外延ＳｉＣ单晶衬底及外延ＳｉＣ单晶衬底的制造方法技术

一种外延ＳｉＣ单晶衬底，其特征在于，包括将ｃ面或以大于０度小于１０度的倾斜角度使ｃ面倾斜得到的面作为主面的ＳｉＣ单晶晶片、和在所述ＳｉＣ单晶晶片的所述主面上形成的ＳｉＣ外延膜，形成于所述ＳｉＣ外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为１０列／ｃｍ２以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及外延SiC单晶衬底以及外延SiC单晶衬底的制造方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)是相对于硅(Si)带隙(band gap)大的半导体，被期待应用到功率 器件、高频器件以及高温工作器件等。作为SiC存在多种多型体(polytype)，但为了制作实用的SiC电子器件而使用的 多型体是4H-SiC。作为用于制造SiC电子器件的衬底，通常使用由以升华法制作出的块状 结晶加工得到的SiC单晶晶片，在其上形成作为SiC半导体器件的活性区域的SiC外延生 长膜。在SiC单晶晶片，一般内部存在被称为贯通螺旋位错(ThreadingScrew Dislocation :TSD)、贯通刃状位错(Threading Edge Dislocation :TED)、或基底面位错 (Basal Plane Dislocation :BPD)的结晶缺陷，存在器件特性由于这些结晶缺陷而劣化的 情况。这些位错基本上从SiC单晶晶片传播到SiC外延膜。需说明的是，贯通螺旋位错主 要是指在c轴方向上传播的伯格斯矢量(Burgers Vector)为ncWOOl]的位错。此外，贯 通刃状位错主要是指在c轴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延ＳｉＣ单晶衬底，其特征在于，包括：将ｃ面或以大于０度且小于１０度的倾斜角度使ｃ面倾斜得到的面作为主面的ＳｉＣ单晶晶片；和形成在所述ＳｉＣ单晶晶片的所述主面上的ＳｉＣ外延膜，形成于所述ＳｉＣ外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为１０列／ｃｍ↑［２］以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：百瀬賢治，小田原道哉，松沢圭一，奥村元，児島一聡，石田夕起，土田秀一，鎌田功穗，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，独立行政法人产业技术综合研究所，财团法人电力中央研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]