用于保持由破碎装置供给的铸...
制备β-巯基羧酸类化合物的方法技术
本发明涉及一种有效制备β-巯基羧酸类化合物的方法,该方法使用诸如沸石的固体酸催化剂,产物对应于选自α,β-不饱和羧酸类化合物(α,β-不饱和羧酸、α,β-不饱和羧酸酯、α,β-不饱和酰胺、α,β-不饱和醛和α,β-不饱和酮)和氢硫化物(...
发光装置、显示装置以及发光装置的制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种发光装置、显示装置以及发光装置的制造方法。发光模块(40)具备:发红色光、绿色光、蓝色光的8个LED;电导体部(60),其与各LED电连接,形成对各LED的供电路径;热导体部(50),其与电导体部(60)电隔离地设置,形成...
乳液组合物制造技术
本发明的乳液组合物包括(A)抗坏血酸-2-磷酸酯高级脂肪酸酯的盐,(B)包括平均聚合度为8-12的聚甘油和具有14-22个碳原子的不饱和脂肪酸残基的聚甘油脂肪酸单酯,(C)包含平均聚合度为2-6的聚甘油和具有14-22个碳原子的不饱和脂...
皮肤抗皱剂制造技术
本发明涉及一种皮肤抗皱剂和一种抗皱化妆品,其具有稳定性且在抗皱方面有令人满意的效果。所述皮肤抗皱剂含有如上式(1)所示的生育酚磷酸酯和/或其盐,其中R1、R2和R3代表氢原子或甲基。抗皱化妆品含有该抗皱剂。
高纯度六氟丙烯的制造方法及清洗气技术
本发明的目的是提供高纯度六氟丙烯的有利的工业制造方法,并提供该高纯度六氟丙烯的用途,具体地说,是提供用于除去半导体制造装置内或液晶制造装置内的沉积物的清洗气。本发明的高纯度六氟丙烯的制造方法是将经由氯二氟甲烷热分解而制造的粗六氟丙烯进行...
固体电解电容器制造技术
在由具有阀作用的金属材料或导电性氧化物形成的阳极体的表面,形成电介质层、固体电解质层,接着,层叠导电性碳膏以及含有金属导电性粉末和重均分子量为60000以下的丙烯酸系树脂的导电性金属膏,形成导电体层,得到固体电解电容器元件,将该固体电解...
外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法技术
一种外延SiC单晶衬底,其特征在于,包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜,形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/...
催化剂及其制造方法以及其用途技术
本发明提供在酸性电解质中和/或高电位下不腐蚀且耐久性优异的具有高的氧还原能力的催化剂。本发明的催化剂,其特征在于,包含铌的碳氮氧化物。此外,其特征在于,包含组成式由NbCxNyOz(其中,x、y、z表示原子数的比,分别为0.01≤x≤2...
磁记录介质和磁记录再生装置制造方法及图纸
本发明涉及一种磁记录介质,该磁记录介质是在非磁性基板上至少具有衬里层和取向控制层、磁记录层以及保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,取向控制层由两层以上构成,且从基板侧包含种子层和中间层,作为种子层材料含有5原子%~25原子%的范围内的在...
垂直磁记录介质以及磁记录和再现装置制造方法及图纸
本发明的一个目标是,提供一种方法,能够容易地提供一种低成本的、容易设计的ECC型磁记录介质,并且本发明提供一种垂直磁记录介质,其中至少包括在非磁性基底上沉积的软磁性衬背层、衬层、中间层、垂直磁记录层,其中,所述垂直磁记录层包括至少有一层...
荧光体和其制造方法、以及使用该荧光体的发光装置制造方法及图纸
本发明涉及一种荧光体,具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料,其特征在于,M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu,M(1)...
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