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一种外延ＳｉＣ单晶衬底，其特征在于，包括将ｃ面或以大于０度小于１０度的倾斜角度使ｃ面倾斜得到的面作为主面的ＳｉＣ单晶晶片、和在所述ＳｉＣ单晶晶片的所述主面上形成的ＳｉＣ外延膜，形成于所述ＳｉＣ外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为１０列／ｃｍ...该专利属于昭和电工株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所;财团法人电力中央研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所;财团法人电力中央研究所授权不得商用。