高纯度六氟丙烯的制造方法及清洗气技术

本发明专利技术的目的是提供高纯度六氟丙烯的有利的工业制造方法，并提供该高纯度六氟丙烯的用途，具体地说，是提供用于除去半导体制造装置内或液晶制造装置内的沉积物的清洗气。本发明专利技术的高纯度六氟丙烯的制造方法是将经由氯二氟甲烷热分解而制造的粗六氟丙烯进行纯化，从而制造高纯度六氟丙烯的方法，包括下述工序（１）和工序（２），工序（１）：使所述粗六氟丙烯与含有平均细孔径为３．４＊～１１＊沸石和／或平均细孔径为３．５＊～１１＊的碳质吸附剂的吸附剂接触，从而降低粗六氟丙烯中的含氯化合物和／或烃类的含量；工序（２）：通过蒸馏来降低工序（１）所得的六氟丙烯中的低沸点成分的含量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高纯度六氟丙烯的制造方法。特别是，涉及可以理想地用 于除去半导体制造装置内或液晶制造装置内的沉积物的六氟丙烯的制造方 法以及高纯度六氟丙烯的用途。
技术介绍
六氟丙烯(以下有时称为"CF3CF=CF2"或"FC-1216")在例如半导体 器件制造工序中的清洗气、八氟丙烷(C3Fs)的制造用原料等中使用。作为 其制造方法，人们知道例如下述方法(1) 在下述式所示的经由氯二氟甲烷(CHC1F2)热分解而制造四氟乙烯 (CF2=CF2)的工序中作为副产物而得到的方法，2CHC1F2+H20—CF2=CF2+CF3CF=CF2(2) 通过将聚四氟乙烯热分解，或将四氟乙烯在减压、高温下在铂上通过等 而得到的方法，(3) 将丙烷、丙烯或部分卣代的C3非环式烃类进行氯氟化并脱卣化的方法 (特开平4-145033号公报)，等等，但多数情况下，六氟丙烯中含有氯氟烃(CFC)类、氢氯氟烃(HCFC) 类、烃(HC)类等饱和化合物、不饱和化合物等各种杂质。这些杂质难以通 过蒸馏操作与六氟丙烯分离。所以，为了得到纯度较高的六氟丙烯，必须尽量除去这些杂质。特别 是，对于作为含氯化合物的氯氟烃类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯度六氟丙烯的制造方法，是将经由氯二氟甲烷热分解而制造出的粗六氟丙烯进行纯化，从而制造高纯度六氟丙烯的方法，包括下述工序（１）和工序（２），　工序（１）：使所述粗六氟丙烯与含有平均细孔径为３．４＊～１１＊的沸石和／或平均细孔径为 ３．５＊～１１＊的碳质吸附剂的吸附剂接触，从而降低粗六氟丙烯中的含氯化合物和／或烃类的含量；　工序（２）：通过蒸馏来降低工序（１）所得的六氟丙烯中的低沸点成分的含量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大井敏夫，大野博基，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]